减反膜
后表面制备钝化层和减反膜，以及丝网印刷制备电极结构。设备方面，TOPCon相比PERC核心增加了硼扩炉(进行硼扩散)、LPCVD或PECVD(SiO+多晶硅)设备，同时去除了前道SE、后道开槽两道激光
项目，十四五电石法PVC产能控制在500万吨左右。优化氯碱化工产品结构，重点发展PVC用树脂、氯化法钛白粉、氯化高聚物等高附加值含氯产品。鼓励企业采用新一代国产化离子膜、减汞和汞污染防治、工业废盐制碱和
氢能装备制造新突破。到2025年，力争形成碱性电解水制氢设备50万方/小时、PEM(质子交换膜)制氢设备10万方/小时、工业副产氢提纯装备100万方/小时，氢气储运装备生产容量1000吨。
发展
降低损耗。同时该产品优化了电池减反膜并选用高阻抗封装材料，抗PID性能优异，组件长期输出更有保障，可减少后期运维费用，保证生命周期内高发电总量，为客户带来更高收益。 目前乌拉圭国内已成由风电、光伏为主
型具有约 8%左右的溢价空间，未来有望通过 2 方面降本。
HJT 为低温工艺，利于硅片的薄片化(从 170um 降低至 120-130um)。预计硅片 每减薄 20um 价格可下降 10-15
增加，从而也促进气体的反 应以及薄膜沉积。优势：沉积速度快、沉积温度低(200℃)，相比 LPCVD 成本更低。
3) PEALD：是一种化学气相沉积技术，最初被用于生产纳米结构的结缘体和薄膜电致发
、氧化硅等减反射率更高的材料，形成双减反层或三减反层，有助于减少载流子损失。多层膜工艺虽然被证明可提高转换效率，但不可避免地会增加工艺复杂度、加工时间与设备投入，因此与多层膜相关的制造工艺和设备仍在
，IBC)：前表面是 N+的前场 区 FSF 和 SiNx 减反层，背表面为交叉排列的 P 区和 N 区，正面无金属栅线电极遮挡，因此可 以更高的短路电流。IBC 电池工艺的难点是背面交叉分布的 P 区和
钝化膜上激光开槽，能有效减少少子复合，提高电池的开路电压和填充因子，进而提高电池效率。
交叉背接触或全背电极接触电池(Interdigitated Back Contact
发生化学反应，沉积成膜。PECVD 在传统晶硅电池中主要用于钝化层和减反层薄膜的沉积，薄膜厚 度均大于 100 nm;HJT 技术采用 PECVD 在硅片正反面先后沉积两层非晶硅薄膜用作钝化层，钝化
电池结构相比，HBC 电池前表面无电极遮挡，并且采用 SiNx减反层取代 TCO 薄膜。 HBC 电池工艺流程为：清洗制绒-正面沉积本征非晶硅薄膜-正面沉积减反射膜-背面沉积本征非晶硅薄膜-背面沉积
相间的P+和N+扩散区，前表面制备金字塔状绒面来增强光的吸收，同时在前表面形成前表面场(FSF)。前表面多采用SiNx的叠层钝化减反膜，背面采用SiO2、AlOx、SiNx等钝化层或叠层。最后在背面
实验采用原子层淀积(ALD)的方式生长Al2O3;在Al2O3表面镀一层约150nm的SixNy保护层后，使用PECVD技术在硅片正表面镀一层厚度约为80nm的SixNy减反膜; 3. 最后采用激光
