。 纳米结构的黑色电池的工作性能非常不错,实际上减少了对全光谱的反射,阿尔托大学微观和纳米系助理教授HeleSavin在报告中说。ALD方式制备的表面起到很好的表面钝化效果,黑色电池的表面复合速率和和
光伏电池中的接口效应。这类现象早于上世纪70年代被发现,不过我们并没有采用这类方式生产太阳能电池,因为最终证实这类效应只可将紫外光线转换为能源,而绝大部分能源来自太阳光线中的可见光与红外光谱。
基于
,这一切会增加整体的复杂性以及光伏电池的生产成本。
整个材料家族贯穿整个太阳能光谱。拉佩解释道,基于此,我们能够成长出一种材料,且慢慢的改变为化合物,从而令一个单一材料的性能类似于多结光伏电池
最高已经能够达到50%。
GaAs太阳电池是一种Ⅲ~Ⅴ族化合物半导体太阳电池,与Si太阳电池相比,其特点为:
(1)转换效率高。
GaAs的禁带宽度相比于Si要宽,光谱响应特性与太阳光谱的匹配度也
制成超薄型电池。
GaAs是直接带隙半导体,而Si是间接带隙半导体,在可见光到红外的光谱内,GaAs的吸收效率要远远高于Si。同样吸收95%的太阳光,Si需要150m以上的厚度,但是GaAs只需要5m
为施主-受主染料的桥梁。使用这种卟啉染料作为光敏剂的双层二氧化钛膜在标准光照测试条件下达到了11%的转化效率。实验同时表明,这种共轭染料可以与有互补吸收光谱的不含金属的另一种染料在二氧化钛膜(2.4mm
波长在363nm附近的UV-A。并且还会将这一光线转换成波长为475nm的蓝色光。虽然转换效率未直接进行测定,但激励光谱与吸收光谱的峰值相一致,表明转换效率较高。 将该材料涂布在非结晶Si型
这样的话太阳能电池的效率就可以提高20%。 测试还显示,与平板电池相比,光谱上近红外区边缘的光线不着提高了近100%。 褶皱的图层使更大的能量转换效率有更高的空间,这是由光捕捉,尤其是波长更长的
,自从上世纪70年代就为科学家们所知,但直到现在,科学家们只在紫外线内观察到这种效应,而其实,太阳光的大多数能量位于可见光和红外线光谱内。借助新材料,他们终于在可见光和红外线内观察到了这一效应
能量传输机理
(a) KLu2F7: 38%Yb3+, 2%Er3+ UCNPs的上转换光致发光光谱;
(b) UCNPs中4S3/2 - 4I15/2在543 nm转换衰减曲线图
)激光激发下UCNPs的简化能量传输图。
图四、UCNPs的能量传递和发射光谱
(a) KLu2F7: 38%Yb3+, 2%Er3+ UCNPs在980 nm短脉冲和长脉冲激发下的
大学宣布单晶硅太阳电池转化效率达到了24.7%,2009年太阳光谱修正后达到25%,成为单晶硅太阳电池研究中的里程碑。新南威尔士大学取得的25%的转换效率记录保持了十五年之久,直到2014年日本
的极限效率的方法,考虑了新标准的太阳光谱、硅片光学性能、自由载流子吸收参数以及载流子复合与带隙变窄的影响,当硅片厚度为110m时,单晶硅太阳电池理论效率为29.43%。硅异质结(SHJ)太阳电池的模拟
:主要解决太阳光谱的选择性吸收功能,根据其吸收原理可分五大类:①本征吸收涂层(半导体和过渡金属)
②光干涉型涂层(TiOxNy)
③多层渐变膜型涂层(渐变Al-N/Al)
④金属陶瓷复合涂层
致命缺陷,主要是寿命较短,这是由它的特性决定的。铝材通过反复在酸液中电解氧化形成多孔的氧化铝膜后,再在Ni、Sn电解液中交流电解,形成锡镍合金与多孔的氧化铝膜组合成蓝黑色的复合涂层,具有光谱选择性吸收