光退火

的磷硅玻璃层，通过波长为532nm的激光图形化退火处理，将磷硅玻璃中的磷元素进一步扩散进入硅，从而在电池片表面形成选择性重掺杂区域。丝网印刷银浆时，使得细栅线90度交叉激光重掺杂线条，巧妙地实现自对准
制备工艺。在晶体硅太阳能电池应用中，发射极的特性可以极大地影响电池性能，通过提高发射极的掺杂浓度可以降低电池的接触电阻，但是过高的掺杂浓度又将增加发射极中光生载流子的复合速率。选择性发射极电池结构

普遍的硅基薄膜电池。可是非晶硅的两大缺陷:光致衰减效应（S-W效应：非晶硅薄膜经较长时间的强光照射或电流通过,在其内部将产生缺陷而使薄膜的使用性能下降,称为S-W效应，但经过夏天高温退火可使光致衰减
得以部分恢复）和对长波段光的吸收不够，在一定程度上也影响了转换效率。为了减少光致衰减的影响，通常会将非晶硅材料做成非晶硅/非晶硅双结结构。其中第一结非晶硅用于吸收短波段的光波，第二结用于吸收长波

电池。可是非晶硅的两大缺陷:光致衰减效应（S-W效应：非晶硅薄膜经较长时间的强光照射或电流通过,在其内部将产生缺陷而使薄膜的使用性能下降,称为S-W效应，但经过夏天高温退火可使光致衰减得以部分恢复）和
对长波段光的吸收不够，在一定程度上也影响了转换效率。为了减少光致衰减的影响，通常会将非晶硅材料做成非晶硅/非晶硅双结结构。其中第一结非晶硅用于吸收短波段的光波，第二结用于吸收长波波段。使用微晶硅材料来

普遍的硅基薄膜电池。可是非晶硅的两大缺陷:光致衰减效应（S-W效应：非晶硅薄膜经较长时间的强光照射或电流通过,在其内部将产生缺陷而使薄膜的使用性能下降,称为S-W效应，但经过夏天高温退火可使光致衰减
得以部分恢复）和对长波段光的吸收不够,在一定程度上也影响了转换效率。为了减少光致衰减的影响，通常会将非晶硅材料做成非晶硅/非晶硅双结结构。其中第一结非晶硅用于吸收短波段的光波，第二结用于吸收长波

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超过9％。另外，光反射和光密封等结构尚未进行任何改进。如果加上此类改进，便有望通过活性层厚5～10m的结晶硅太阳能电池实现15％以上的效率（IMEC）。IMEC表示，从长远来看，我们希望开发出无需外延
生长的方法，从而进一步降低成本。该机构已经尝试采用对多孔硅进行退火处理（烧结）的方法，试制了太阳能电池。实现了2.6％的效率。(编辑:xiaoyao)

效率，不过IMEC预计稍微调整电极结构便可超过9％。另外，“光反射和光密封等结构尚未进行任何改进。如果加上此类改进，便有望通过活性层厚5μ～10μm的结晶硅太阳能电池实现15％以上的效率”（IMEC
）。 　　IMEC表示，“从长远来看，我们希望开发出无需外延生长的方法，从而进一步降低成本”。该机构已经尝试采用对多孔硅进行退火处理（烧结）的方法，试制了太阳能电池。实现了2.6％的效率。本篇

。但研究发现，在非硅衬底上很难形成较大的晶粒,并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用 LPCVD在衬底上沉炽一层较薄的非晶硅层，再将这层非晶硅层退火，得到较大的晶粒，然后再在这层籽晶上沉积厚
效率会随着光照时间的延续而衰减，即所谓的光致衰退S一W效应，使得电池性能不稳定。解决这些问题的这径就是制备叠层太阳能电池，叠层太阳能电池是由在制备的p、i、n层单结太阳能电池上再沉积一个或多个

。 当晶片受光后，PN结中，N型半导体的空穴往P型区移动，而P型区中的电子往N型区移动，从而形成从N型区到P型区的电流。然后在PN结中形成电势差，这就形成了电源。(如下图所示
），以增加入射光的面积。 　　另外硅表面非常光亮，会反射掉大量的太阳光，不能被电池利用。为此，科学家们给它涂上了一层反射系数非常小的保护膜（如图），将反射损失减小到5％甚至更小。一个电池所能提供的电流

缓缓吊出，科研人员喜不自禁、喜泪横流。这块方锭，在真空条件下经历了1570摄氏度的高温锤炼、50个小时的晶体生长，经过加热、熔化、长晶、退火、冷却、出锭等环节的洗礼，出落得晶莹剔透，宛若天外来客！这是
国家专业从事电子专用设备研发制造的骨干企业。40多年来，二所瞄准努力成为国内电子专用设备领域排头兵的奋斗目标，始终致力于军事电子和信息产业的发展，在机、电、光、热一体化设计，设备研发及工艺等方面不断