光退火

，得出了集热管膜层的表面微粒结构、化合物成分和光学性能之间的关系。对四层金属－介质膜层进行优化设置，使不同金属含量膜层界面间产生最大消光干涉，膜层性能指标可以达到吸收比αs＝0．96、发射比εh
国内太阳能产业的领航者。 李业博告诉记者，新材料公司有100条生产线，今年集热管产量将达3500万支左右，是全球最大的集热管生产基地。公司融合德国自动镀膜技术，自主研发并获得专利的环封技术和退火

独特的艺术性外，此种玻璃还具有较高的能效性。厚度为1英寸的标准绝缘玻璃单元，80型太阳能光学蓝玻的增热系数为0.23，可见光透过率为34％。这使得玻璃的光获得率达到1.48，远远超过美国能源部门研制的光
获得率为1.25的光选择性玻璃。 与一般的双色玻璃相比，80型高性能太阳能光学蓝玻对业主及建筑师来讲节能性尤为突出。对休斯敦一座8层高的全玻璃幕墙建筑进行研究，结果表明：用此种高性能太阳能玻璃

/a-Si:H进行退火处理以使a-Si薄膜晶化，晶化温度可低于500℃。但由于存在金属污染未能在TFT中应用。随后发现Ni横向诱导晶化可以避免孪晶产生，镍硅化合物的晶格常数与单晶硅相近、低互溶性和适当
界面处重结晶，形成多晶硅晶粒，NiSi2层破坏，Ni原子逐渐向a-Si层的底层迁移，再形成NiSi2硅化物，如此反复直a-Si层基本上全部晶化，其诱导温度一般在500℃，持续时间在10小时左右，退火时间

高温下使其熔化，再在温度稍低的时候出现晶核，随着温度的降低熔融的硅在晶核上继续晶化而使晶粒增大转化为多晶硅薄膜。使用这种方法，多晶硅薄膜的晶粒大小依赖于薄膜的厚度和结晶温度。退火温度是影响晶化效果的
重要因素，在700℃以下的退火温度范围内，温度越低，成核速率越低，退火时间相等时所能得到的晶粒尺寸越大；而在700℃以上，由于此时晶界移动引起了晶粒的相互吞并，使得在此温度范围内，晶粒尺寸随温度的升高而

。 　　切片：指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。 　　切片的设备：内园切割机或线切割机 　　倒角：指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度
到抛光片的损耗还包括切片过程中的崩边、裂缝，磨片过程中的碎片和缺口，碱腐蚀过程中的沾污、花斑，抛光等过程中的碎片划伤造成的损耗，具体如下：切片5％、倒角1％、磨片5％、腐蚀2％、退火2％、抛光5

更多的光激发载流子。1.3 CdS簿膜电学特性 一般而言，本征CdS薄膜的串联电阻很高，不利于做窗口层，在300℃-350℃之间，将In扩散入CdS中，把本征CdS变成n-CdS，电导率可达
。 未掺杂的CdS薄膜的电阻率高，不是由于膜的不连续引起的，很可能是由于氧气介入，氧俘获导带电子，形成化学吸附，存在晶界的多晶CdS薄膜更易吸收氧，在热退火过程中，消除氧的吸附作用，降低了电阻率，因此

增加，能在CdS层内收集到更多的光激发载流子。 1.3 CdS簿膜电学特性 一般而言，本征CdS薄膜的串联电阻很高，不利于做窗口层，在300℃-350℃之间，将In扩散入CdS中，把本征
有化学吸收，使光电导率衰减。 未掺杂的CdS薄膜的电阻率高，不是由于膜的不连续引起的，很可能是由于氧气介入，氧俘获导带电子，形成化学吸附，存在晶界的多晶CdS薄膜更易吸收氧，在热退火过程中

可用退火消除。根据半导体载流子产生复合理论，禁带中央的亚稳中心的复合几率最大，具有减少光生载流子寿命的作用；同时它又作为载流子的陷饼，引起突间电荷量的增加，降低i层内的电场强度，使光生载流子的自由漂移

Chemical Vapor Deposition)沉積後，再以高於900℃的退火形成，此方法即為SPC (Solid Phase Crystallization) 。然而此種方法卻不適用於平面顯示器製造產業
薄膜上，而此金屬成分是降低結晶化所需要的活化能，使其能在較低溫結晶的重要關鍵。 Cat-CVD: 一種無須經由退火處理、而可直接沉積多晶薄膜(poly-film)的方法。沈積溫度可低於300

5．新技术探索 为了提高非晶硅太阳电池的初始效率和光照条件下的稳定性，人们探索了许多新的材料恰工艺。比较重要的新工艺有：化学退火法、脉冲虱灯光照法、氢稀释法、交替淀积与氢卫法、掺氟
、本征层掺痕量硼法、等。此外，为了提高a-Si薄膜材料的掺硼效率，用二基硼代替二乙硼烷作掺杂源气。为了获得a-Si膜的高淀积速率，采用二乙硅炕代替甲硅烷作源气。 所谓化学退火，就是在一层一层