光衰
重点发力的高效产品年。 经过多年的坚持研发，协鑫铸锭单晶技术已经日趋成熟，作为2019年主推的高效新品之一，鑫单晶将以成本对标多晶，效率堪比单晶的高性价比满足更多市场的需求。此外，在光衰等问题
介绍，经过多年的坚持研发，协鑫铸锭单晶技术已经日趋成熟，作为公司2019年主推的高效新品之一，鑫单晶将以成本对标多晶，效率堪比单晶的高性价比满足更多市场的需求。此外，在光衰等问题上，技术人员以一千多小时
帝尔激光联合研发，可解决单晶PERC组件的初始光衰(LID)问题。借助LIR技术，单晶PERC组件的首年衰减可以低于2%，这一数据已经低于目前单晶组件3%与多晶组件2.5%的首年衰减行业标准
改造，使156MM的太阳能级硅片的晶片厚度减薄了20微米，产能提升25%以上。隆基于2017年3月份对外公开单晶低衰减技术成果。应用LIR技术即光致再生技术，由隆基股份与澳大利亚新南威尔士大学、武汉
量产的设备和工艺来完成的。
大家可以看到量产平均效率21%多一点，同时结合抗光衰工艺目前还有一个小小的缺陷，效率上大概是0.2%左右的损失，但是总体上平均量产效率达到21%。然后我们可以看到
EL，还有它的光衰和三类片的分布。
还有就是在产线，我们选用不同的硅片，在小规模的试制，可以看到结合SE也好，可以做到21.7%、21.9%，证明鑫单晶可以做到这个效率。关于成本这块，这是目前我们
效率差仅为0.18%，光衰比直拉单晶产品低0.5%以上，成本大幅降低。通过大尺寸技术应用和与PERC工艺结合，铸锭单晶硅片可以在2019年帮助客户实现400W组件功率输出。 多晶黑硅片方面，保利协鑫
晶科保持的23.45%。而不仅在单晶领域，晶科在今年10月也打破了P型多晶太阳能电池转换效率世界纪录(22.04%)。该电池采用了高质量工业级硼掺杂多晶硅片，将陷光、钝化技术及抗光衰等先进技术统一集成在
研发与规模化应用。 在保持铸锭和硅片领域领先的同时，新赛维已将技术和产业布局的发力重心放在铸锭单晶领域和HIT电池技术上，兼具多晶铸锭产品高产能、低光衰、低封装损失和Cz单晶产品高转换效率、低位错密度
鑫单晶产品。技术总监胡动力博士表示，据下游客户反馈，叠加PERC技术后，铸锭单晶与直拉单晶效率差最少为0.18%，光衰比Cz单晶产品低0.5%以上，成本大幅降低，长期发电量更高;其硅片面积100%可利用
组件(60片)可以封装到310W，光衰比Cz单晶产品低0.5%以上，实现与直拉单晶同瓦输出，而成本大幅降低。当前，保利协鑫正在致力于将半导体级高纯多晶硅、FBR硅烷流化床法颗粒硅、CCz连续直拉单晶等前沿
