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刻蚀剂，与硅反应后生成具有挥发性的SiF4，后面还将详细介绍。5.1.2刻蚀技术的分类及特点刻蚀是采用化学或物理的方法，有选择地从半导体材料表面去除不需要材料的过程。通常刻蚀技术分为湿法腐蚀和干法刻蚀
两种。1.湿法腐蚀湿法腐蚀是通过化学溶液与被刻蚀材料发生化学反应而去除被刻蚀物质的方法。湿法刻蚀的特点是各向同性，但会因存在侧向腐蚀而产生底切现象，从而导致线宽失真，特别是微细线条的刻蚀更为困难，因此

孤岛效应"测试等各种新规范。在对硅基MOSFET等新材料的要求方面，SiC技术在碳化物领域发生了显著的改变，使得MOSFET(金氧半场效晶体管)的生产能力远超出了相类似的硅绝缘栅双极型晶体管
。新的标准在各种程度上对光伏逆变器提出了不同的要求：对效率、成本及稳定性等关键特征的发展;与碳化硅、氮化镓等新材料的兼容性;与微型逆变器等创新型技术的整合;有效的最大功率点跟踪控制功能;以及遵循如"反

界和杂质最集中的微晶区域会显著影响材料的电学性能，并最终影响电池性能；另一方面，由于多晶硅中各部分缺陷和杂质分布的不均匀性，造成单片多晶硅片性能上的明显差别，研究表明，其少子寿命最低区域对电池性能具有
热处理过程，会加速晶界和位错对杂质的偏聚和沉淀。所以，微晶和分布晶区域是少数载流子的强复合中心，会导致材料电学性能的严重下降。如上图硅片少子寿命扫描图。对微晶和分布晶区域SEM和EDS分析显示，在微晶和分布晶

。但最常遇到的根本原因为，ＳｉＣ的切割强度偏低或者ＳｉＣ圆度系数过高即ＳｉＣ颗粒形状较圆，锋利的棱角较少。ＳｉＣ的强度在其原料生产时便决定了，ＳｉＣ的微粉化并不会改变其强度。如果ＳｉＣ本身材料的强度
硅（ｓｉ）和氮（Ｎ）；硅片基体成分能谱图（右）只含硅（ｓ１）元素成分；由分析可知硬点的成分为SiC和SixNy。此线痕与硅片切割的工艺和辅料无关，主要取决于多晶铸锭的原料和工艺。多晶铸锭前须先对坩埚

观摩了研发平台，详细了解了联合实验室和项目部组织形式、产品性能、产业化进展、产出成效等情况。中国科学院上海硅酸盐研究所索尼联合实验室主任李勇明介绍了联合实验室在染料敏化纳米晶太阳能电池关键材料开发中
取得的重要进展以及未来产业化目标。联合实验室研制的染料敏化太阳能电池主要原材料低廉的成本优势为其产业化进程铺平了道路。中国科学院上海硅酸盐研究所康宁联合实验室主任陈立东介绍了联合实验室的筹备过程

销售区域认证。而随着公司产能的扩张，可有效降低原材料成本，光伏项目将成为公司未来业绩增长的重要引擎。中国南车光伏逆变器实现高海拔并网发电据悉，日前，由中国南车株洲所自主研制的GTI-500型光伏逆变器
，市场份额仍达80%以上。薄膜电池有成本低，质量轻，透光性较好，柔韧性好，易于与建筑材料集成的特点，在建筑一体化（BIPV）领域具有显著的应用优势。CPV技术因其转化效率高、土地占用面积小，节能减排效果

经验，联合实验室将探索新技术，以支持未来产品的开发，从而满足中国乃至世界的广泛需求。联合实验室的首个项目是热电转换材料研究，正致力于开发新的高性能热电材料，以帮助车辆的余热高效利用与电气化，实现更好的
汽车燃油效率，降低尾气排放。作为特殊玻璃和陶瓷材料的全球领导厂商，康宁公司30年来一直积极参与中国的发展，最近刚刚在上海任命了康宁亚洲区首席技术官。 “我们非常重视与本地技术领导者的合作，从而在中国

再生能源电力并网损耗降低50%，例如光伏逆变器。这将有待于利用基于碳化硅（SiC）和硅上氮化镓（GaN-on-Si）的创新半导体器件实现。　　这些新型半导体器件未来还可用于台式机和笔记本电脑
项目提供了52.6%的资金，约合470万欧元。IKT 2020计划是 “增进电力电子装置能效”倡议行动一部分　　背景　　碳化硅材料如今已应用于肖特基二极管。碳化硅肖特基二极管的问世已有10年

很多部件仍然供不应求。2010年需求增长尤其快，各厂商纷纷增产的产品是从产业设备到消费类产品等广泛使用的功率半导体。日前，本站记者就其应用趋势以及使用SiC等新材料的功率半导体业务状况，采访了在德国
，因此便于迅速导入SiC功率半导体等最尖端的产品。 SiC功率半导体方面，已经开始全面实用化，比如三菱电机在空调中配备了二极管等。我们从2001年就开始量产SiC二极管，由于此前不得不

，但很多部件仍然供不应求。2010年需求增长尤其快，各厂商纷纷增产的产品是从产业设备到消费类产品等广泛使用的功率半导体。日前，本站记者就其应用趋势以及使用SiC等新材料的功率半导体业务状况，采访了在
虽然目前还不到10％，但今后有望增长。太阳能发电等新用途重视运转效率，因此便于迅速导入SiC功率半导体等最尖端的产品。 ——SiC功率半导体方面，已经开始全面实用化，比如三菱电机在空调中配备了二极管

特殊化学事业部研发出的CF系列硅片切削液，即具有优秀的刃料悬浮特性，能够有效悬浮 SiC 颗粒，提高切割效率；具有出色的润滑性能，可在硅片表面形成保护膜，有效降低表面缺陷；具有杰出的冷却效果，防治由于
www.dow.com.cn以及www.dow.com。关于陶氏特殊化学品事业部陶氏特殊化学品事业部旨在通过提供产品和服务为陶氏的客户和终端用户提供创新的材料和解决方案。产品覆盖面涉及加工助剂，合约制造

。基于晶体硅(单晶硅和多晶硅)的太阳能电池由于发展历史较早且技术比较成熟，在装机容量一直占据领先地位。尽管技术进步和市场扩大使其成本不断下降，但由于材料和工艺的限制，晶体硅太阳能电池进一步降低成本的空间
。围绕薄膜太阳能电池研究的热点是，开发高效、低成本、长寿命的光伏太阳能电池。它们应具有如下特征：低成本、高效、长寿命、材料来源丰富、无毒，科学家们比较看好非晶硅薄膜太阳能电池。非晶硅成薄膜太阳能

：（１）低成本（２）导电（或绝缘，依结构设计而定）（３）热膨胀系数与硅匹配（４）非毒性（５）有一定机械强度比较合适的衬底材料为一些硅或铝的的化合物，如SiC，Si3N4
，１９９７年每峰瓦单晶硅太阳电池的成本已经降到５美元以下。单晶硅太阳电池虽然在现阶段的大规模应用和工业生产中占主导地位，但是也暴露了许多缺点，其主要问题是成本过高。受单晶硅材料价格和单晶硅电池制备过程的

插入污掺杂层以克服界面壁垒。（3）p层材料采用宽带隙高电导的微晶薄膜，如μc-sic，可以减少P层的光吸收损失；减少电他的串联电阻。（4）为减少p／i界面缺陷，减少二极管质量因子，在p/i界面插入C含量
折的，全面总结其中的经验教训对于进一步推动薄膜非晶硅太阳电池领域的科技进步和相关高新技术产业的发展有着重要意义。况且，由于从非晶硅材料及其太阳电池研究到有关新兴产业的发展是科学技术转化为生产力的典型

5．晶体硅太阳电池及材料引言 1839年，法国Becqueral第一次在化学电池中观察到光伏效应。1876年，在固态硒（Se）的系统中也观察到了光伏效应，随后开发出Se／CuO光电池。有关硅
结构自始至终占主导地位，其它结构对太阳电他的发展也有重要影响。以材料区分，有晶硅电池，非晶硅薄膜电池，铜钢硒（CIS）电池，磅化镐（CdTe）电池，砷化稼电他等，而以晶硅电池为主导，由于硅是