光致衰减

、PVD/RPD、丝网印刷+烧结炉。 异质结电池优势 ◼ 最简洁4步工艺流程 ◼ 最高转换效率 ◼ 最低温度系数 ◼ 最佳双面效益 ◼ 无光致衰减(LID) ◼ 无电位衰减(PID

技术优势明显。异质结电池组件同 PERC 相比，主要采用 N 型硅片，允许薄硅片的使用，同时电池背面可以利用地面的反射光发电，提高了发电量。N 型异质结电池光致衰减效应首年在 1.5%，后续每十年减少
最低值(约 80m，现在 Perc 硅片厚大概是200m);3、低温过程消除了硅衬底在高温中的性能退化，从而允许采用低品质的晶体硅甚至多晶硅来做衬底。 4、发电增益 Perc 电池存在光致衰减问题

了P型掺硼硅片制成的光伏电池的初始光致衰减(LID)问题，使光伏组件能够长期保持更稳定、更良好的发电性能，为客户的投资收益提供切实保障。 晶澳始终致力于研发量产高效产品，不断深耕全球市场。在欧洲市场

化，减少硅的使用量，降低硅原料成本。另外，HIT工艺流程相对简化，成本较低。此外，HIT电池的低温度系数和更低的光致衰减，使得稳定性高，可有效降低热损失。 在2018年国内布局HIT的企业仅6家

成为下一代主流技术。HIT技术优势主要体现在以下几点：1)光电转换效率高，目前HIT量产效率可达24%，高出PERC1.5-2个pct，叠加钙钛矿技术可达28%以上;2)光致衰减低，PERC电池一般

，光致衰减很小; ➢ N型硅片少子为空穴，空穴比电子更难被俘获而复合，对金属杂质不敏感; ➢ HIT表面TCO膜为导电体，电荷不会在电池表面聚集，无电位诱导衰减; 松下25年的户外实证数据显示HIT25

电池的光衰有效控制。 研究人员也发现光致衰减实际上是载流子(Carrier)引起的光衰，LID也就可以称之为CID，高剂量光照或高电流注入均可以加速再生过程，生产出B-O光衰基本被消除的PERC电池

异质结电池基本均为N型硅片衬底，因此也具备N型硅片相对于目前主流P型硅片的固有优势，如无光致衰减(LID)和可薄片化(异质结结构本身亦对可薄片化有所贡献)。N型硅片掺杂物质为磷，硼含量极低，因此由硼氧

当下传统P型掺硼硅片制成的光伏电池长期受困于初始光致衰减(LID)的问题，确保P型光伏组件能够长期保持更良好、更稳定的发电性能。 在高效组件技术方面，晶澳太阳能在多主栅技术上持续发力，在上

24%附近的转换效率或仅是起点，以HJT为基础的电池转换效率上限还远未达到。 二、异质结性价比逐步显现 HJT异质结电池除上述最关键的优势以外，同时具备N型衬底硅片可减薄、基本无光致衰减，以及温度