光致衰减

光致衰减(LID)的问题，确保P型光伏组件能够长期保持更稳定、更良好的发电性能。 PERCIUM+技术仍待挖掘，然而关于PERC之后下一代电池技术的讨论已提上日程，其中TOPCON和HJT异质结电池

Plus+异质结新产品电池相较于其他电池，由于其独特的双面对称结构及非晶硅层优秀的钝化效果，具备着转换效率高、双面率高、几乎无光致衰减、温度特性良好、可使用薄硅片、可叠加钙钛矿等多种天然优势，成为后PERC

具有性价比高、无光致衰减等突出优点。 荣德新能源科技有限公司 荣德新能源成立于2007年6月，是一家专注于太阳能级多晶硅片研发和生产的国家重点高新技术企业。公司以为上下游客户增值为经营理念，总投资

双面率高达90%，组件背面最高可增加30%的发电量，为客户带来更高的发电收益。 由于采用N型硅片，可以使光致衰减率大幅降低，组件首年功率衰减仅1.5%，尚德还为双玻产品提供30年线性功率质保，保障组件

相对P型晶硅电池，N型晶硅电池的少子寿命高，无光致衰减，弱光效应好，温度系数小，是晶硅太阳能电池迈向理论最高效率的希望。 TOPCon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触(Tunnel
转换效率记录情况 (1) 光致衰减低，掺磷的N型晶体硅中硼含量极低，削弱了硼氧对的影响 (2) 工艺设备产线兼容性高，可与PERC、N-PERT双面电池的高温制备工艺产线相兼容 (3) N型

一次面临瓶颈。 航天光伏技术总监沈禛珏表示： MILKYWAY PLUS+异质结新产品电池相较于其他电池由于其独特的双面对称结构及非晶硅层优秀的钝化效果，具备着转换效率高、双面率高、几乎无光致衰减

不断发展，电池效率已逐渐接近瓶颈。与之相比，N型硅片具有较长的少子寿命、更小的光致衰减，公认未来高效光伏电池发展将切换到N-Topcon、HJT等N型电池方向。 基于N型硅片的异质结电池
无光致衰减。 ◇ HJT在N型单晶硅上结合低温薄膜工艺，制作工序少 典型的制作工艺为如图2所示，整个工艺通常不超过200℃，硅片本身受热损伤和热型变影响小，可以使用更薄的硅片。 图2

实证结果显示：相对初始实测功率，正泰高效组件前4年累计衰减仅2.05%，远低于行业通常承诺的4.6%(业内通常承诺首年衰减2.5%，每年0.7%)，表明正泰组件具有优异的抗光致衰减及抗老化衰减的性能

，N 型单晶硅由于存在相对较多的自由电子，少子复合速率低、寿命高，且以磷为掺杂元素，无硼氧复合体，因此光致衰减小， 具备更大的效率提升空间，因而成为高效电池的优选项。 PERT 电池(钝化发射极
背面全扩散电池)使用少子寿命高的 N 型硅片作为衬底，电池几乎无光致衰减，正面使用 硼扩散形成发射极，背面采用磷全扩散，是钝化接触工艺流程中的入门级结构。N-PERT 电池工艺的关键在于双面 掺杂和

在3月23日举办的暾说微讲堂上，东方日升新能源股份有限公司电池研发中心高级经理崔艳峰做了《HJT电池光致衰减(增益)的研究》的报告。 报告介绍，东方日升对HJT电池进行了LID与LeTID的测试
，均表现为光致增益，而非光致衰减。研究了焊接过程中光+热对HJT电池的影响，发现同样有光致增益的表现，且对其进行LID与LeTID测试，仍然表现为增益。 东方日升研究认为，一方面是由于a-si:H