原子

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炘皓新能源获颁TÜV南德首张UVID证书来源:TUV南德光伏检测认证 发布时间:2024-10-16 15:05:11

使得TOPCon电池氢化硅氮化物(SixNy:H)中的氢原子从硅-氢键中释放,导致钝化效果下降、载流子复合增加,影响电池的长期稳定性以及终端组件的发电效率。目前,行业内针对紫外诱导衰减 (UVID

华北电力大学李美成Angew:揭示和抑制晶面相关的离子迁移以提高钙钛矿太阳能电池的效率和稳定性来源:知光谷 发布时间:2024-09-19 10:01:20

离子迁移是阻碍钙钛矿太阳能电池(PSCs)长期稳定性的主要问题。作为金属卤化物钙钛矿材料的固有特性,离子迁移与原子排列和配位密切相关,这些是不同晶面的基本特征差异。在这里,华北电力大学李美成等人报道

法国国家太阳能研究所 INES & 3SUN 9 cm² 钙钛矿叠层电池光电转换效率达29.8%来源:ines 发布时间:2024-09-04 15:34:15

近日,法国国家太阳能研究所 (INES)(法国替代能源和原子能委员会 (CEA) 的一个部门)与 3SUN 宣布,其合作研发的 9 cm² 的钙钛矿/晶硅叠层光伏电池取得了29.8%的认证效率

新南威尔士大学Jae Sung Yun最新AM:卤化物钙钛矿太阳能电池的扫描探针显微镜来源:印刷钙钛矿光电器件 发布时间:2024-08-26 15:32:45

理解。包括原子力显微镜、Kelvin探针力显微镜、导电原子力显微镜、压电响应力显微镜和扫描近场光学显微镜,研究了钙钛矿材料的电学、光学和化学特性。这些研究不仅提高了对太阳能电池器件加工和合成的理解,而且与SPM研究紧密协同,推动了该领域的进步。

浙江大学薛晶晶&西湖大学王睿等最新Nature:用于钙钛矿太阳能电池的近融合多环芳烃分子接触来源:钙钛矿工厂 发布时间:2024-07-26 10:23:19

01、研究背景选择性接触分子已成为确保高效反式钙钛矿太阳能电池的关键组成部分。为了获得理想的载流子传输能力,这些分子大多由一个具有杂原子取代的共轭核组成。到目前为止,较为成功的共轭核的设计结构多限于
两个N-取代的π-共轭结构,如:咔唑以及三苯胺。并且,分子优化多围绕其衍生物进行。02、关键问题然而,由于这种杂原子取代结构会导致该类分子具有较差的稳定性,阻碍了电池器件寿命的进一步提高。因此,在

创新划片切割面钝化,理想晶延EPD设备——为光伏组件性能升级注入新动力来源:理想晶延 发布时间:2024-06-13 15:13:00

电池提效树立新里程碑,行业头部企业量产组件功率平均提升4W以上,最高可提升超5.9W。理想晶延EPD设备,采用空间型原子层沉积ALD技术沉积40-70nm氧化铝薄膜,可实现电池切割面良好覆盖,具有表面

韩国:计划到2038年实现70%的无碳发电来源:索比光伏网 发布时间:2024-06-03 16:16:28

5月31日,据韩国首尔路透社消息,韩国政府决定到2038年,发电量的70%将由可再生能源和原子能发电等不排放碳的能源供给。而在2023年,这一比率还不到40%。5月31日公布了未来15年的能源结构
总统提出了扩大可再生能源,减少对进口化石燃料的依赖度,同时重视原子能发电的方针。草案需要政府的最终批准。2022年年底的发电能力为134.5GW,2038年的目标是提高到157.8GW。该部预测,随着面向人工智能(AI)的数据中心和大规模半导体生产基地的扩大,能源消费将急剧增加。

深度探讨半切片钝化技术革新,2024年光伏装备技术创新大会来源:光伏网整理 发布时间:2024-05-31 15:09:44

的同时,还能降低电池的制造成本。半切片钝化技术的关键工艺钝化层的制备:钝化层的质量和均匀性直接影响电池的性能。目前,常用的钝化材料包括二氧化硅、氮化硅等,通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD

N型光伏设备企业喜报频传:通威、华晟、红太阳光电、润海新能源、极电光能、正泰新能、捷佳伟创、太阳井、帝尔激光、小牛、理想晶延、松煜科技、连城数控…来源:索比光伏网 发布时间:2024-05-29 09:39:32

TOPCon使用设备有:硼磷扩散炉、氧化退火炉、LPCVD、PECVD、ALD管式原子层沉积氧化铝、PECVD(SiNx、SiON)等。松煜科技团队将出席“2024光伏装备技术创新大会”并发表主题演讲:松煜科技

美国研发新型量子光伏电池材料平均光伏吸收率达80%来源:pv-magazine 发布时间:2024-04-15 16:58:01

:“在传统的光伏电池中,最高的外量子效率(EQE为100%,这代表从阳光中吸收的每个光子产生和收集一个电子。”在发表在《科学进展》杂志上的主题为《用于光伏应用的原子级厚度CuxGeSe/SnS量子材料的
(Ge)、硒(Se)和硫化锡(Sns)的异质结构组成,并将零价铜(Cu)原子插入在材料层中。CuxGeSe/SnS量子材料具有介于0.78eV和1.26eV之间的中间能带隙。利用这一点,研究人员设计并建模