主栅
组件和超大电流组件均采用p型PERC单晶电池，半片电池封装形式，其差异点在于由于硅片尺寸不同导致的组件工作电流不同，同时晶澳182电池采用优化的11主栅设计，而超大硅片采用12主栅设计，从理论分析可知
PERC组件，采用掺镓硅片，有效降低光致衰减(LID)及热辅助光致衰减(LeTID)，并叠加SE激光技术提升电池转换效率。组件搭载行业先进的半片及多主栅电池技术，有效减少阴影遮挡影响，提升组件可靠性并显著
技术平台，搭载行业先进的多主栅、无损切割、半片、高密度封装等技术，拥有20.8%~21.3%+超高效率，机械可靠性进一步提高，显著减少后期运维成本。东方日升全新力作NewT@N系列同样推出针对分布式型号
) 远销海外的异质结组件采用M6尺寸硅片，异质结电池转换效率超24%，具备N型硅片优异的弱光响应、超低功率温度系数与超低衰减率等优势。搭配半片及多主栅电池技术，降低阴影遮挡影响，提升组件可靠性并有效降低
的研发、设计、生产和销售;主要产品为多主栅串焊机、硅片分选机、激光划片机、烧结退火一体炉/光注入退火炉、直拉单晶炉、模组PACK线、半导体键合机。
功率区间，应用方案高效灵活，可完美应对下沉市场复杂的屋顶环境，更便于实际安装落地。产品搭载多主栅、无损切割、半片、高密度封装等先进技术，功率稳步提升的同时良率与可靠性也进一步提高，显著减少后期运维成本
主栅(MBB)半片、无损切割、高密度封装、双层镀膜等先进技术，实现产品的高功率、高效率、高可靠、低电压、以及低系统成本(BOS)与LCOE特性。 ASTRO 6 性能保障 ASTRO 6
突破性重塑设计，有针对性地解决了异质结电池量产的难题。我们生产的M6尺寸电池片，结合组件多主栅、半片和叠焊技术，组件正面功率可达到510瓦，综合功率可达到570瓦，真正做到了降本增效，我们对未来继续
投资额仍有较大的 降本空间。 3) 浆料：HJT 需使用低温银浆，目前主要依赖进口，有望通过 4 大方向降本。 无主栅、多主栅技术在 HJT 电池、组件上的应用，使得银浆的耗量快速减少。 银包铜
550W+系列产品以天合光能优势的多主栅技术为基础，采用低电压、无损切割、高密度封装等先进技术解决方案，显著提升抗隐裂、抗热斑性能，进一步降低组件的系统成本及度电成本。经优化设计的至尊超高功率组件，在产品
