多晶硅硅锭生长炉
组人员充分研究了国内外相关设备的技术、分析了多晶硅铸锭的特殊工艺要求，在解决了一个又一个技术难题之后，于2007年12月成功安装调试了R13240－1/UM型多晶硅铸锭炉，铸造出的硅锭晶体结构和电学特性
由多晶硅料经铸锭炉铸成多晶硅锭后再切片制成。 由于多晶硅电池的制作工艺与单晶硅电池差不多，但就转换率看，目前单晶硅电池转换率普遍在16%~18%，多晶硅电池普遍转换率在15%~16%。从制作
晶硅电池分为单晶和多晶，区别在于所用硅片。单晶硅片由多晶硅原料经拉晶炉拉成单晶棒后再切片制成，多晶硅片是由多晶硅料经铸锭炉铸成多晶硅锭后再切片制成。 由于多晶硅电池的制作工艺与单晶硅电池差不多，但就
为主。高效单晶硅将逐渐抢占市场晶硅电池分为单晶和多晶，区别在于所用硅片。单晶硅片由多晶硅原料经拉晶炉拉成单晶棒后再切片制成，多晶硅片是由多晶硅料经铸锭炉铸成多晶硅锭后再切片制成。由于多晶硅电池的制作
片是由多晶硅料经铸锭炉铸成多晶硅锭后再切片制成。由于多晶硅电池的制作工艺与单晶硅电池差不多，但就转换率看，目前单晶硅电池转换率普遍在16%~18%，多晶硅电池普遍转换率在15%~16%。从制作成本比较
问题。1.2铸锭炉冷却模式改进硅的结晶速度取决于其底部石墨块的降温速度，较好的结晶速度会产生稳定的分凝速度，保证杂质的均匀析出，是生长高效多晶硅块的必经之路。目前行业中的冷却主要包括隔热笼的提升
碎片作为籽晶，使用特殊坩埚或热场等等。1、铸锭炉本身结构的优化铸锭炉是直接将硅料高温熔融后通过定向冷却冷凝结晶，使其形成晶向一直的硅锭的设备。在加热使硅料完全融化后，通过定向凝固块将硅料结晶时释放的
/熔体界面和温度梯度的影响是至关重要的。有关优化晶体生长过程已进行了许多研究。采用瞬态3D数值模型，Delannoy等人研究过ECM炉内二种不同直径支架对凝固硅锭中热梯度和生长速率的影响
研发的铸锭热场，采用定向凝固生长技术成功铸出重量达1200公斤、尺寸为1152mm*1152mm*390mm、可以切割出7*7共49块156mm*156mm小方锭的G7多晶硅锭，该多晶硅锭外观完整，无缺
。当然，使用DSS多晶硅铸锭炉生产硅锭的方式还会持续很长一段时间，但也会出现不同类型的晶体生长技术，推动光伏行业未来的发展。我们认为HiCz能满足未来的行业要求。最后，目前还有一个市场现实影响了我们对
铸锭炉生产硅锭的方式还会持续很长一段时间，但也会出现不同类型的晶体生长技术，推动光伏行业未来的发展，HiCz将毋庸置疑的满足未来的行业要求。目前产能利用严重不足，资金渠道堵塞，大量制造产能闲置。现阶段
