备CdS薄膜,其方法主要是将含有3和Cd的化合物水溶液,用喷涂设备喷涂到玻璃或具有SnO2导电膜的玻璃及其它材料的衬底上,经热分解沉积成CdS薄膜。
各国不同学者采用的工艺都基于如下热分解效应
制备Cd1-XZnXS来代替CdS,以改善小层的电子亲和力和降低界面态数目。
由于喷涂法制备Cu2S/CdS(Cu2S/Cd1-XZnXS)薄膜太阳电池,不采用真空设备,使工艺得到简化
是为了降低成本,其优点是能直接制备出适于规模化生产的大尺寸方型硅锭,设备比较简单,制造过程简单、省电、节约硅材料,对材质要求也较低。晶界及杂质影响可通过电他工艺改善;由于材质和晶界影响,电池效率较低。电池工艺主要
,所得多晶硅电他的效率也能达到13。4%。我国北京有色金属研究总院及中科院感光化学研究所共同研制的在丝网印刷的多晶硅太阳电池上使用多孔硅也已达到接近实用的结果。 由于多晶硅材料制作成本低于单晶硅
,PECVD镀膜设备,丝网印刷设备,烘干烧结设备,划片机,自动焊接机,组件层压机等等。 技术研发或引进 44 太阳能电池测试设备 包括:太阳能电池分选设备,太阳模拟仪,高压绝缘测试设备