区熔

的自主研发、制造及销售的高新技术企业。公司主要产品有全自动单晶硅生长 炉、多晶硅铸锭炉以及单晶硅生长炉控制系统，并承担了国家 02 专项8 英寸 区熔硅单晶炉国产设备研制项目，产品技术处于国内领先

多晶硅锭4.晶体生长硅原料熔化结束后，降低加热功率，使适应坩埚的温度降至1420-1440℃硅熔点左右。然后石英坩埚逐渐向下移动，或者隔热装置逐渐上升，使得石英坩埚慢慢脱离加热区，与周围形成热交换
；同时，冷却板通水，使熔体的温度自底部开始降低，晶体硅首先在底部形成，生长过程中固液界面始终保持与水平面平行，直至晶体生长完成，该过程约要20-22h。5.退火晶体生长完成后，由于晶体底部和上部存在较大的

索比光伏网讯:单晶硅材料是非常中药店晶体硅材料，根据生长方式的不同，可以分为区熔单晶硅和直拉单晶硅。区熔单晶硅主要应用于大功率器件方面，只占单晶硅市场很小的一部分，在国际市场上约占10%左右；而直拉

,2011年全球前十大电池生产商中5家来自中国,其中4家成为公司稳定客户,行业的激烈竞争使龙头厂商对高端设备需求更加迫切。新产品蓄势待发。公司区熔单晶炉项目受国家扶持,目前已进入工艺完善阶段,主要

氧化还原反应被还原的金属Pb呈液态，当液态铅与银相遇时，根据Pb-Ag相图银粒子融入铅中形成Pb-Ag相。Pb-Ag熔体腐蚀Si的晶面。冷却过程中，Pb和Ag发生分离，Ag在Si晶面上结晶。银浆料的类型
浆料是否适用？（2）烧结温度如何变化，变高或者变低？关键因素：时间（带速）、温度（最后两个温区）、浆料类型可控因素：排风、冷却水，对烧结过程影响较小。DOE方案：试验方案为全因子设计。关键因子共有4个，假设浆料类型既定，那么共有8种试验方法。在常规烧结温度的基础上分别调节带速、温度。（资料汇总 互联网）

上市至今不足8个月，受行业环境影响，公司主动放缓了募投项目建设进度。公司募投项目拟形成年产多晶硅铸锭炉400台、大尺寸单晶硅生长炉50台、区熔单晶硅生长炉30台以及多晶硅片4800万片的生产能力，原计划

行业环境影响，公司主动放缓了募投项目建设进度。公司募投项目拟形成年产多晶硅铸锭炉400台、大尺寸单晶硅生长炉50台、区熔单晶硅生长炉30台以及多晶硅片4800万片的生产能力，原计划建设期为两年;京运通

年产多晶硅铸锭炉400台、大尺寸单晶硅生长炉50台、区熔单晶硅生长炉30台以及多晶硅片4800万片的生产能力，原计划建设期为两年；京运通自行放缓了多晶硅硅片项目的投资进度。 　　天龙光电

单晶硅铸锭技术、光伏玻璃减反镀膜技术等获得行业内广泛认可的技术应用推广和金刚石线切割技术、大尺寸区熔单晶硅技术、回收硅粉技术等前沿生产技术以及控制器、逆变器、反应器、大型氢气压缩机等关键设备的研究开发

、大尺寸区熔单晶硅技术、回收硅粉技术等前沿生产技术以及控制器、逆变器、反应器、大型氢气压缩机等关键设备的研究开发。第二，加强行业准入管理，重点支持具有相关技术背景的龙头企业。通过严格的政府及行业标准，特别是