单晶生长

太阳电池、多晶硅单晶硅原材料、光伏幕墙玻璃、超声波清洗设备、太阳能车、激光划片机、检测设备、各种烧结炉、生长炉；光伏发电互补系统； ◆ 太阳能光电产品：太阳能路灯、草坪灯、庭院灯、航标灯、农用杀虫灯

关键设备——硅单晶生长设备发挥了至关重要的作用，对行业发展做出了非常显著的贡献。 国产设备销量直线上升 近三年，国产太阳能硅单晶生长设备的销售量直线上升，从2004年的8000万元到2006年3.5

)与国外尚有差距。 　　全自动丝网印刷机在核心技术上无法取得突破，整体水平和国外差距较大，国内生产线几乎全部采用了价格高昂的进口设备。 　　材料生长设备中的单晶炉在技术性能上虽然与国际先进水平有差距

/a-Si:H进行退火处理以使a-Si薄膜晶化，晶化温度可低于500℃。但由于存在金属污染未能在TFT中应用。随后发现Ni横向诱导晶化可以避免孪晶产生，镍硅化合物的晶格常数与单晶硅相近、低互溶性和适当
与薄膜厚度有关。 金属诱导非晶硅晶化法制备多晶硅薄膜具有均匀性高、成本低、相连金属掩蔽区以外的非晶硅也可以被晶化、生长温度在500℃。但是MILC目前它的晶化速率仍然不高，并且随着热处理时间

多晶硅薄膜材料同时具有单晶硅材料的高迁移率及非晶硅材料的可大面积、低成本制备的优点。因此，对于多晶硅薄膜材料的研究越来越引起人们的关注，多晶硅薄膜的制备工艺可分为两大类：一类是高温工艺，制备过程中
： 低压化学气相沉积（LPCVD） 这是一种直接生成多晶硅的方法。LPCVD是集成电路中所用多晶硅薄膜的制备中普遍采用的标准方法，具有生长速度快，成膜致密、均匀、装片容量大等特点。多晶硅

程度(自动装卸片)与国外尚有差距。 　　全自动丝网印刷机在核心技术上无法取得突破，整体水平和国外差距较大，国内生产线几乎全部采用了价格高昂的进口设备。 　　材料生长设备中的单晶炉在技术性能上虽然与国

环节的主要技术流程包括铸锭(或单晶生长)、切方滚磨、用多线切割机切片、化学腐蚀抛光，其中铸锭(或单晶生长)环节属于高能耗，切割机等的投资规模相对较大，具有工艺、资金方面的壁垒。在这个环节中Sharp

，打乱植物的生长规律；此外，由于太阳能照明的电压最高仅为20多伏，不会对人造成伤害。 　　目前，湖北光伏中心的太阳能灯已在全国100多个项目中得到使用。湖北省另一家制造太阳能产品的公司——武汉珈伟科技
，最大的缺点是能流密度低；强度受季节、地点、气候等的影响而不能维持常量。人类对太阳能的认识和利用虽然很早，却一直受制于这两大“瓶颈”。 　　1954年，美国研制出实用型单晶硅电池；1955年，以色列

　　阅读提示 　　单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在核心技术缺乏的问题，高端产品均为国外公司所

设计要求，此后随着该生产线装备的多台还原炉的循环运行和稳定生长，多对棒、大直径产品将陆续出炉，标志着该工程由投产、试生产直接转入稳定生产阶段。截止6月11日，该生产线已经生产合格多晶硅10余吨
。 洛阳中硅高科技有限公司由中冶集团中国恩菲工程技术有限公司、洛阳单晶硅有限责任公司、中冶集团中国有色工程设计研究总院、偃师金丰投资管理有限公司合资组建，中冶恩菲绝对控股。年产1000吨多晶硅扩建项目由中冶