化合物太阳能电池

，近年来受到越来越多国家的重视和政策支持，全球太阳能电池产量1996年-2006年10年间增长26倍，年复合增长率达38%；太阳能电池年装机量10年间增长了22倍，年复合增长率达36%，成长速度只有
半导体工业可以比拟。我们预计未来5年之内，光伏电池产量将保持35%以上的年复合增长率，至2010年全球光伏电池需求可以超过7GW。 在多晶硅供应紧缺的背景下，非晶硅技术(主要包括非晶硅和化合物

高成品率的多结太阳能电池。TurboDisc E450（以及下一代E475）As/P设备针对大批量化合物材料的生产而设计的，并具备一定的工艺控制能力与可靠性。它采用了RealTemp 200技术可直接
Veeco Instruments公司宣布，台湾新竹的禧通科技公司（M-Com）订购了一套TurboDisc E450 磷化砷（As/P）MOCVD系统，用于生产高效率的III-V族化合物多结

1.6万片，共40个方阵，装机容量1000千瓦。电站投入运行后，年发电量约115万千瓦时，可节省同样容量的火力发电机组用煤约386吨，减少排放二氧化硫7.16吨、氮氧化合物346吨、烟尘102吨
、二氧化碳1050吨。 采用非晶硅薄膜电池的最大优势是使太阳能电池的产品价格大幅下降，发电成本仅为多晶硅电池的40%左右，而年发电量比晶体硅电池增加12—15%。强生光电公司董事长沙晓林表示，随着产能扩大和薄膜电池转换率提升，每度上网电价将逐步降至0.50元—0.60元。

加拿大研究团队宣称，在硅晶体上制作一层成分保密的化合物半导体单晶，可使传统太阳能电池的效率倍增。这种新型的太阳能板结合了低价硅基太阳能电池的普遍性，以及较昂贵的化合物半导体技术的高效能，可望在

、化合物（砷化镓GaAs、硫化镉CdS、硒铟铜CuInSe、碲化镉CdTe、铜铟镓硒CIGS）太阳能电池，有机半导体太阳能电池等，这类电池占据7%的市场份额。 太阳能市场巨大 据世界能源组织

晶体硅电池仍为主流市场 晶体硅电池，包括单晶硅（sc-Si）电池、多晶硅（mc-Si）电池两种，它们占据约93%的市场份额；薄膜电池，主要包括非晶体硅太阳能电池、硒光太阳能电池、化合物
薄膜电池，主要包括非晶体硅（a-Si，使用的是硅，但以不同的形态表现）太阳能电池、硒光太阳能电池、化合物（砷化镓GaAs、硫化镉CdS、硒铟铜CuInSe、碲化镉CdTe、铜铟镓硒CIGS）太阳能电池

是光伏太阳能电池用硅晶体和化合物半导体材料；其二是LED发光管用蓝宝石衬底外延GaN(氮化镓)等。叶祖超告诉记者，太阳能电池用单晶重点解决大直径高寿命N型中阻单晶，寿命达毫秒量级，直径8英寸；现普遍

排放的二氧化硫7.16吨，减少氮氧化合物346吨，烟尘102吨，二氧化碳减排1050吨。 董事长沙晓林介绍，目前，在国外建设1兆瓦光伏电站需要投资800万美元，国内运用晶体硅电池建设的1兆瓦
民币。” 专家指出,中国太阳能光伏产品国内市场尚未启动的原因主要是光伏发电的成本很高,目前光伏电每度是5-6元,和普通电价格相比,相差十多倍，国内市场还不能承受。 数据显示，到2007年，中国太阳能电池

。装机容量1000千瓦，年平均上网电量约115万千瓦时。由强生光电与如东县开发建设总公司共同出资建设，总投资2800万元。 有关数据显示，到2007年，中国太阳能电池的年产量已突破3000兆瓦。但
，最大特点和优势是使太阳能电池的产品价格大幅下降,发电成本为目前晶体硅发电成本的40%左右，使光伏发电在中国中西部边远地区、特别是荒膜地区普遍推广应用成为可能。 目前,我国边远地区仍有3000

供需矛盾造成全球多晶硅价格暴涨。以2006年的经验数据对应计算，每生产1兆瓦太阳电池所需太阳能多晶硅10克，2006年全球共需太阳能多晶硅2.5万吨。 按照太阳能电池近5年来的复合
。 多晶硅价格下跌和太阳能电池需求增长将互为循环。短期的多晶硅价格暴涨对整个太阳能光伏产业前景发展不利。多晶硅价格的下跌将促使光伏发电成本快速降低，因此大规模的多晶硅制造是光伏产业发展的必经之路