光学器件

102、制造半导体器件时检验半导体晶片、元器件或检测光掩模及光栅用的光学仪器 103、三坐标测量机：X×y×Z＞3000×3000×2000mm，单轴精度＜(1+L／400)mm，空间精度

有限公司（SKE）自1995年12月成立以来作为京瓷集团的零部件事业制造公司发展至今。现在除片式电容器之外，还生产用于电子元器件的多层集成电路封装、机能零部件（TCXO、VOC、FEM）、压电零部件
位于上海外高桥保税区，并在上海陆家嘴、深圳设有事务所。 东莞石龙京瓷光学有限公司 东莞石龙京瓷光学有限公司（简称SKO）位于中国华南经济最发达的珠江三角洲---广东省东莞市石龙镇，作为专门生产照相机的

第三次挑战。太阳电池本来是晶体硅的应用领域，挑战者称，太阳电池虽然是高品位的光电子器件，但不一定要用昂贵的晶体半导体材料制造，廉价的非晶硅薄膜材料也可以胜任。1．2非晶硅太阳电池的理论与技术基础的确
立 无定形材料第一次在光电子器件领域崭露头角是在1950年。当时人们在寻找适用于电视摄像管和复印设备用的光电导材料时找到了无定形硒（a一Se）和无定形三硫化锑（a一SbS3）。当时还不存在非晶材料

问题也是晶粒的致密度问题。 除了上述制备薄膜的方法外，在用多晶硅薄膜制备太阳电池器件方面人们也采取了一系列工艺步聚，以提高效率。这些工艺步聚包括： （１）衬底的制备和选择 （２）隔离层的制备
（３）籽晶层或匹配层的制备 （４）晶粒的增大 （５）沉积多晶硅薄膜 （６）制备Ｐ－Ｎ结 （７）光学限制：上下表面结构化，上下表面减反射 （８）电学限制：制备背场（ＢＳＦ）和前后电极的欧姆

具有纤锌矿结构，是直接带隙材料，带隙较宽，为2.42eV。实验证明，由于CdS层吸收的光谱损失不仅与CdS薄膜的厚度有关，还与薄膜形成的方式有关。 1.2 CdS薄膜光学性质 CdS薄膜
亲和势为4.58eV，与CdS的电子亲和势（4.50eV）相差很小（0.08eV），这使得它们形成的异质结没有导带尖峰，降低了光生载流子的势垒。 2.2 CulnSe2材料的光学性质

。太阳电池本来是晶体硅的应用领域，挑战者称，太阳电池虽然是高品位的光电子器件，但不一定要用昂贵的晶体半导体材料制造，廉价的非晶硅薄膜材料也可以胜任。1．2非晶硅太阳电池的理论与技术基础的确立 无定形
材料第一次在光电子器件领域崭露头角是在1950年。当时人们在寻找适用于电视摄像管和复印设备用的光电导材料时找到了无定形硒（a一Se）和无定形三硫化锑（a一SbS3）。当时还不存在非晶材料的概念及有关的