单晶生长

会议指出，CZ法只生长电阻率25欧姆一厘米以下的晶体。最近，电阻率高达70欧姆一厘米的单晶，也可用CZ法生长。 MCZ工艺的出现，为制备高阻硅单晶闯出一条新路，其电阻率可达400欧姆一厘米。用光电导衰减

石英柑祸壁的反应速率，增大氧官集层的厚度，以达到控制含氧量的目的。与常规CZ单晶相比，最低氧浓度可降低一个数量级; 3.有效地咸少或消除杂质的微分凝效应，使各种杂质分布均匀，减少生长
微米/秒的拉速生长了直径76毫米的无位错硅单晶。掺杂剂分别为硼、磷和锑。晶体的生长方向为100和(111。他们发现，施加至少1500高斯的磁场，就能显著地抑制熔融硅的热对流和温度波动。用Dash法腐蚀

，以新的面目出现在半导体硅工业中，显现其独特的优点。1982年，Keigo Hoshikawa在轴对称垂直磁场中，生长了无条纹的CZ硅单晶。目前有几个公司正在研究和应用这个方面。据报道，索尼公司应用
MCZ法生长硅单晶，已进入实用阶段。 利用磁场进行晶体生长研究的历史如表1所示。 四、设备 近年来出现的MCZ法是一种很有前途的方法。 MCZ法又可细分

小于38PPma;就可减少这种有害作用。 在CZ晶体的生长期间，由于熔体存在着热对流，使微量杂质分布不均匀，形成生长条纹。因此，在拉晶过程中，如何抑制熔体的热对流和温度波动，一直是单晶生产厂家

集成电路与太阳能用单晶硅生长设备，在我国首次研制成功。 单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在

德国Schmid Group 史少武/张永安 自动化大规模生产太阳电池的技术 17:00-17:20 西安华德晶体生长设备公司 邱宗明 教授 CZ硅单晶生长技术与设备 17

　　目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率

，半导体在国民经济各领域中的应用更加广泛。单晶硅片按使用性质可分为两大类：生产用硅片；测试用硅片。 　　半导体元件所使用的单晶硅片系采用多晶硅原料再经由单晶生长技术所生产出来的。多晶硅所使用的原材料

各种养分，供人们食用，产生纤维质供人们做衣服，生长木材给我们建筑房屋以外，太阳的光还可以通过太阳能电池转变为电。太阳能电池是一种近年发展起来的新型的电池。太阳能电池是利用光电转换原理使太阳的辐射光通
越来越重要的位置。 　　目前可生产的太阳能电池主要有多晶硅太阳能电池、单晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池和多晶薄膜与薄膜太阳能电池。 　　严峻的晶硅短缺使越来越多的晶硅太阳能电池生产设备处于停产

坚实的基础，进而赶超世界先进水平。我们在薄膜太阳电池研究方面主要进行ＣＶＤ法和ＰＥＣＶＤ法研究。在ＣＶＤ方法的研究方面，我们自行设计加工了一台ＣＶＤ设备，并开展了生长单晶硅和多晶硅薄膜的研究。在重掺
单晶硅衬底上用ＣＶＤ法外延生长得到２０ＵＭ的硅薄膜，在生长的同时掺入硼，使得硅薄膜成Ｐ型。再通过磷扩散在薄膜上形成Ｐ－Ｎ。在电池的正表面生长一层１１０ＮＭ的ＳＩＯ２膜，该膜具有减反射和表面钝化的双重