单晶坩埚
。 M C Z硅单晶中，由于含氧量得到控制，因而形成氧化物沉淀的几率减小，堆垛层错和片子翘曲变形等也相应变小。在制造LSI和VLSI工艺中，这种高质量的单晶比常规CZ单晶更胜‘筹。这一点已在素尼公司
一、引言
近年来，半导体硅工艺中，出现了一种令人注目的新工艺—外加磁场直拉(MCZ)法〔l〕。它给硅材料工业带来一大变革。
半导体工业所用的硅单晶，几乎90%是用
浓度。氧在硅晶体内的分布是不均匀的:沿晶体轴向，头部浓度最高，尾部浓度最低;沿晶体径向，中间浓度高，边缘浓度低。直拉‘硅单晶中氧起着有益的和有害的两种作用。’从有益方面来说，由于钉扎位错，增强了硅晶格
保证。由于缺乏测试手段，任何一个环节的差错都可能是灾难性的，这也是单晶厂家对使用国产坩埚缺乏信心的原因。
在质量控制方面，国外大公司有更严格的质量体系保证，人员受到严格的培训，生产过程受
上升，同时也为石英坩埚生产厂家带来了巨大商机。打破进口坩埚在大规模集成电路级的，垄断，需要单晶生产厂和石英坩埚厂家的共同努力。对石英坩埚生产厂家来说，加强管理、提升品质，显得更为重要，产品本身不好即使
直拉法生产硅单晶，必须使用石英坩埚。石英坩埚按生产的硅单晶的级别分类有电子级和太阳能级，而电子级又根据产品的类别对石英坩埚有不同的要求。多年来通过石英坩埚及硅材料厂家的相互配合与支持，石英坩埚的
石英坩埚内溶化而成的料。 重掺料主要用于生产低电阻率（电阻率＜0.011欧姆／厘米）的硅片。 损耗：单晶拉制完毕后的埚底料约15％。 单晶硅棒整形过程中的头尾料约20％。 单晶整形
个9）熔融于石英坩埚中，然后把晶种插入液面，以每分钟2~20转的速率旋转，同时以每分钟0.3~10毫米的速度缓慢的往上拉引，如此即可形成一直径4~8吋单晶硅碇，此制作方法称为柴氏长晶法
，如附图1。
二、太阳能电池分非晶、单晶及多晶三种：二、太阳能电池分非晶、单晶及多晶三种：
（一）单晶硅的组成原子均按照一定的规则，周期性地排列，它的制作方法是把硅金属（纯度为
。合资不能失去国格、人格。我们并没有把自己绑在松宫这一辆马车上，除了单晶硅生产这个主业外，又投入资金建立了晶隆半导体厂、高纯度石墨件、石英坩埚、单晶硅炉以及相关的配置生产企业，极大地增强了自身的生命力
