区熔

。目前峨半厂已经攻克了多晶硅生产的“改良西门子法”中的四项核心技术，使我国多晶硅生产技术跨入世界先进水平；在国内率先研制出Φ4″区熔硅单晶，并已建成年产15吨Φ4″-5″区熔硅单晶生产线；研发出纯度为

ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件

，形成n型硅半导体。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。

东莞南玻太阳能玻璃有限公司系南玻集团控股子公司，公司成立于2005年10月，座落在东莞市麻涌镇，“东靠市区，西接广州，南依虎门港”位于珠江三角，“广深港”经济走廊的中部，与广州经济技术开发区一
桥之隔。镇内还有华南地区最大的内陆港口“新沙港”，交通便利，具有极其优越的地理位置。 公司太阳能玻璃生产线日熔量为250吨，年产能达到1000万平方米，已于2006年10月28日顺利点火

生长晶体时，可用磁场来获得高质量的InSb晶体。1970年，Witt等人提出横向磁场中生长直拉InSb晶体的报告。尔后，熔体的温度波动和设备的机械振动等问题难于解决，人们对MCZ法是否具有实用意义提出
为外加横向磁场直拉(TMCZ)法和外加垂直磁场直拉(VMCZ)法两种。.据H.C.Gatos说，只要对硅熔体施加磁场，就起到增大粘滞度的目的，从而抑制了对流，使生长条纹有所减少。而且，TMCZ和

12.9亿元，预计2006年底投入运行。项目建成后，年生产能力为直拉单晶用料900吨，区熔单晶用料200吨，太阳能电池用料150吨。 11、Topsil Semiconductor Materials

多晶硅膜。可以看出，这种ＣＶＤ法制备多晶硅薄膜太阳电池的关键是寻找一种较好的再结晶技术。到目前为止，再结晶技术主要有以下几种： （１）固相晶化（ＬＡＲ）法 （２）区熔再结晶（ＺＭＲ）法 （３
）激光再结晶（ＬＭＣ）法 固相晶化法需对非晶硅薄膜进行整体加热，温度要求达到１４１４℃的硅的熔化点。该法的缺点是整体温度较高，晶粒取向散乱，不易形成柱状结晶。区熔再结晶法需将非晶硅整体加热至一定

通用外延生长设备，生长温度为300C-900C，生长速率为0.2m-2m／min，厚度为0.5m-100m。外延层的形貌决定于结晶条件，并可直接获得具有绒面织构表面的外延层。 4．1．2 区熔
再结晶法（ZMR法） 在硅（或其它廉价衬底材料上）形成SiO，层，用Lp-CVD法在其上沉积硅层（3m-5m，晶粒尺寸为0.01-0.m），将该层进行区熔再结晶（ZMR）形成多晶硅层

包履石墨为衬底，用快速热化学气相沉积（RTCVD）技术沉积多晶硅薄膜，硅膜经过区熔再结晶（ZMR）后制备太阳电池，两种衬底的电池效率分别达到9．3％和11％。 北京市太阳能研究所自1996年开始
Si球表面上原位沉积出Si。此法沉积出的Si粉未颗粒只有十分之几毫米，可用作CZ直拉单晶的投炉料或直接制造Si带。 拉制单晶有CZ法（柑祸拉制）和区熔法两种。CZ法因使用石英柑蜗而不可避免地引入

14500吨。 　　世创电子材料是超纯硅晶片市场的全球领先者。其产品组合包括直拉单晶硅、区熔单晶硅、200毫米、300毫米抛光晶片和外延晶片等领域。作为中国半导体支撑材料业的供应商之一，世创电子材料也提供