光伏清洗方法

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中国光伏产业的“现象级裁员”来源: 发布时间:2012-10-12 15:46:10

企业难有圆满结局。裁员举措无实质性作用裁员是超短期内缓解企业财务支出的手段,并非挽救企业于困境的良策。光伏巨头们试图通过裁员来实现扭亏为盈的想法太过滑稽。光伏产业结构调整即将带来,行业大清洗必然会
索比光伏网讯:适逢后金融危机时代,全球各产业受到巨大冲击,国民经济增速普遍下滑,光伏产业也难以独善其身,在经历过短暂高涨期后迅速进入下行通道。行业内部问题丛生,诸多弊病批量爆发,昔日的朝阳产业面临

太阳能光伏产业“十二五”发展规划来源: 发布时间:2012-09-28 15:52:08

制造设备销售收入超过40亿元人民币,出口交货值达到1亿元人民币。 6.国内光伏市场逐步启动,装机量快速增长 我国已相继出台了《太阳能光电建筑应用财政补助资金管理暂行方法》和《关于实施金太阳示范工程的
目 录 前言 1 一、十一五发展回顾 2 (一)我国光伏产业概况 2 (二)我国光伏产业发展特点 4 二、十二五面临形势 5 (一)我国光伏产业面临广阔发展空间 5 (二

那些倒霉的光伏企业来源: 发布时间:2012-08-27 10:20:59

2012年对于我国光伏产业来说,可谓是内外夹击步履维艰。在经过前几年光伏产业爆发式发展之后,从2011年开始,全球光伏产业发展急转直下。美 、德等国家多个光伏企业倒闭或寻求破产保护,中国光伏产业也

光伏技术】高效晶体硅太阳能电池-MWT电池来源: 发布时间:2012-08-17 09:44:32

索比光伏网讯:T 电池是金属穿孔卷绕(metallization wrap-through, MWT)硅太阳能电池的简称。MWT技术是荷兰规模最大的太阳能电池生产商Solland Solar开发的
用于其Sunweb电池的方法。该技术应用P型多晶硅,通过激光钻孔将电池正面收集的能量穿过电池转移至电池的背面。这种方法使每块电池的输出效率提高了2%,再与电池组件相连接,所得的输出效率能提高9%,如图

太阳能硅片切割的线痕和断线分析来源: 发布时间:2012-07-05 16:34:51

索比光伏网讯:硅片切割是太阳能光伏电池制造工艺中的关键部分。该工艺用于处理单晶硅或者多晶硅的固体硅锭。线锯首先把硅锭切成方块,然后切成很薄的硅片,这些硅片就是制造光伏电池的基板。硅片是晶体硅光伏

国内改良西门子法多晶硅生产成本探讨(二)来源: 发布时间:2012-06-29 12:03:34

索比光伏网讯:电力对多晶硅生产成本的影响:电力成本是整个改良西门子法多晶硅生产成本中最重要的部分,其控制的好坏直接影响多晶硅产品的市场竞争力。而影响多晶硅成本的主要因素就是电价和电耗。2.1、电价的
质量方面的主要表现就是产品爆米花的大小与多少。爆米花主要是反映多晶硅表观的好坏,爆米花比较多的硅棒在化学清洗时不易处理干净,杂质和水份会残留在多晶硅表面,影响区熔成晶,甚至迫使中断拉晶操作。即使用作直拉料

中科院在晶体硅电池表面钝化技术及表面减反方面取得进展来源: 发布时间:2012-06-25 11:46:35

索比光伏网讯:在晶体硅太阳能电池应用中,有效的表面钝化可以极大地降低光生载流子的复合速率,从而提高电池的光电转换效率。与此同时,有效的电池限光结构可以提高入射光在电池内部的光程,提高电池对入射光的
吸收率。通常的方法是晶体硅表面的绒面结构,结合前表面的氮化硅减反层来实现。对于传统的丝网印刷铝背场p-Si电池,在电池背表面采用铝背场结构(Al-BSF),这种电池由于背表面点复合速率比较高,电池的效率

宁波材料所在晶体硅电池表面钝化技术及表面减反方面取得进展来源:世纪新能源网 发布时间:2012-06-21 23:59:59

索比光伏网讯:世纪新能源网讯,在晶体硅太阳能电池应用中,有效的表面钝化可以极大地降低光生载流子的复合速率,从而提高电池的光电转换效率。与此同时,有效的电池限光结构可以提高入射光在电池内部的光程,提高
电池对入射光的吸收率。通常的方法是晶体硅表面的绒面结构,结合前表面的氮化硅减反层来实现。对于传统的丝网印刷铝背场p-Si电池,在电池背表面采用铝背场结构(Al-BSF),这种电池由于背表面点复合速率

光伏多晶硅生产:挑战,工程和规模扩展来源:SEMI 发布时间:2012-06-20 23:59:59

索比光伏网讯:作者:P. A. Ramachandran,Washington University,USA   硅基光伏(PV)电池在太阳能的利用上预计将起重要作用,多晶硅的市场在未来5年将
产能小于100吨/年的工厂中这是不合算的。大规模工厂的提高要求详细的化学工程分析,增加采用工艺模型和优化工具。这些系统的反应器设计和扩大规模需要多学科建模方法,这涵盖化学动力学、粒子成核及生长

用ECR-CVD改善硅基异质结太阳电池的界面钝化的影响来源:SEMI 发布时间:2012-06-20 23:59:59

索比光伏网讯:作者:C. C. Lee、Y. H. Chu、H. Z. Wang、J.Y. Chang、Tomi Li、I-Chen Chen,National Central University
的生长条件后,制备了有光学抗反射TCO层的氢化微晶硅氧化物(c-SiOx:H)异质结太阳电池。其转换效率高达12%。这证明了这种简单加工方法的技术潜力。实验和结果实验中采用的ECR-CVD系统是单一