叠层太阳电池

情况：图7 四种不同注入工艺下的发射极的ECV图钝化可以明显地改善电池表面状态、提升电池的性能，双面电池所需钝化与常规电池相比有其独特的要求。在N+背表面场上，采用SiO2/SiNx叠层钝化膜
，SiO2膜可以很好的对N+面进行表面钝化，加上SiNx膜的带正电荷特性，可以同时获得较好的表面钝化和场钝化的效果，而且还能起到很好的减反射作用，如图8所示。但是在正面的P+掺杂面使用SiO2/SiNx叠层

行业悄然兴起。硅薄膜电池已逐渐具备产业爆发性增长的条件，有望超越其他种类的薄膜电池：1、硅薄膜电池技术成熟度高，发展路径清晰，使用叠层工艺将使转换效率及衰减问题不再突出；2、薄膜电池设备供应商快速崛起对行业
转化效率2014年12月刷新为21.7%，由德国太阳能和氢能研究机构ZSW采用共蒸镀法制备。大面积电池组件转化效率及产量根据各公司制备工艺不同而有所不同，一般在10%~15%范围内。铜铟镓硒薄膜太阳电池具有

/GaAs 4cm2 26.9 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 25.5 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 27.0 单片叠层三结太阳电池◎ 聚光电池GaAs

索比光伏网讯:摘要：以金刚线切割的多晶硅片为基础，正面是低反射率的亚微米级绒面，结合SiOx/SiNx薄膜保证正面的钝化效果。背面采用AlOx/SiNx叠层钝化，形成PERC电池结构，大大改善背表面
，从而提升电池效率。Al2O3薄膜具有极低的界面缺陷和较高的固定负电荷密度，能够提供良好的表面钝化效果；镀膜或进行激光开槽，使光生电流通过该窗口被背面铝层收集。　背面叠层结构材料折射率为硅3.9

太阳电池GaInP/GaAs 4cm2 26.9 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 25.5 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 27.0 单片叠层三结

一种基于硫化铅(PbS)QD光电阳极的电池。该光电二极管包含沉积在二氧化钛/氟掺杂氧化锡电介质叠层上的PbS量子点层。由多余电子驱动的化学反应为探索太阳能燃料的高效率方法奠定了新的方向。
大学。Beard和其他NREL科学家，于2011年发表了一篇科学论文(通过MEG外部光电量子效率峰值超过100%的量子点太阳能电池)，其首次显示了MEG如何通过在电流中产生更多电子，使其多于进入太阳电池

包含沉积在二氧化钛/氟掺杂氧化锡电介质叠层上的PbS量子点层。由多余电子驱动的化学反应为探索太阳能燃料的高效率方法奠定了新的方向。
科学论文(通过MEG外部光电量子效率峰值超过100%的量子点太阳能电池)，其首次显示了MEG如何通过在电流中产生更多电子，使其多于进入太阳电池的光子量，导致太阳能电池的量子效率超过100%。这里的主要

和前苏联Ioffe技术物理所等为代表的研究单位，采用LPE技术引入GaAlAs异质窗口层，降低了GaAs表面的复合速率，使GaAs太阳电池的效率达16%。不久，美国的HRL
MOCVD，从同质外延到异质外延，从单结到多结叠层结构的几个发展阶段，其发展速度日益加快，效率也不断提高，目前实验室最高效率已达到50%（来自IBM公司数据），产业生产转化率可达30%以上。再我国，目前已有

前苏联Ioffe技术物理所等为代表的研究单位，采用LPE技术引入GaAlAs异质窗口层，降低了GaAs表面的复合速率，使GaAs太阳电池的效率达16%。不久，美国的HRL
，从同质外延到异质外延，从单结到多结叠层结构的几个发展阶段，其发展速度日益加快，效率也不断提高，目前实验室最高效率已达到50%（来自IBM公司数据），产业生产转化率可达30%以上。再我国，目前已有多家

，IBM公司和前苏联Ioffe技术物理所等为代表的研究单位，采用LPE技术引入GaAlAs异质窗口层，降低了GaAs表面的复合速率，使GaAs太阳电池的效率达16%。不久，美国的HRL
MOCVD，从同质外延到异质外延，从单结到多结叠层结构的几个发展阶段，其发展速度日益加快，效率也不断提高，目前实验室最高效率已达到50%（来自IBM公司数据），产业生产转化率可达30%以上。再我国，目前