单晶生长

　　1月14日，中电科技集团第48研究所推出以多晶硅铸锭炉为代表的多种具有自主知识产权的新一代太阳能光伏装备产品。　　记者了解到，该系列多晶硅铸锭炉一次可铸锭240kg-270kg，晶体生长速率、炉
、PECVD、刻蚀机、高低温烧结炉、清洗机、单晶炉、铸锭炉等光伏装备和产品，以最快的建设速度、几乎全国产化的自有装备建成了75MW太阳能电池生产线。现在，国内的每一条太阳能电池生产线，都可看到48所的产品

。 基于晶体硅(单晶硅和多晶硅)的太阳能电池由于发展历史较早且技术比较成熟，在装机容量一直占据领先地位。尽管技术进步和市场扩大使其成本不断下降，但由于材料和工艺的限制，晶体硅太阳能电池进一步降低成本的空间
涉及以下几个方面：非晶硅光致退化机理和稳定性改进；薄膜多晶硅低温成核及晶化机理；微晶硅生长机制、结构控制及电性能调制；特定光伏薄膜材料，特别是纳米技术微结构与光伏性能及制备新技术的研究，拓宽光谱响应的

坑。在进行颗粒测量时误将小坑也作粒子计入。小坑的形成是由单晶缺陷引起，因此称这类粒子为COP（晶体的原生粒子缺陷）。据介绍直径200 mm 硅片按SEMI要求：256兆 ≥ 0.13 μm，＜10个
Cu离子从带负电位的Cu粒子核 得到电子析出金属Cu，Cu粒子状这样生长起来。Cu下面的Si一面供给与Cu的附着相平衡的电子，一面生成SiO2。⑥ 在硅片表面形成的SiO2，在DHF清洗后被腐蚀成小坑

ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件

，形成n型硅半导体。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。 单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其

更容易在 现有工艺线上实现。 　　第二种是基于层转移（layer transfer）的薄膜太阳能电池技术，它在多孔硅薄膜上外延淀积单晶硅层，从而可以在工艺中的某一点将单晶硅层从衬底上分离
高质量的多晶硅太阳能电池。这种工艺可以获得平均晶粒尺寸约为5 mm的很薄的多晶硅层。接着利用生长速率超过1 mm/min的高温CVD技术，将种子层外延生长成几微米厚的吸收层，衬底为陶瓷氧化铝或玻璃陶瓷

技术流程包括铸锭(或单晶生长)、切方滚磨、用多线切割机切片、化学腐蚀抛光，其中铸锭(或单晶生长)环节属于高能耗，切割机等的投资规模相对较大，具有工艺、资金方面的壁垒。在这个环节中Sharp

。这一环节的主要技术流程包括铸锭(或单晶生长)、切方滚磨、用多线切割机切片、化学腐蚀抛光，其中铸锭(或单晶生长)环节属于高能耗，切割机等的投资规模相对较大，具有工艺、资金方面的壁垒。在这个环节中

、太阳能发电系统设备、太阳能转换设备、硅太阳能电池、燃料电池、薄膜太阳能电池、多晶硅单晶硅原材料、电池板切割机、光伏幕墙玻璃、超声波清洗设备、各种烧结炉、生长炉、光伏发电互补系统、检测设备、光伏制氢系统等

系统及光伏输配电器材等；光伏电源/电池、充电器、控制器、逆变器、太阳能发电系统设备、太阳能转换设备、硅太阳能电池、燃料电池、薄膜太阳能电池、多晶硅单晶硅原材料、电池板切割机、光伏幕墙玻璃、超声波清洗设备
、各种烧结炉、生长炉、光伏发电互补系统、检测设备、光伏制氢系统等； u 太阳能热利用产品：太阳能外墙及屋顶组件、测量及控制系统、太阳能系统控制软件等； u 太阳能工程应用：光伏发电