而卷土重来的既存技术。黑硅除了能解决外观问题之外,还能形成纳米级的凹坑、增加入射光的捕捉量,降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配黑硅技术的工艺,能同时兼顾硅片端降本与电池片端提效
单多晶而言,经实测 单晶封装损失:2-5% 多晶封装损失:-1~1% 多晶经封装后 电池表面反射率大幅下降 效率可能不降反升 差异原因: 单晶硅片反射率约10%,电池片反射率约2
量,降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配黑硅技术的工艺,能同时兼顾硅片端降本与电池片端提效两方面。 目前黑硅技术主要分成干法制绒的离子反应法(Reactive Ion
。第二,黑硅技术的设备成本降低,电池和组件端的进步也促进了该技术的发展。黑硅除了能解决外观问题之外,还能形成奈米级的凹坑、增加入射光的捕捉量,降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配
的设备成本降低,电池和组件端的进步也促进了该技术的发展。黑硅除了能解决外观问题之外,还能形成奈米级的凹坑、增加入射光的捕捉量,降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配黑硅技术的工艺,能
降低,电池和组件端的进步也促进了该技术的发展。黑硅除了能解决外观问题之外,还能形成奈米级的凹坑、增加入射光的捕捉量,降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配黑硅技术的工艺,能同时兼顾硅片
二、发电量方面
在发电量方面,水上光伏与地面光伏相比,受温度和反射率影响,发电量略有提高。我们在实际发电量计算中,会考虑多种因素对发电量的影响,如温度、光伏阵列损耗、直流线路损失、电气设备造成的
效率损失、光伏电站内线损等能量损失、系统的可利用率等因素,其中估算温度对发电量的影响约占3~4%,则水面光伏温度的影响可按1~2%折算。再考虑反射率的影响,在地点、倾角等其他条件相同的条件下,估算
地面电站光伏阵列基础投资指标对比表二、发电量方面在发电量方面,水上光伏与地面光伏相比,受温度和反射率影响,发电量略有提高。我们在实际发电量计算中,会考虑多种因素对发电量的影响,如温度、光伏阵列损耗、直流
线路损失、电气设备造成的效率损失、光伏电站内线损等能量损失、系统的可利用率等因素,其中估算温度对发电量的影响约占3~4%,则水面光伏温度的影响可按1~2%折算。再考虑反射率的影响,在地点、倾角等其他条件
成球状,使其接触角变大,疏水性增强,具备自清洁功能。此外,增加太阳光的入射率,减少反射率,也是提高效率的途径,飞蛾复眼光学减反原理在相关领域早有应用。借鉴自然界荷叶表面自清洁和飞蛾复眼光学减反原理与
的水滴总是收缩成球状,使其接触角变大,疏水性增强,具备自清洁功能。 此外,增加太阳光的入射率,减少反射率,也是提高效率的途径,飞蛾复眼光学减反原理在相关领域早有应用。借鉴自然界荷叶表面自清洁和飞蛾