单晶硅电池效率

。 不符合标准不享受扶持政策 此次工信部出台的《光伏制造业规范条件》，针对光伏硅片、电池组件等制造业各环节在生产规模、电池效率、能耗以及使用寿命等方面均进行了明确规定，未来不符合这些条件的新建或
光伏制造企业及项目产品，多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率需分别不低于16%和17%；新建和改扩建企业及项目产品，则需分别不低于18%和20%； 按照规范条件要求，今后，不符合标准的企业及项目

，1954年研制成效率达6%的单晶硅太阳电池，1958年太阳电池应用于卫星供电。在70年代以前，由于太阳电池效率低，售价昂贵，主要应用在空间。70年代以后，对太阳电池材料、结构和工艺进行了广泛研究，在提高效率
和降低成本方面取得较大进展，地面应用规模逐渐扩大，但从大规模利用太阳能而言，与常规发电相比，成本仍然大高。 目前，世界上太阳电池的实验室效率最高水平为：单晶硅电池24%（4cm2），多晶硅电池

，包括了晶体硅电池、薄膜电池以及其他材料电池。其中硅电池又分为单晶电池、多晶电池和无定形硅薄膜电池等。 对于太阳能电池而言，最重要的参数是光电转换效率，在实验室所研发的硅基太阳能电池中，单晶硅电池效率
）的独立认证，并已成为156P-型单晶硅电池片的业界新标杆。这是继晶澳太阳能近期宣布公司多晶硅电池效率创新高后的又一重大突破，晶澳计划在未来6个月将这一新技术运用于其高效电池及组件的规模化量产

降低成本的各种研究开发工作取得显著成就，表现在晶硅原材料制备技术取得巨大突破，硅片厚度持续降低、电池效率不断提升等方面，在短短几年时间，光伏发电成本下降幅度远超市场预期。首先，硅片厚度持续降低。降低硅片
了重要作用。目前，国内优秀企业电池片厚度已达到国际先进水平180微米。在不提高碎片率的前提下，如果太阳电池厚度从180微米降到160微米，太阳电池硅用量可减少10%，组件成本可下降6%。其次，电池效率

降低成本的各种研究开发工作取得显著成就，表现在晶硅原材料制备技术取得巨大突破，硅片厚度持续降低、电池效率不断提升等方面，在短短几年时间，光伏发电成本下降幅度远超市场预期。首先，硅片厚度持续降低。降低硅片
了重要作用。目前，国内优秀企业电池片厚度已达到国际先进水平180微米。在不提高碎片率的前提下，如果太阳电池厚度从180微米降到160微米，太阳电池硅用量可减少10%，组件成本可下降6%。其次，电池效率

。 　　同样，多晶硅电池、单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%，多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%，其实也只是入门级的标准。就目前的市场来看
最终销声匿迹。 　　对于新建和改扩建企业，多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18%和20%、多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%。对于多晶硅电池来说

第一个单晶硅太阳能电池问世，在1960年太阳能电池首次实现并网运行。1978年美国建成100KW光伏电站，随后太阳能效率不断提高，其中1980年单晶硅太阳能电池效率达到20%，多晶硅为14.5
160微米，太阳电池硅用量可减少10%，组件成本可下降6%。 其次，电池效率不断提高。单晶硅电池的实验室效率已经从20世纪50年代的6%提高到目前的25%，多晶硅电池的实验室效率达到了20.3

为单晶电池、多晶电池和无定形硅薄膜电池等。对于太阳能电池而言，最重要的参数是转换效率，在实验室所研发的硅基太阳能电池中，单晶硅电池效率为25.0%，多晶硅电池效率为20.4%，CIGS薄膜电池效率达19.6

（1959年~1994年）： 1959年第一个单晶硅太阳能电池问世，在1960年太阳能电池首次实现并网运行。1978年美国建成100KW光伏电站，随后太阳能效率不断提高，其中1980年单晶硅
太阳能电池效率达到20%，多晶硅为14.5%。 成长期（1994年~2007年）： 在1994年~2004年这十年时，全球太阳能电池产量增长了17倍，近5年平均增长率超过50%。而在2004年后

光伏技术路线进行了详细梳理。中环股份历史上是半导体企业，在技术方面有历史积淀，公司的单晶硅N型片产业化转换率达到22%~24%，国内产业化单晶硅N型片转换率不超过20%，从制造成本角度看，电池效率每提升