刻蚀
进行粘接。不同于传统晶硅电池浆料采用高温烧结,银粉之间依靠表面熔融相互连接,玻璃相在一定程度上熔银并刻蚀硅板,形成可靠點结和欧姆接触。因此1N的拉力要求对于低温银浆的是一个挑战。 目前大部分 HIT
有很高的兼容性，有望成为过度工艺 TOPCon与PERC有很好的兼容性。TOPCon仅需在PERC产线基础上增加硼扩、LPCVD和湿法刻蚀机台，新增投资额约5000万元/GW。 目前电池
板生产设备： 非晶硅电池、铜铟镓二硒电池CIS/CIGS、镉碲薄膜电池CdTe、染料敏化 电池DSSC生产技术及研究设备 半导体生产设备： 全套生产线、光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散\离子注入设备、湿法
水平，推动我国光伏技术进步及成本快速下降，助力全面平价上网。 电科装备始终致力推动光伏装备国产化，先后研制管式PECVD、平板PECVD、扩散氧化设备及等离子体刻蚀机等设备，在成套高端关键制造工艺
TOPCon光伏电池制造交钥匙整体解决方案 转换效率超24% 产线兼容182mm及210mm工艺 清洗制绒/碱抛刻蚀/多晶硅清洗主设备 丝网印刷/烧结/测试分选主设备 整线智能物流及AGV系统
。 捷佳伟创 捷佳伟创是国内领先的晶体硅太阳能电池设备研发、生产和销售的国家高新技术企业。主要产品包括PECVD及扩散炉等半导体掺杂沉积工艺光伏设备、清洗、刻蚀、制绒等湿法工艺光伏设备以及自动化(配套)设备
领先的从事晶体硅太阳能电池设备研发、生产和销售的国家高新技术企业。主要产品包括PECVD及扩散炉等半导体掺杂沉积工艺光伏设备、清洗、刻蚀、制绒等湿法工艺光伏设备以及自动化(配套)设备、全自动丝网印刷设备等晶体硅太阳能电池生产工艺流程中的主要及配套设备的研发、制造和销售。
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目前大族显视与半导体针对新型显示产品大尺寸化，结合自主研发的ICICLES等工艺技术，自主开发出一套集玻璃基板切割、线路刻蚀、保护膜层切割等需求的大屏拼接技术方案。
其中，玻璃切割可实现无崩边、热影响
30m以下、精度达15m的加工效果，保证断面整齐;线路刻蚀时，可实现对周边线路无损伤，拼接精度达15m以内，加工效率达75片/小时。
大族显视与半导体的大屏拼接技术方案已通过国内
：B扩表面钝化技术的研究、 B扩表面钝化接触的研究、N型电池的金属化的研究、poly接触钝化技术的研究、poly刻蚀技术的研究、高阻密栅电池发射极优化、BSG刻蚀技术的研究、PERC电池机载改善的研究
环节均处于国产设备逐渐导入的过程中：
►制绒清洗：采用与PERC相似的湿法化学清洗设备，但要求更高的刻蚀损伤层厚度以及在低温环境下处理。制绒清洗工艺包括RCA清洗法和臭氧清洗法，臭氧清洗法在满足工艺
硅片有良好的钝化效果，因此优质的界面层钝化非常重要。此外，在沉积过程中，非晶硅内部也会存在少量悬挂键，影响钝化效果。
►预处理工艺。在沉积本征非晶硅层前对硅片使用氢氟酸或氢等离子体进行预处理，以刻蚀
