低温多晶硅

涉及以下几个方面：非晶硅光致退化机理和稳定性改进；薄膜多晶硅低温成核及晶化机理；微晶硅生长机制、结构控制及电性能调制；特定光伏薄膜材料，特别是纳米技术微结构与光伏性能及制备新技术的研究，拓宽光谱响应的
。 基于晶体硅(单晶硅和多晶硅)的太阳能电池由于发展历史较早且技术比较成熟，在装机容量一直占据领先地位。尽管技术进步和市场扩大使其成本不断下降，但由于材料和工艺的限制，晶体硅太阳能电池进一步降低成本的空间

应用价值。风能资源理论储量为32.26亿千瓦，而可开发的风能资源储量为2.53亿千瓦。地热资源的储存条件也较好，其远景储量相当于2000亿吨标准煤以上，已勘探的40多个地热田可供中低温直接利用的热储量
用能问题。 　　 （2）太阳光电转换技术中太阳电池的生产和光伏发电系统的应用水平不断提高。在我国已能商品化生产的单晶硅、非晶硅太阳电池的效率分别为12～13%和4～6%，多晶硅太阳电池也有少量的中试

工艺；无氯工艺技术，Al－Si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。二、国内多晶硅产业概况我国集成电路的增长，硅片生产和太阳能电池产业的发展，大大带动多晶硅材料的增长。太阳能电池用多晶硅按每生产1MW

× 156mm电池片生产的需要，就必须改用8英寸单晶炉，但其生产成本将远高于多晶铸锭法生产的硅片，是电池企业无法接受的。因此，光伏用156mm×156mm硅片将转向多晶硅片，改用多晶硅铸锭炉生产，将拉动
左右。主要厂商如下： 　　中国电子科技集团第48研究所：国内太阳能电池设备的最大供应商，所生产的扩散炉、等离子刻蚀机、低温烘干/高温烧结炉、管式PECVD等占据了绝大部分国产设备市场并开始出口，单晶炉

(工业硅，99%纯度)—高纯硅(6N或以上纯度)—单晶硅或多晶硅—硅片—电池—组件—应用产品，设备是基础和支撑，贯穿了所有环节。 　　除前道的材料提纯、硅片加工和后道的组件生产外，最关键的工序为
电池制造，它包括清洗、制绒、扩散、刻蚀、减反射膜制备、电极印刷、低温烘干、高温烧结、自动测试分捡等。 　　经过数年的艰苦努力，我国光伏设备企业已基本具备太阳能电池制造整线装备能力，部分产品如扩散炉、等离子

的增长速率会降低。我们采用MILC和光脉冲辐射相结合的方法，实现了a-Si薄膜在低温环境下快速横向晶化，得到高迁移率、低金属污染的多晶硅带。 结束语 除了上述几种制备多晶硅薄膜的主要方法

温度高于600℃,衬底使用昂贵的石英，但制备工艺较简单。另一类是低温工艺，整个加工工艺温度低于600℃，可用廉价玻璃作衬底，因此可以大面积制作，但是制备工艺较复杂。目前制备多晶硅薄膜的方法主要有如下几种
到400cm2/v.s，是目前综合性能最好的低温多晶硅薄膜。工艺成熟度高，已有大型的生产线设备，但它也有自身的缺点，晶粒尺寸对激光功率敏感，大面积均匀性较差。重复性差、设备成本高，维护复杂。 快速热退火

。 　　（2）加工工艺知识 　　多晶硅加工成单晶硅棒： 　　多晶硅长晶法即长成单晶硅棒法有二种： 　　CZ（Czochralski）法 　　FZ（Float-Zone Technique）法
）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。 　　（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定

影响，若要再大幅度地降低单晶硅太阳电池成本是非常困难的。作为单晶硅电池的替代产品，现在发展了薄膜太阳电池，其中包括非晶硅薄膜太阳电池，硒铟铜和碲化镉薄膜电池，多晶硅薄膜太阳电池。在这几种薄膜电池中，最
，在美国已有一些公司开始建设这种电池的生产线。但是这种电池的原材料之一镉对环境有较强的污染，与发展太阳电池的初衷相背离，而且硒、铟、碲等都是较稀有的金属，对这种电池的大规模生产会产生很大的制约。多晶硅

速率大于10m／s。 用等离子体喷涂沉积多晶硅薄膜太阳电池，全部采用低温等离子CVD工艺。用碱或酸溶液腐蚀沉积的多晶硅层，在其上于200℃用等离子CVD形成厚度约20010-8cm的微晶硅作为