光衰

电池工艺下，72片组件功率差在5W以内。光衰方面，鑫单晶硅片氧含量约为直拉单晶含量50%以下，有效降低硼-氧复合体带来的光致衰减，多晶的光衰带来单晶的效率。而且，鑫单晶硅片电阻率分布更加集中，有利于

光能则会更多。 (2)无光致衰减。常规P型电池由于使用硼掺杂的硅基底，初始光照后易形成硼氧对，在基底中捕获电子形成复合中心，从而导致3～4%的功率衰减，即使采用氢钝化等技术也无法完全消除光衰;而N型
对比 N型双面由于硅基底的不同，相较P型PERC双面具有一定材料上的天然优势，包括少子寿命高、无光衰、弱光性能好、温度系数良好、对金属杂质容忍度高等等。 (1)少子寿命高。金属杂质是半导体中常见的

。在行业低谷期，保利协鑫快速反应，加快新旧产能转换速度，调整产能布局，以满足市场对高性价比产品的需求。 保利协鑫储备多年的铸锭单晶技术已成熟，同时具备多晶的低成本、低光衰及单晶的高效率，其鑫单晶G3硅片

淳介绍，鑫单晶的光衰数据较多晶相比略差，怀疑主要是鑫单晶峰值烧结温度较多晶更高所造成。多晶的LeTID控制已经有成熟的产业化技术，鑫单晶还需进一步优化。 而在成本方面，协鑫方面称，目前铸造单晶成本比

PERC组件的高效率&低光衰及Hi-MO2双面双玻组件的高双面率，应用了半片技术后，组件功率与产品可靠性得到了进一步提升。应用于光资源丰富地区的大型地面电站配合固定支架或平单轴跟踪支架可实现最低
，2018.5，双面率82.1%)，量产电池的正面效率也已达22%以上。 隆基高效PERC电池使组件具有优秀的弱光性能与低功率温度系数值，在2017、2018年连续获得TV莱茵质胜中国光伏组件仿真第一名;低光衰

、光衰以及三类片的分布等问题已经逐步解决，尾部低效的分布大量减少，高效分布比例可达70%以上。成功的关键在于采用了新的籽晶铺设方式以及独创的铺设晶向。近期杨德仁院士在报告中对技术进步给予了肯定
，同时Fz单晶的氧含量比直拉硅单晶(见半导体硅材料)的氧含量低2～3个数量级，很好解决光衰问题。 但区熔单晶的工艺比直拉单晶困难得多，目前国内走在最前面的是中环股份。目前中环股份区熔硅单晶抛光片产量

优势，首先目前的鑫单晶组件采用158.75尺寸大硅片，直角电池结构非常美观，叠加半片和MBB组件技术，可以实现超高组件功率;其次，协鑫对该组件的光衰性能做了测试，结果比直拉单晶低三分之一左右;另外，在
700兆瓦，12月将达到900兆瓦，今年全年 鑫单晶硅片产能甚至可达8吉瓦~10吉瓦。 此外，现在常用的抗光衰工艺应用在单、多晶和鑫单晶上面都有少许的损失，应用到多晶上面，会造成0.2%的损失，用在

上与直拉单晶组件比功率差小于5Wp。 铸锭单晶PERC电池与组件的光衰( LID，LeTID )都低于同产线的直拉单晶产品。 铸锭单晶硅片的氧含量低于6ppma，显著低于直拉单晶
，效率达到21.95%;第三个客户不一样的地方，是用黑硅制绒技术来做鑫单晶，效率达到了21.7%。 鑫单晶还有个特点，氧含量是非常低的，仅为直拉单晶的一半，光衰低。LeTID数据，大家可以

，鑫单晶成本相对单晶PERC有优势，大约有3-5%价差，这对处于补贴退坡机制下的日本投资商来说，具有吸引力。 另外，鑫单晶可以达到单晶PERC的功率，而光衰比单晶PERC低，光衰问题在很多地区和国家

组件采用158.75尺寸大硅片，直角电池结构，外观完美，叠加半片和MBB组件技术，可以实现超高组件功率;其次光衰相比直拉单晶低;采用类似多晶的铸锭方式，成本相对直拉单晶更优。此外，本次推介的协鑫集成