型背

生产能耗继续下降；骨干企业单晶及多晶电池平均转换效率有所提升，背电极、异质结、高倍聚光等多种技术路线加快发展；光伏发电系统投资成本降至8元/瓦以下，度电成本降至0.6-0.9元/千瓦时。 综合来看
对于光伏系统的入网检测形成实际垄断，电站并网难和电价补贴发放滞后等问题尚未得到缓解。以上问题都制约了国内光伏市场的进一步发展。 产业政策 　　 　　当前，中国光伏市场仍是政策驱动型市场

能耗继续下降；骨干企业单晶及多晶电池平均转换效率有所提升，背电极、异质结、高倍聚光等多种技术路线加快发展；光伏发电系统投资成本降至8元/瓦以下，度电成本降至0.6-0.9元/千瓦时。 综合来看，我国
。 下一页 　　产业政策当前，中国光伏市场仍是政策驱动型市场。2009年中国出台的金太阳政策和光电建筑一体化政策推动了中国光伏市场爆发性的发展，2009年中国光伏新增装机是

工艺水平持续提升 单位产能光伏制造业投资继续下降，多晶硅平均生产能耗继续下降；骨干企业单晶及多晶电池平均转换效率有所提升，背电极、异质结、高倍聚光等多种技术路线加快发展；光伏发电系统投资成本降至8元/瓦
问题尚未得到缓解。以上问题都制约了国内光伏市场的进一步发展。 产业政策 当前，中国光伏市场仍是政策驱动型市场。2009年中国出台的金太阳政策和光电建筑一体化政策推动了中国光伏

能耗继续下降；骨干企业单晶及多晶电池平均转换效率有所提升，背电极、异质结、高倍聚光等多种技术路线加快发展；光伏发电系统投资成本降至8元/瓦以下，度电成本降至0.6-0.9元/千瓦时。综合来看，我国
。 下一页 产业政策当前，中国光伏市场仍是政策驱动型市场。2009年中国出台的金太阳政策和光电建筑一体化政策推动了中国光伏市场爆发性的发展，2009年中国光伏新增装机是2008年

：PERC电池技术、N型电池技术、IBC电池技术、MWT电池技术、HIT电池技术等。 高效电池生产技术主要技术内容：开发电池效率达到22%以上的高效电池生产技术，包括重点背场钝化（PERC）电池、金属穿孔
卷绕（MWT）电池、N型电池、异质结电池（HIT）、背接触电池（IBC）电池、叠层电池、双面电池等，并实现产业化生产。

技术内容：开发电池效率达到22%以上的高效电池生产技术，包括重点背场钝化（PERC）电池、金属穿孔卷绕（MWT）电池、N型电池、异质结电池（HIT）、背接触电池（IBC）电池、叠层电池、双面电池等，并实现产业化生产。

生产技术主要技术内容：开发电池效率达到22%以上的高效电池生产技术，包括重点背场钝化（PERC）电池、金属穿孔卷绕（MWT）电池、N型电池、异质结电池（HIT）、背接触电池（IBC）电池、叠层电池、双面电池等，并实现产业化生产。 （扫二维码，分享到微信朋友圈）

单位产能光伏制造业投资继续下降，多晶硅平均生产能耗继续下降；骨干企业单晶及多晶电池平均转换效率有所提升，背电极、异质结、高倍聚光等多种技术路线加快发展；光伏发电系统投资成本降至8元/瓦以下
发放滞后等问题尚未得到缓解。以上问题都制约了国内光伏市场的进一步发展。 二、产业政策 当前，中国光伏市场仍是政策驱动型市场。2009年中国出台的金太阳政策和光电建筑一体化政策推动了中国光伏市场爆发性的

下降，多晶硅平均生产能耗继续下降；骨干企业单晶及多晶电池平均转换效率有所提升，背电极、异质结、高倍聚光等多种技术路线加快发展；光伏发电系统投资成本降至8元/瓦以下，度电成本降至0.6-0.9元/千瓦时
，中国光伏市场仍是政策驱动型市场。2009年中国出台的金太阳政策和光电建筑一体化政策推动了中国光伏市场爆发性的发展，2009年中国光伏新增装机是2008年十四倍。2012年在金太阳政策结束之前出现了大量的

。这样高能量光子在宽带隙薄膜表面处被吸收，能量较小的红外光子透过薄膜表面后在带隙极小处被吸收，从而最大限度地提高光子的吸收效率。另外，后偏析V型带隙分布由于在靠近Mo背电极附近的吸收层形成势垒，减少
高。另外，在沉积CIGS吸收层时可制成具有Ga含量偏析的层状结构，使禁带宽度呈梯度或V型分布。图5显示了后偏析V型带隙分布示意图。如图5所示，薄膜内部存在带隙极小点（1.0～1.1eV），两侧带隙较宽