光伏清洗方法

主要考面取向密度 根据客户要求 　　其中电阻率、OISF密度、以及碳含量是衡量单晶硅棒等级的关键参数。这些参数在单晶成型后即定型，无法在此后的加工中进行改变。 　　测试方法
生长→切断→外径滚磨→平边或V型槽处理→切片 　　倒角→研磨 　　　腐蚀--抛光→清洗→包装 　　切断：目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切

5．晶体硅太阳电池及材料引言 1839年，法国Becqueral第一次在化学电池中观察到光伏效应。1876年，在固态硒（Se）的系统中也观察到了光伏效应，随后开发出Se／CuO光电池。有关硅
％的电池都采用深结而不是浅结。浅结电池已成为历史。 PEsC电池的金属化由剥离方法形成Ti-pd接触，然后电镀Ag构成。这种金属化有相当大的厚／宽比和很小的接触面积，因此这种电池可以做到大子83