化合物薄膜电池

和研发CIS薄膜太阳电池组件。该项目拟建设规模为年产CIS薄膜太阳电池组件60MW，预计2009年第三季度投产。CIS薄膜是由铜、铟、硒等金属元素组成的直接带隙化合物半导体材料，其对可见光的吸收系数是
所有薄膜电池材料(a-Si、CdTe等)中最高的，而原材料的消耗却远低于传统晶体硅太阳电池，具有广泛的发展前景。 　　孚日股份表示，此次投资兴建CIS薄膜太阳电池组件子公司的目的是在继续扩大公司家

2006年持平。全球太阳能产业的增长正在因多晶硅的持续短缺而受到抑制。多晶硅是生产太阳能电池的关键材料。薄膜电池的吸引力在于它们很少使用或根本不使用多晶硅。 与之相关的一个重要变化是，薄膜太阳能电池已经
的新兴清洁能源产业，据称至少有40家公司在竞相开发薄膜电池，甚至全球最大的太阳能电池生产商夏普，也加入了这个领域的竞争。风险资本家正在把数以百万美元计的投资砸向薄膜太阳能电池初创公司，向这个领域投资的

；聚合物多层修饰电极型太阳能电池；纳米晶太阳能电池等。多元化合物薄膜太阳能电池主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。其中，硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜

分析，世界薄膜太阳电池市场年增长率为22．5％。BP solar的光伏专家和企业界人士组成的一个研究组研究证明：如果一家具有60MW生产能力的薄膜电池生产厂家，使用硒钢铜薄膜太阳电池、非晶硅太阳电池
开展了在多种衬底上使用直接和间接加热源的方法沉积多晶CdS薄膜。薄膜制备方法主要有喷涂法、蒸发法等。1.1 CdS薄膜结构特性 CdS是非常重要的：Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。C北薄膜具有纤锌矿

影响，若要再大幅度地降低单晶硅太阳电池成本是非常困难的。作为单晶硅电池的替代产品，现在发展了薄膜太阳电池，其中包括非晶硅薄膜太阳电池，硒铟铜和碲化镉薄膜电池，多晶硅薄膜太阳电池。在这几种薄膜电池中，最
非晶硅薄膜太阳电池的效率也较低。一般在８％到１０％，硒铟铜和碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜电池高，成本较单晶硅电池低，并且易于大规模生产，还没有效率衷减问题，似乎是非晶硅薄膜电池的一种较好的替代品

，世界薄膜太阳电池市场年增长率为22．5％。BP solar的光伏专家和企业界人士组成的一个研究组研究证明：如果一家具有60MW生产能力的薄膜电池生产厂家，使用硒钢铜薄膜太阳电池、非晶硅太阳电池
开展了在多种衬底上使用直接和间接加热源的方法沉积多晶CdS薄膜。薄膜制备方法主要有喷涂法、蒸发法等。 1.1 CdS薄膜结构特性 CdS是非常重要的：Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。C北薄膜

；纳米晶太阳能电池等。多元化合物薄膜太阳能电池主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。其中，硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低