光电子器件

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太阳能有望成为最廉价能源,薄膜技术进步是主因来源:世纪新能源网 发布时间:2015-07-26 23:59:59

潜力巨大,而且使用寿命长,在同样功率下,发电能力也比晶硅强,在生产过程中,能耗与污染方面也更具优势。庄大明的观点代表了学界的普遍认知,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所的孙云教授认为,到2020年,全球

太阳能有望成为最廉价能源:薄膜技术进步是主因来源:每日甘肃网 发布时间:2015-07-23 08:55:52

长,在同样功率下,发电能力也比晶硅强,在生产过程中,能耗与污染方面也更具优势。庄大明的观点代表了学界的普遍认知,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所的孙云教授认为,到2020年,全球薄膜产业将会

薄膜技术:清洁廉价太阳能来源: 发布时间:2015-07-22 09:37:59

潜力巨大,而且使用寿命长,在同样功率下,发电能力也比晶硅强,在生产过程中,能耗与污染方面也更具优势。庄大明的观点代表了学界的普遍认知,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所的孙云教授认为,到2020年

太阳能有望成为最廉价能源 薄膜技术进步是主因来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2015-07-22 08:53:23

使用寿命长,在同样功率下,发电能力也比晶硅强,在生产过程中,能耗与污染方面也更具优势。庄大明的观点代表了学界的普遍认知,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所的孙云教授认为,到2020年,全球薄膜产业将会

破解薄膜太阳能“中国式”困境:自主创新与引进技术并重来源: 发布时间:2015-06-29 09:05:59

温度低,可以在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上淀积,易于大面积连续化生产,材料、器件、商品化的组件在一个车间内同时完成,节省了许多工序。同时,太阳能电池实现薄膜化后,用硅量极少甚至没有,能极大的
,受生产设备和技术瓶颈的制约,产业发展一直缓慢。相关数据显示,2001年以前国内从事CIGS薄膜太阳能电池研究的单位极少,稍有影响的是天津南开大学光电子所和清华大学机械工程系功能薄膜研究室。南开大学

2015年SNEC光伏新品大盘点来源:Shine Magazine/光能杂志 发布时间:2015-06-02 11:03:45

,PERC电池技术通过在电池背面增加绝缘钝化层从而提升电池的转换效率。传统标准电池结构中光电子的复合限制了效率的进一步提升,而PERC电池则将p-n结间的电势差最大化,这就可以使电流更加稳定,降低了电子
便携式移动设备,HMI可选;超宽电压范围,极低的启动电压和更高的转化效率;合理的散热设计和元器件选择,更长的使用寿命;最低启动电压低至60V。 光伏水泵逆变器:BPD系列光伏水泵逆变器产品采用

太阳能电池原料关取得重大突破来源:新能在线 发布时间:2015-05-07 23:59:59

钙钛混合物是一种新型的原料,成本很低,还可应用于薄膜光电子学科,十分具有发展前景。该钙钛混合材料已经成功的证明可以应用于制造高性能太阳能电池和发光二极管,目前正在向薄膜光电子领域进军。尽管在评估结果中
显示该材料具有高迁移率和低缺陷密度,但是到目前为止,场效应器件还在正常工作中。据悉,这篇文章是第一篇介绍利用钙钛混合材料制造场效应晶体管并对其进行室温操作的文章。在该钛混合材料晶体管内,两极的电荷输送

中科院首次利用压电光电子学效应最优化硅基光探测器的性能来源:世纪新能源网 发布时间:2015-02-07 23:59:59

其他复合过程,从而实现对激光二激管、太阳能电池、光探测器等多种光电子器件的调控输出和性能增强,但调控的极值效果一直未在实验中观察到。 近日,中国科学院北京纳米能源与系统研究所王兆娜博士,于若蒙和温肖楠等人
索比光伏网讯:随着硅基集成电路在生活和科技中的普及,硅基的光电探测器也在光电子学领域展示出巨大的作用。通过与现有的纳米加工技术相结合,硅基光电探测器的性能得到了大幅度的提高,然而现有的硅基光电探测器

中科院半导体所在柔性电子学研究中取得系列成果来源:世纪新能源网 发布时间:2015-02-02 23:59:59

半导体研究所沈国震课题组通过设计多种结构和功能的无机半导体低维纳米结构,结合传统的微电子加工工艺,设计了多种结构和形式的柔性电子、柔性光电子器件,如柔性薄膜晶体管、光电探测器、传感器等,在柔性电子学领域
,设计并研制了具有超薄、高柔性的柔性储能器件,并且成功地实现了柔性储能单元和柔性电子、光电子器件的集成系统。相关工作多次在Nano Lett. (2012, 12, 3005.); Adv. Mater.

1-11月外商累计完成投资光伏产业1198.3亿元来源:前瞻网 发布时间:2014-12-26 08:38:32

 1-11月,外商企业累计完成投资光伏产业1198.3亿元,同比增长4.8%,增速比1-10月回升1.4个百分点,其中外商投资四成多集中于集成电路和光电子器件领域。内资企业完成投资9038.5亿元