制绒

，但我不知道对于后电解质也会如此，因为也可能是别的什么技术。对于多晶硅PERC应用程序，我知道存在很多技术挑战，尤其是涉及到准备晶圆和制绒方面，你相信这些挑战能够被克服吗？我想是的，只要有人能够找到
行之有效的制绒方式就可以。该行业的性质就是人人都会采用便宜的流程，这并不是推动行业向前发展的唯一解决方案，这是每个人都可以分享和得到改善的解决方案。正是对所寻求的标准技术感兴趣的人们在推动这一技术向前

阶段，在晶体硅太阳能电池生产线的十几种主要设备中，8种以上国产设备已在国内生产线中居主导地位，其中单晶炉、扩散炉、等离子刻蚀机、清洗制绒设备、组件层压机、太阳模拟仪等已达到或接近国际先进水平，多晶硅

的纯度并没有达到太阳能电池所要求的硅片的纯度，所以还需进一步提纯制得单晶硅。目前大多使用直拉法制造的单晶硅，在石英坩埚中将多晶硅加热熔化，加入掺杂剂，用一小块籽晶从熔融硅拉出圆柱形的单晶硅。由于掺杂的
进而提高其光电转换效率。1 实验本文选取电阻率在3.5-4.5cm范围内的高电阻率的单晶硅片210片，规格为156mm156mm，厚度为200m。首先在210片硅片表面利用碱腐蚀制备绒面结构，即在硅表面

清洗去除硅片表面微粉、金属离子等，最终获得表面清洁的硅片的工序。3.7电池工序通过在晶体硅片表面腐蚀制绒、扩散或离子注入形成PN结、沉积减反射膜以及制备金属电极，形成将太阳辐射能直接转化成电能的光伏器件
）计算：式中：晶硅电池工序综合电耗，单位为万千瓦时每兆瓦（万kwh/MWp）；统计期内晶硅电池工序总耗电量，单位为万千瓦时(万kwh)；统计期内晶硅电池产量，单位为兆瓦（MWp）。电池工序实际耗电包括制绒

晶硅电池要深很多，呈黑色。其核心是通过刻蚀技术，一方面在常规硅片表面制绒的基础上，形成nm级的小绒面，纳米锥型的小绒面长径分别为400和450nm，长径比为0.9，从而加大陷光的效果，降低反射率，增加

常规的蓝色晶硅电池要深很多，呈黑色。其核心是通过刻蚀技术，一方面在常规硅片表面制绒的基础上，形成nm级的小绒面，纳米锥型的小绒面长径分别为400和450nm，长径比为0.9，从而加大陷光的效果，降低

同样沉积本征钝化层（i）并堆叠掺磷的（n）层。钝化效果通过镀在刻蚀方向为100的绒面CZ硅片上来评估，硅片尺寸为156156mm，并使用Sinton WCT-120进行测试。同时，也采用未制绒的FZ

：边缘漏电（刻蚀未完全、印刷漏浆）。基体内杂质和微观缺陷。PN结局部短路（扩散结过浅、制绒角锥体颗粒过大）。3.0 串、并联电阻的影响3.1 串联电阻对填充因子的影响因为填充因子决定着电池输出功率，因此