单晶铸锭

电池成本居高不下，人们想尽一切办法扩大晶体产量，最有效的方法就是扩大硅料生长的炉体空间，在直拉单晶炉技术瓶颈未解的情况下，开始尝试浇铸工艺和定向凝固工艺制造晶体硅，多晶铸锭应运而生，然而它的晶体结构始终是无数
单晶颗粒的拼接状态，高位错密度、高杂质含量的特征使得多晶电池转换效率无论如何也达不到单晶电池的水平。其后20年时间内，人们不断改良多晶铸锭工艺，提高单晶颗粒在铸锭中的面积比例以降低位错密度，降低杂质含量

电池成本居高不下，人们想尽一切办法扩大晶体产量，最有效的方法就是扩大硅料生长的炉体空间，在直拉单晶炉技术瓶颈未解的情况下，开始尝试浇铸工艺和定向凝固工艺制造晶体硅，多晶铸锭应运而生，然而它的晶体结构始终是无数
单晶颗粒的拼接状态，高位错密度、高杂质含量的特征使得多晶电池转换效率无论如何也达不到单晶电池的水平。其后20年时间内，人们不断改良多晶铸锭工艺，提高单晶颗粒在铸锭中的面积比例以降低位错密度，降低杂质

扩大 技术进步仍将是产业发展的主题。硅烷流化床法多晶硅生产工艺有望实现产业化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC
电池、N型电池有望实现规模化生产。预计产业化生产的多晶硅电池转换效率将超过18%，单晶硅电池有望达到20%，主流组件产品功率将达到260~265W。 随着市场拉动以及高效晶硅技术方面

和2015年电站实现净利润大约为3.61亿、11.56亿元，贡献EPS为0.28、0.63。 8寸区熔单晶和IGBT功率器件是半导体业务看点。公司区熔单晶的行业龙头地位稳固，市占率超70%,盈利
能力稳定，公司已成为国内唯一一家（全球第二家）实现8英寸区熔单晶量产的企业，随着半导体芯片向大直径方向发展，未来产品的推广有望成为公司新的利润增长点。公司半导体器件由于折旧成本较高，盈利能力较差，公司

术进步仍将是产业发展的主题。硅烷流化床法多晶硅生产工艺有望实现产业化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC电池、N型电池有望实现规模化
17.8%，单晶硅电池平均转换效率达到19.3%，处于全球领先水平。在高效电池研发与生产上，多次印刷、PERC技术、HIT技术、IBC技术、MWT技术、黑硅技术等已在使用或着手研发，部分企业生产的N型电池

做技术的人员非常清楚，无论是位错密度还是杂质含量，单晶都好于多晶的水平。直拉单晶硅的晶体品质优于铸锭多晶，决定了单晶电池转换效率优势。而在电站质量方面，超过30年发电实践，单晶是唯一经受长期验证的

做技术的人员非常清楚，无论是位错密度还是杂质含量，单晶都好于多晶的水平。直拉单晶硅的晶体品质优于铸锭多晶，决定了单晶电池转换效率优势。而在电站质量方面，超过30年发电实践，单晶是唯一经受长期验证的

，其中单晶生长炉销售81台同比下降69.32％；多晶铸锭炉销售13台同比下降68.29％。销量下降导致收入下降65.17％，在费用相对刚性的情况下，净利润同比下滑75％。报告期内公司深化与重点客户合作，对
长197.31％，净利润同比下降14.67％，降幅明显下降，环比则增91.45％，均验证公司景气复苏的趋势。区熔炉研制已获突破，静待大单带动业绩增长。2013年公司成功研制直拉区熔单晶炉，拉晶速度较传统设备提高

99.99999999%(一二九)的原料的纯度降低至99.9999%(六九)。此外，由于原料需要通过熔融固化过程来加入掺杂原子，而坩埚壁或铸锭炉本身上所带有的其他杂质元素也会通过这一过程渗入。因此
，单晶或多晶硅片中的杂质浓度通常会将材料的纯度降至五个九的级别。因此，纯度并不一定是一项相关质量标准。那为什么要去使用昂贵的高纯度原料呢？在2007-2009年之间欧洲出现的安装潮期间，原料制造商和