篇,申请发明专利3项。课题二:高强度曲面反射镜批量化生产工艺研究。本课题进展:1)完成《可行性研究报告》和《环境评估报告表》、研究得到了单层结构反射镜和复合式反射镜生产的工艺路线和设计方案、完成热弯钢
盐的高温蓄热机理与使用性能。5)在互补系统的仿真平台方面:(1)建立了集热器动态数学模型,(2)搭建了小型集热系统仿真模型,分析了集热系统稳态性能及动态性能分析,(3)建立330MW机组仿真实验平台
发生大幅下降,之后趋于稳定的现象。普遍认为的衰减机理为硼氧复合导致,即由p型(掺硼)晶体硅片制作而成的光伏组件经过光照,其硅片中的硼、氧产生复合体,从而降低了其少子寿命。在光照或注入电流条件下,硅片
过程中过饱和的间隙原子和空位要消失,其消失的途径是:空位和间隙原子相遇使复合消失;扩散到晶体表面消失;或扩散到位错区消失并引起位错攀移。间隙原子和空位目前尚无法观察。
1.2杂质点缺陷
A、替位
杂质点缺陷,如硅晶体中的磷、硼、碳等杂质原子
B、间隙杂质点缺陷,如硅晶体中的氧等
1.3点缺陷之间相互作用
一个空位和一个间隙原子结合使空位和间隙原子同时湮灭(复合),两个空位形成双空位或空位团
最初几天内发生较大幅度的下降,但随后趋于稳定。导致这一现象发生的主要原因是P型(掺硼)晶体硅片中的硼氧复合体降低了少子寿命。通过改变P型掺杂剂,用稼代替硼能有效的减小光致衰减;或者对电池片进行预
,进而引起功率下降。在选择EVA及背板时,必须严格把关,所选材料在耐老化性能方面必须非常优秀,以减小因辅材老化而引起光伏电池衰减。
光致衰减机理
P型(掺硼)晶体硅光伏电池的早期光致衰减现象是在30
光致衰减
初始的光致衰减,即光伏组件的输出功率在刚开始使用的最初几天内发生较大幅度的下降,但随后趋于稳定。导致这一现象发生的主要原因是P型(掺硼)晶体硅片中的硼氧复合体降低了少子寿命。通过改变P型掺杂剂
背板时,必须严格把关,所选材料在耐老化性能方面必须非常优秀,以减小因辅材老化而引起组件功率衰减。
光致衰减机理
P型(掺硼)晶体硅太阳电池的早期光致衰减现象是在30多年前观察到的,随后人们对此
12.6%,远低于其姊妹化合物铜铟镓硒(CIGS)的22.6%。实验研究表明,Na掺杂可以提高CZTSe材料中的载流子(空穴)浓度,增强p型电导,进而提高电池效率。但目前掺杂对其影响机理尚不明确。据此
CZTSe中除了NaSn外,其它与Na相关的缺陷均为浅施主或受主。其中,NaZn形成能很低,可以在材料中大量存在,因此会和本征的深能级缺陷SnZn竞争,减少电子空穴对的复合,增强电池的效率;同时,NaZn
,因为PERC大家知道是被动化的特性,可以降低表面复合,增加对长波的吸收,另外PERC这个技术在长波段有更好的光波响应,另外因为PERC它由于背面是个局部被接触,所以电荷有一定的增加。这是PERC
解决硼氧负荷的问题,就可以比较好的解决衰减的问题,光衰的问题,基于这个机理,无论采用掺加的技术,都可以做到低于2%的衰减,首年衰减不低于2%,因为双玻,玻璃背板有更好的可靠性,耐腐蚀、耐紫外线,所以衰减
的对应物,物理学上将其叫做空穴。这样的一个电子--空穴对就是科学家们常说的激子。
图5 钙钛矿太阳能电池的构造与运行机理示意图
激子被分离成电子与空穴后,分别流向电池的阴极和阳极。
带
负电的自由电子经过电子传输层到玻璃基底,然后经外电路到达金属电极。带正电的空穴扩散到空穴传输层,最终也到达金属电极。在此处,空穴与电子复合,电流形成一个回路,完成电能的运输。
钙钛矿太阳能电池把光吸收
就会同时产生一个额外的带正电的对应物,物理学上将其叫做空穴。这样的一个“电子--空穴对”就是科学家们常说的“激子”。图5 钙钛矿太阳能电池的构造与运行机理示意图激子被分离成电子与空穴后,分别流向电池的
到达金属电极。在此处,空穴与电子复合,电流形成一个回路,完成电能的运输。钙钛矿太阳能电池把光吸收过程与电流运输过程分离,一种介质只负责运输一种电荷,避免了硅基、薄膜太阳能电池中载流子复合率高、载流子
E膜粘接层,层与层之间使用胶黏剂粘接,需要两次复合工艺制得。为进一步迎合客户降本需求,只能围绕PET做文章,A/B结构的PET便孕育而生,A/B结构的PET与普通PET的不同之处在于其本身具有较为清晰
的两层结构,一般A/B结构的PET总厚度在160um左右,外侧较薄的耐UV层占总厚度的10%,内层为普通PET,通过共挤形成A/B结构,PET内侧再复合上E膜或PO膜粘接层变形成了两层结构的PET背板