单晶硅电池效率

1 .26G W，在建的太阳能热发电站超过2 .24G W，年平均效率超过12%。　　布局三大技术研发　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率
20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备

%。　　布局三大技术研发《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。在关键指标设计上，《规划》明确到2015
年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权

索比光伏网讯:单晶硅由于其本身内部完整的晶体结构，其光伏电池效率明显高于多晶硅电池。然而，单晶硅内部杂质和晶体缺陷的存在会严重影响太阳能光伏电池的效率，比如：(a)光照条件下B-O复合体的产生会导致

　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。 　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅
材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成“交钥匙”工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜

晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。 　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30
%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10

"规划的总体目标。 　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上，碲化镉、铜铟镓硒薄膜电池实现商业化应用
材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成"交钥匙"工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜

。《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上，碲化镉、铜铟镓硒薄膜电池实现商业化应用，装机成本1.2万-1.3
50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。为保证《规划》顺利

包括产业联盟、平台基地、人才机制、标准规范和政策法规的可持续发展支撑体系。（三）规划目标十二五期间，实现光伏技术的全面突破，促进太阳能发电的规模化应用，晶硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10
能力；（3）单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%；（4）突破100MW级并网光伏电站、100MW级城镇多点接入生态居住小区光伏系统技术、10MW

资料显示，我国连续5年光伏产业的产能产量都是世界第一。目前，我国单晶硅电池实验室最高效率20.4%，多晶硅电池效率17.5%。薄膜电池开始产业化，硅基薄膜组件效率9%，碲化镉组件中试效率8

意大利Silfab股份公司与康斯坦兹国际太阳能研究中心(ISCKonstanz)日前成功使用商业尺寸单晶硅片研制出效率达到21%的交错背接触(IBC)太阳能电池。双方自去年夏天起就开始
共同开发“斑马”交错背接触技术，据称这一技术有潜力将太阳能电池的效率提升至24%以上。 “斑马”背接触电池使用156×156mmn型单晶硅片(Cz)，由于p-n结和电极连接均在电池背面，这一