单晶铸锭

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海润光伏50MW太阳能发电项目落户张家口来源:世纪新能源网 发布时间:2013-10-21 23:59:59

万吨。海润光伏科技股份有限公司自2004年成立以来,立足本业、快速发展,在光伏领域专业从事上游的单晶拉棒/多晶铸锭、切方、硅片切割等环节的生产。海润光伏旗下拥有江阴海润太阳能电力有限公司、奥特斯维能源

京运通:宁夏30MW光伏电站今年贡献2200万元来源: 发布时间:2013-10-19 09:03:59

在并网发电上仍存有一定的技术难点,但在政府明确执行年限和补贴价格后,光伏发电将成为京运通未来现金流的重要来源。京运通主营业务为单晶硅生长炉、多晶硅铸锭炉等光伏设备,以及硅棒、硅锭和硅片等光伏产品。

第二届英利技术创新博览会开幕来源:保定高新区网站 发布时间:2013-10-10 14:56:31

全员创新。 新型铸锭炉可生产1000KG-1200KG硅锭,出材率超过72%;导轮轴瓦更换工装,年可节约费用过百万;一种清洗边皮料的工装篮,以公司当前产能计算,每年可节约材料费用三千万
设计并改进二次加料装置。通过该装置可实现多次投料。目前已成功将单炉总投料量由120公斤拉制一根单晶棒提升至250公斤拉制两根单晶棒。所产晶棒均满足高效N型单晶电池的要求,年节约成本超过1000万元

勇立潮头歌大风:英利集团第二届技术创新博览会召开来源:solarbe 发布时间:2013-09-29 08:49:59

0.03-0.05元;单晶炉二次加料,年节约成本超过1000万元;新型铸锭炉可生产1000KG-1200KG硅锭,出材率超过72%;导轮轴瓦更换工装,年可节约费用过百万;改善晶棒尾部切斜方法,每台
已成功将单炉总投料量由120公斤拉制一根单晶棒提升至250公斤拉制两根单晶棒。所产晶棒均满足高效N型单晶电池的要求,年节约成本超过1000万元。面对节约成本高达千万的成果,技术中心乔松表现得很谦虚,他

英利:精打细算过出大好日子来源:经济日报 发布时间:2013-09-29 07:32:21

命名的类单晶硅制备技术是制造低成本、高效率晶体硅太阳能电池的关键技术,目前该项技术已获重大突破,申请了5项国家专利。这是英利继推出熊猫N型单晶硅高效电池之后的又一力作。 从上游硅原料到铸锭、切片

李振国:单晶硅的成本下降之路来源: 发布时间:2013-09-18 10:47:33

铸锭上面也是非硅方面的,不会产生负面的影响。所以从这个角度来说,我们认为这两个更适合去做铸锭。从整个未来的概念上来说,如果说多晶硅在30%的份额下面,在原料使用方面还是占有一定的优势,它可以消化单晶

工信部发布《光伏制造行业规范条件》来源:中国证券网 发布时间:2013-09-17 14:47:33

100 千瓦时/千克; 2.现有硅锭项目平均综合能耗小于 9 千瓦时/千克,新建和改扩建项目小于 7 千瓦时/千克;如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品,项目平均综合能耗的增加幅度不得超过
项目产品应满足以下要求: 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1 级品的要求; 2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于 2s,电阻率在 1-3。cm,碳、氧含量分别小于

20130917国家工信部-光伏制造业行业规范条件来源: 发布时间:2013-09-17 10:35:51

7 千瓦时/千克;如采用多晶铸锭炉生 产准单晶或高效多晶产品,项目平均综合能耗的增加幅度不 得超过 0.5 千瓦时/千克; 3.现有硅棒项目平均综合能耗小于 50 千瓦时/千克,新 建和改扩建项目
: 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》 (GB/T25074)1 级品 的要求; 2.多晶硅片 (含准单晶硅片) 少子寿命大于2s,电阻 率在 1-3.cm,碳、氧含量分别小于 16 和

光伏制造行业规范条件来源:工业和信息化部 发布时间:2013-09-16 23:59:59

综合能耗小于9 千瓦时/千克,新建和改扩建项目小于7 千瓦时/千克;如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品,项目平均综合能耗的增加幅度不得超过0.5 千瓦时/千克;3.现有硅棒项目平均综合能耗小于50
:1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1 级品的要求;2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于16 和18PPMA;单晶硅片少子寿命

工信部《光伏制造行业规范条件》来源: 发布时间:2013-09-16 16:45:34

;如采用多晶铸锭炉生 产准单晶或高效多晶产品,项目平均综合能耗的增加幅度不 得超过 0.5 千瓦时/千克; 3.现有硅棒项目平均综合能耗小于 50 千瓦时/千克,新 建和改扩建项目小于 45
多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于 2s,电阻 率在 1-3.cm,碳、氧含量分别小于 16 和 18PPMA;单晶硅3 片少子寿命大于 10s,电阻率在 1-3.cm,碳、氧含量分 别小于 10