单晶硅叠层
11.4%，稳定效率达10.2%，产品效率达7%-8%。
国际公认非晶硅/微晶硅叠层太阳能电池是硅基薄膜电池的下一代技术，是实现高效低成本薄膜太阳能电池的重要技术途径，是薄膜电池新的产业化方向
。2005年日本三菱重工和钟渊化学公司的非晶硅/微晶硅叠层电池组件样品效率分别达到11.1%(40cm×50cm)和13.5% (91cm×45cm)。日本夏普公司2007年9月实现非晶硅/微晶硅叠层
数量级，可能发展为叠层钝化膜，如SiO2-SiNx、a-Si-SiNx等。 光衰减效应的研究是维持电池稳定、高效的前提。目前对这方面的研究主要还是基于体材料内部B-O复合体来开展，进一步的
质量有很高要求，量产效率可达19%～20%。 2.HIT(非晶硅锗混合型异质结)电池：由日本三洋公司研发，以高质量超薄非晶硅层包裹在单晶硅外表面来降低表面复合而形成的异质结电池，研发
光伏生产商。 新罕布什尔州的Spire Semiconductor公司计划设计三结叠层太阳能电池，通过在砷化镓基板上生长不同的双面单元来实现。这家公司获得了297万美元的资助，用来优化器件层的
内硅薄膜太阳电池的产品技术将会有所突破。预计到2009年，采用“非晶硅+微晶硅”技术的叠层薄膜电池的光电转换效率将达到10%，而组件的成本将低于1美元/瓦。 企业投资力度迅速加大 基于近年对
单晶硅大一个数量级，使得非晶硅太阳电池无论在理论上和实际使用中都对低光强有较好的适应。越来越多的实践数据也表明，当峰值功率相同时，在晴天直射强光和阴雨天弱散射光环境下，非晶硅太阳能电池板的比功率发电量均
美元／Wp左右，光电系统成本约为7~9美元/Wp对于非晶硅太阳能电池由于其稳定性问题长期得不到解决，一度曾放慢了开发速度。然而近来由于引入了引C之类的功能材料和研制成了叠层非晶硅电池，其稳定性得到
，还有CaAs太阳能电池、CdTe太阳能电池和CuInSe2（CIS）太阳能电池等。单晶硅太阳能电池组件的平均效率己达到3％一15%,实验室最高效率已达到2个4％（澳大利亚新南威尔士大学）。多晶硅
美元／Wp左右，光电系统成本约为7~9美元/Wp对于非晶硅太阳能电池由于其稳定性问题长期得不到解决，一度曾放慢了开发速度。然而近来由于引入了引C之类的功能材料和研制成了叠层非晶硅电池，其稳定性得到了显著
，还有CaAs太阳能电池、CdTe太阳能电池和CuInSe2（CIS）太阳能电池等。单晶硅太阳能电池组件的平均效率己达到3％一15%,实验室最高效率已达到2个4％（澳大利亚新南威尔士大学）。多晶硅
美元／Wp左右，光电系统成本约为7~9美元/Wp对于非晶硅太阳能电池由于其稳定性问题长期得不到解决，一度曾放慢了开发速度。然而近来由于引入了引C之类的功能材料和研制成了叠层非晶硅电池，其稳定性得到了显著
，还有CaAs太阳能电池、CdTe太阳能电池和CuInSe2（CIS）太阳能电池等。单晶硅太阳能电池组件的平均效率己达到3％一15%,实验室最高效率已达到2个4％（澳大利亚新南威尔士大学）。多晶硅
概念的单晶硅衬底上，电池的效率提高到13.8%，填充因子达到77.8%，这表明使用重组织多孔硅叠层不存在电导问题。而在低质量的硅衬底上获得的实验结果略低，效率是13.5%，填充因子为77.7%。对于
太阳能电池更少的使用硅材料，成本低，便于大规模生产，而且近期在转换效率方面也有较大突破：最优技术下的第一、三叠层结构非晶硅太阳能电池转换效率达到了13%，缩小了与多晶硅电池在转换效率上的差距。因此，在硅材料
领域。太阳能电池是光伏发电系统中的关键部分，包括硅系太阳电池(单晶硅、多晶硅、非晶硅电池)和非硅系太阳能电池等。多晶硅薄膜电池由于所使用的硅材料较少，又无效率衰退问题，并且可以在廉价衬底材料上制备，其
电沉积叠层结构再硒处理 按上述方法在衬底上先沉积一层Cu，然后再沉积一层In，形成叠层结构，即In／Cu／MO／玻璃结构，然后硒处理。也可以沉积各种各样的多层结构，如In／C
