功率半导体

索比光伏网讯:阳光的科学奇迹1839年，法国科学家贝克雷尔（Becqurel）发现，光照能使半导体材料的不同部位之间产生电位差，这种现象后来被称为光生伏特效应。1954年，美国科学家恰宾和皮尔松在
光伏系统使用寿命从10年增加到25年，那么总体投资回报也会增加约30%。所以，输出功率、耐久性、可靠性，都是影响整体系统成本和投资回报的关键。以组件关键材料之一的背板为例，杜邦一项研究全球60余个

infineon牵引级别的功率开关管FF1200R12IP4，Rogers的叠层母排，Aavid的散热器，Concept的驱动器，Schaffner的滤波器，随着逆变器价格一路走低，这个尖端品牌的器件
： 1、功率器件IGBT降价：2012年前500KW的逆变器大部分是英飞凌公司的FF1200R12IP4，近年来英飞凌公司推出了工业级的FF600R12ME4，成本一下降了50%，加上富士，三菱也推出

的芯片在低倍聚光下使用，或者完全不采用聚光，则Ge、Ga、In的原材料供应问题将变得非常具有挑战性。也就是说，采用高倍聚光技术可以大大减少半导体材料的使用量。以1000倍聚光比为例，在相同功率下
聚光光学系统来替代昂贵但是高效率的III-V半导体芯片，使得它在发电度电成本上与光热技术和通常的平板（晶硅）系统具有竞争力，特别是在一些高辐射度的地区。高倍聚光特别适合于在阳光充足的地区（直射

在低倍聚光下使用，或者完全不采用聚光，则Ge、Ga、In的原材料供应问题将变得非常具有挑战性。也就是说，采用高倍聚光技术可以大大减少半导体材料的使用量。以1000倍聚光比为例，在相同功率下，相当于仅仅
议论，但项目安装仍然在继续，在成本下降和技术进步方面看起来也还是乐观的。 高倍聚光的基本原理是利用相对廉价的聚光光学系统来替代昂贵但是高效率的III-V半导体芯片，使得它在发电度电成本上与

，虽然目前很多电池制造商的高端设备都是以国外进口为主，但是国内公司是有能力做高端光伏制造设备的，如果不尝试，与国外的差距将永远存在。 在半导体行业以及非晶硅薄膜研究领域驰骋多年的王博士，还在美国
期间在应用材料公司有近十年的产品研发及管理经验，并于2009年回国后加入钧石中国。对于从半导体行业进入新能源领域，他说，任何产品都有其自身的发展瓶颈，找到应用点就能发挥光亮，而他此时就想走在产业的前沿

太阳电池，它的结构和生产工艺已定型，产品广泛用于空间和地面。为了降低生产成本，现在地面应用的太阳电池大多采用太阳能级的单晶硅棒，材料性能指标有所放宽，也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过
有限而对工程发电功率要求高的发电项目，即通过提高电池组件的效率来实现整个工程的发电容量。另外，根据试验室和工程中的测试数据，单晶硅太阳电池在工程投产的前期，功率衰减较多晶硅太阳电池快。图1-2

第一批太阳电池 3. 光伏电池是怎么发电的？ 答：光伏电池是一种具有光‐电转换特性的半导体器件，它直接将太阳辐射能转换成直流电，是光伏发电的最基本单元。光伏电池特有的电特性是借助于在晶体硅中掺入
某些元素（例如：磷或硼等），从而在材料的分子电荷里造成永久的不平衡，形成具有特殊电性能的半导体材料。在阳光照射下，具有特殊电性能的半导体内可以产生自由电荷，这些自由电荷定向移动并积累，从而在其两端形成

小型的逆变器，在不减少原有功率的基础上，尺寸比现在市场上的产品小10倍。光伏逆变器现在会往更密集型，更小型化发展，也就是说功率密度越来越大，打比方说，一个100瓦直径1米的灯泡，本来是不烫的，现在需要
缩小到直径5厘米，表面肯定会非常烫。光伏逆变器的核心，就是半导体开关（IGBT），它是整个逆变过程的核心器件，靠高速的开合电路把交流电和直流电互相转换。 因为是高速运动，所以有大量的热量产生，如果空间

核心技术与产品长期受制于人的局面。研究成果经过严格的测试与应用考核，各项技术指标处于国际领先水平。产品在不同的领域成功实现批量应用，打通了我国先进功率半导体芯片-模块-装置-系统的完整产业链。同时，南车时代电气半导体事业部副总经理刘国友被评为十佳中国电子学会优秀科技工作者。