光学晶体

至少延长了7倍，最终大大提高了太阳能电池的效率。低成本太阳能电池基于单晶或多晶体硅基底的硅太阳能电池是光伏市场的主体。但若全部用高纯硅制作，生产这种太阳能电池非常耗能，并且比较昂贵。为进一步推动
便宜和有源硅层较薄(20m)。这种低成本衬底包括高掺杂的晶体硅晶圆(用冶金级硅或废料加工的纯净硅)。用化学气相沉积法(CVD)在这种衬底上沉积一层外延有源硅薄层。产业竞争力外延薄膜硅太阳能电池的

太阳能电池，藉由光学设计的改良，该款太阳能光伏电池在屋外阳光下的转换率已自现行的4.5%提升至7%的水准，TDK并计画于今(2011)年夏天透过甲府工厂量产该款太阳能光伏电池。据报导，该款太阳能电池为采用
的城市环境，比传统的晶体硅太阳能光伏电池薄98％，成本降低一半，被称为"下一代非常有前途的新型薄膜太阳能光伏电池"。此次深港合作研制的CIGS电池，纤薄易携，性能稳定，既适用于给屋宇楼顶及建筑外墙发电

索比光伏网讯:图1 　中远红外非线性光学材料BGSbS的晶体结构中远红外（220 m）二阶非线性光学（NLO）材料在光电对抗、资源探测、通讯等方面有重要的应用。非线性光学材料对其晶体结构具有特殊的

索比光伏网讯:氮化硅膜作为晶体硅太阳能电池减反射钝化膜是目前太阳能电池制备的主流，然而由于用PECVD来制备的氮化硅膜，是以SixNyHz方式来表达的，其中的x,y,z的数值直接影响了膜的光学性能和
对晶体硅太阳电池表面和体内的钝化作用，因为其数值对于膜的折射率、消光系数、致密性都有直接的影响，本文的目的就是研究工艺气体流量对膜性能的影响。一、机理分析1.1气体的输运在CVD系统中，气体的流动处于

索比光伏网讯:目前第三代的太阳能硅锭是控制型准单晶或全单晶铸锭方法。大体采用修正型Bridman方法或修正型VGF（VerticalGradientFreeze）方法。这些技术已成功用于光学晶体
生长和半导体晶体生长。第一代是传统铸锭技术，第二代是定向铸锭技术，第三代是晶体生长技术。晶体生长需要控制籽晶熔化、温度梯度、界面形状。最终实现单晶生长、降低位错、控制浓度。控制热流法精功CHFA原理图热流

重新设计修正型Bridgman或修正型VGF（VerticalGradientFreeze-VGF）方法。这些技术已成功用于光学晶体生长和半导体晶体生长。类单晶硅锭技术类单晶硅片Q-Cells高效组件由

情况以及材料的属性。为此，弗洛维特团队使用了英国等离子探索有限公司研发的新奇沉积技术利用高靶溅射(HiTUS)来促进等离子溅射。氧化铪是一种电绝缘体，能被用于制造光学涂层、电容器以及晶体管等。因为氧化
铪的介电常数(电位移与产生电位移的电场密度之间的比率)比较高，而材料的介电常数越高，其存储电荷的能力越强，也就是说电容越大，有些公司目前正用氧化铪替代晶体管中的二氧化硅。氧化铪可以不同的非晶体结构和

铪是一种电绝缘体，能被用于制造光学涂层、电容器以及晶体管等。因为氧化铪的介电常数（电位移与产生电位移的电场密度之间的比率）比较高，而材料的介电常数越高，其存储电荷的能力越强，也就是说电容越大，有些公司
目前正用氧化铪替代晶体管中的二氧化硅。氧化铪可以不同的非晶体结构和多晶体结构的形式出现。但非晶体结构缺少多结晶结构内存在的晶界（一个多晶体内材料内，两个晶体相遇的点就是晶界），因此比多晶体结构更好。晶

Ba3CsGa5Se10Cl2）中远红外（220 m）二阶非线性光学（NLO）材料在光电对抗、资源探测、空间反导、通讯等方面有重要的应用。目前商用中远红外二阶NLO材料为AgGaS2和ZnGeP2，但这两个材料又都存在一些
Chem. Soc., 2012, 134, 22272235），这些材料的发现及设计思想的提出为寻找新型中远红外NLO材料提供新的思路和方向。此前，该研究小组还在新颖结构NLO晶体材料的研究方面取得了系列

/（0.05+0.02+0.7*0.07-0.012）=7009元/KW　　再将此价带入表一就可得出光伏发电中晶体硅.薄膜和高倍聚光等技术在0.5元/度时对应的价格（其中价格是以晶体硅电站为基准，参考薄膜和高倍聚光技术效率