单晶拉晶

太阳能产业竞争已经加剧，目前全国拉晶企业已经有48家，太阳能电池企业已经达到20家，太阳能电池组件企业300多家。 记者：应对这些挑战最核心的东西是什么呢？ 靳保芳：一个是核心技术，一个是价格。最终
企业”，我们要卖最好的价钱；经营无形资产，最终体现在自有技术和品牌上，我们卖单晶炉技术，就赢得了相应的股份。有形资产越分越少，无形资产则是越分越多。 记者：新理念下，晶龙如何去实现这种预期呢

单晶硅硅片几乎是多晶硅硅片的2.7倍，出现这种情况的原因主要是国内从事单晶硅硅片的企业远多于多晶硅硅片，而且单晶硅拉晶炉国产设备成熟，容易上线生产，而多晶硅铸锭炉必须进口，价格昂贵。 但是这种情况到

是国内从事单晶硅硅片的企业远多于多晶硅硅片，而且单晶硅拉晶炉国产设备成熟，容易上线生产，而多晶硅铸锭炉必须进口，价格昂贵。 但是这种情况到2012年将会改变，根据《2007

基地项目总投资二亿元，从拉单晶(或晶浇铸)开始到电池制作，将建成国内最为完整的二十五兆瓦光伏电池产业链，该项目今年投建并产出单晶产品，二00八年全面投产。其技术研发中心将建设成为国家级研发中心

专项规划之中。 　　在泉州(南安)光电信息产业基地一期工程中，三晶硅品精制有限公司25MW(兆瓦)太阳能电池实验基地和高新技术企业孵化基地建设备受瞩目。从拉单晶(或多晶浇铸)开始到电池制作，将建成国内
产业链，泉州市光电产业初显良好的势头。在南安发展光伏产业，可形成从硅材料提纯、硅晶光伏电池到光伏发电、光伏应用的完整产业链；三是具有产业集群发展的经济和人文优势。南安民营经济发达，经济实力雄厚，民间

微米/秒的拉速生长了直径76毫米的无位错硅单晶。掺杂剂分别为硼、磷和锑。晶体的生长方向为100和(111。他们发现，施加至少1500高斯的磁场，就能显著地抑制熔融硅的热对流和温度波动。用Dash法腐蚀
不均匀性来说，MCZ硅可与NTD硅媲美。 日本电信电话公社武藏野电气通信研究所星川采用VMCiZ设备，从3.5公斤的熔融硅中生长出直径80毫米的单晶。掺杂剂为磷，晶向100，电阻率2

坩埚软化点低、寿命短、易下陷，单晶一旦断苞，几次回熔后很难再长出单晶。此外，石英坩埚下陷后，石墨坩埚裸露，引起碳含量超标。国产坩埚内表面气泡多，杂质点、斑点多，拉晶过程中脱落下的石英砂容易使单晶断苞

　　单晶硅棒品质规格： 单晶硅棒的主要技术参数 型号 P型或A型 晶向 111100 电阻率
。 　　（2）加工工艺知识 　　多晶硅加工成单晶硅棒： 　　多晶硅长晶法即长成单晶硅棒法有二种： 　　CZ（Czochralski）法 　　FZ（Float-Zone Technique）法

两倍还多，如表2所示。单晶硅太阳电池的平均效率为15%，澳大利亚新南威尔士大学的实验室效率已达24.4%；多晶硅太阳电池效率也达14%，实验室最大效率为19.8%；非晶硅太阳电池的稳定效率，单结6～9
)42.047.054.058.261.070.781.090.612 表3商品化光伏直流组件效率预测(%) 电池技术199019952000 2010 单晶硅12151822 浇铸多晶硅11141620 带状硅12141721

太阳电池发电，与常规能源竞争。 70年代曾发生过有名的能源危机，这种背景催促科学家把对a-Si材料的一般性研究转向廉价太阳电池应用技术创新，这种创新实际上又是非晶半导体向晶体半导体的第三次挑战
材料第一次在光电子器件领域崭露头角是在1950年。当时人们在寻找适用于电视摄像管和复印设备用的光电导材料时找到了无定形硒（a一Se）和无定形三硫化锑（a一SbS3）。当时还不存在非晶材料的概念及有关的