刻蚀
环节均处于国产设备逐渐导入的过程中：
►制绒清洗：采用与PERC相似的湿法化学清洗设备，但要求更高的刻蚀损伤层厚度以及在低温环境下处理。制绒清洗工艺包括RCA清洗法和臭氧清洗法，臭氧清洗法在满足工艺
硅片有良好的钝化效果，因此优质的界面层钝化非常重要。此外，在沉积过程中，非晶硅内部也会存在少量悬挂键，影响钝化效果。
►预处理工艺。在沉积本征非晶硅层前对硅片使用氢氟酸或氢等离子体进行预处理，以刻蚀
TOPCon产线清洗制绒主设备、碱抛刻蚀主设备、多晶硅清洗主设备、丝印整线主设备、测试分选主设备、及整线自动化产线上下料设备，产线兼容182mm及210硅片电池工艺，TOPCon光电转换效率超24%以上
发展了一种将化学刻蚀与液相自组装相结合的复合成形方法，以Ni-Sn铸造合金为原型，利用电偶腐蚀技术，成功制备出一种导电性优良且在0.01-3.0 V (vs. Li/Li+)内对Li+表现为化学
领域优势突出。此项应用设备已通过客户验证并稳定量产。在加工200m厚的玻璃时，可实现打孔数高达1000个/秒，孔径50m，每个微孔的真圆度控制在1m以内。同时验证了可通过改变光束整形技术与刻蚀工艺组合
(LPCVD设备)磷扩散(扩散炉) 刻蚀(刻蚀设备)，增加设备：LPCVD、扩散炉、刻蚀设备; (2)本征直掺：氧化硅层钝化及沉积多晶硅层(LPCVD设备)磷离子注入(离 子注入机)退火(退火炉)刻蚀(刻蚀
的沉积目前有3条主要的工艺路 线(在PERC上基础上增加，图中黄色部分)：
(1)本征+磷扩：氧化硅层钝化及沉积多晶硅层(LPCVD设备)磷扩散(扩散炉) 刻蚀(刻蚀设备)，增加设备：LPCVD
、扩散炉、刻蚀设备;
(2)本征直掺：氧化硅层钝化及沉积多晶硅层(LPCVD设备)磷离子注入(离 子注入机)退火(退火炉)刻蚀(刻蚀设备)，增加设备：LPCVD、离子注入 机、退火炉、刻蚀设备
沉积，因此还需要在 PERC 产线上增加 LPCVD 和湿法刻蚀设备。 2) HJT 电池由于采用晶硅/非晶硅异质结结构(PN 结由不同材料构成)，最高工艺温度不 能超过非晶硅薄膜形成温度(200
、插片机(硅片清洗、半导体插片、玻璃插片)、清洗机(硅片清洗、石英管清洗、电极板清洗等)、脱胶机、单多晶制绒、制绒自动上下料、链式湿法刻蚀、刻蚀自动上下料等高端制造设备。
作为技术支持机构，为评选体系及模型提供专业的参考和见证，最终评选出最具典范和标杆力量的企业代表。
获奖企业介绍：
江苏微导纳米装备科技有限公司是一家面向全球的高端设备制造商，专注于先进薄膜沉积和刻蚀装备
反应离子刻蚀(RIE)装备, 并为新能源、柔性电子、半导体和纳米技术等多个工业领域的产业化生产提供整体解决方案。微导依托具有多年自动化设备及自动化生产线产业化经验的集团平台, 拥有领先的智能自动化技术储备
全自动插片清洗一体机、插片机(硅片清洗、半导体插片、玻璃插片)、清洗机(硅片清洗、石英管清洗、电极板清洗等)、脱胶机、单多晶制绒、制绒自动上下料、链式湿法刻蚀、刻蚀自动上下料等高端制造设备。
