低电阻

流：直流和交流线绝缘电阻过小都会出现漏电流，大部分厂家都会设定两个绝缘电阻值，如100千欧和50千欧，低于100千欧逆变器就会报警告，但不停机，让维护人员封闭现场，晚上再处理，稍低于这个值对设备影响不大
;电站投资方也应养成经常看电站运行数据的习惯，发现问题及时解决。 安全方面：直流电压过高、直流绝缘阻抗低，AFCI直流拉弧，这些故障如果不当即处理，就有可能引发人身触电事故，或者火灾事故，或者影响电网其它

共聚物。相对于EVA胶膜，POE胶膜最大的优势就是低水汽透过率和高体积电阻率，保证了组件在高温高湿环境下运行的安全性及长久的耐老化性，使组件能够长效使用。 我们现在采购的原料较半年前，成本上涨了十几个点
封装胶膜主要包括EVA胶膜和POE胶膜两种。前者是一种乙烯-醋酸乙烯共聚物，具有熔点低，流动性好，透明度高，层压工艺成熟等优点，但强度低，水汽透过率和吸水率较大，耐候性较差。POE是一种乙烯-辛稀

流：直流和交流线绝缘电阻过小都会出现漏电流，大部分厂家都会设定两个绝缘电阻值，如100千欧和50千欧，低于100千欧逆变器就会报警告，但不停机，让维护人员封闭现场，晚上再处理，稍低于这个值对设备影响不大
。 安全方面：直流电压过高、直流绝缘阻抗低，AFCI直流拉弧，这些故障如果不当即处理，就有可能引发人身触电事故，或者火灾事故，或者影响电网其它设备正常运行。 安规方面：电网电压异常，无市电，电网频率

上，日托光伏推出了独具特色的半片组件。张凤鸣博士表示，常规半片组件采用分别串联的方式，中间有个腰带，会浪费一定的组件面积，降低颜值的同时拉低转换效率。而日托光伏的半片组件，采用导电背板后，没有焊带，也
减少遮光，提升组件转换效率。同时，无焊带设计可以降低电池片间的串联电阻，提高输出功率。 去掉焊带的另一好处是避免焊带与硅片之间的应力造成碎片，规避焊接不良和隐裂等问题，提高生产良率，在封装环节，也

片间距的增加，组件电阻也会随之增加。本文章从组件间隙光着手，主要探讨优化晶硅电池组件光利用的方法，在组件高功率和高密度之间取得平衡。 ● 什么是间隙光利用的高功率组件? 通过在组件背胶膜、背玻或者
。片间距提升后，互联条尺寸长，组件Rs值也随之提升，在初期Rs带来的功率损耗暂时比不上片间距增大带来功率增益，但随着片间距的进一步提升，组件间隙中心处光线到相邻两边的距离增加，陷光率低的组件间隙光增益

吸收以及减少死层降低复合从而提升转换效率。但是高方阻浅结使得表面薄层电阻增加，尤其对银浆与硅片间的接触电阻形成了巨大的挑战。贺利氏新一代SOL9671B在高掺杂区域100欧姆每方块电阻的电池上相较于

要保证与硅界面有高的粘结强度和低的接触电阻，同时要为电流输出提供高导通路，是决定电池光电转化效率和成本高低的主要影响因素之一。目前常见的 HIT 电池金属化技术包括丝网印刷、电镀铜。 丝网印刷
电池上表面为 TCO，电荷不会在电池表面的 TCO 上产生极化现象，因此 HIT 电池无 PID、LePID 现象。松下 HIT 组件 25 年后发电量仅下降 8%。 (4)温度系数低，高温环境

时候，就不得不报废了。但用在电车上虽然不行，能不能在其他要求相对低一点的领域继续 发挥余热 呢? 这便是电动汽车动力电池 梯次利用 的概念。麻省理工大学的一个研究团队近期在《应用能源
，剩余的电量却有高有低。 如果一节单体电池的容量已经非常低了，超期服役会发生电池容量的突然衰减，俗称跳水。跳水可能会导致电池膨胀、起火等安全事故的发生，威胁到电池模块、甚至整个用电系统的安全运行。就算

在硅中的分凝系数低，为了保证掺镓单晶硅片的电阻率符合客户要求，拉掺镓单晶硅棒时，每炉需要拉7根单晶硅棒，因此大尺寸热场拉掺镓单晶成本与拉P型掺硼单晶成本差不多，但是小尺寸热场拉掺镓单晶时，掺镓单晶硅棒
大势所趋 一直以来，光伏行业的硅片都是掺硼的P型硅片，这是因为硼在硅中的分凝系数最接近1，最容易获得电阻率一直的P型硅片，但是这也带来一系列的问题，如硅中的硼氧复合体导致太阳能电池效率衰减很大。2017

电流。同时，背部采用优化的金属栅线电极，降低了串联电阻。通常前表面采用SiNx/SiOx双层薄膜，不仅具有减反效果，而且对绒面硅表面有很好的钝化效果。目前IBC电池是商品化晶体硅电池中工艺最复杂
直接刻蚀(如SiNx吸收紫外激光能量而被刻蚀)，激光的方法都可以得到比丝网印刷更加细小的电池单位结构，更小的金属接触开孔和更灵活的设计。需要留意的是激光加工带来的硅片损伤，以及对接触电阻的影响;另外