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全行业金刚线产能800万km/月，而每月的需求量仅有200万km/月，金刚线全行业的平均开工率不足三成。血雨腥风的金刚线价格站的背后，则是被历史埋没的砂浆切割，易成新能是SiC材料的龙头，2017年底
击败应用材料、梅耶博格等一系列海外厂商，一举拿下丝网印刷设备近90%市场份额。迈为科技也因此获得丰厚回报，2014~2017四年间营业收入增长17.62倍;营业利润增长86.8倍。 8月29日

中心;二是场效应钝化，即通过电荷积累，在界面处形成静电场，从而降低少数载流子浓度。文献中齐晓光等采用RF-PECVD沉积技术制备P型非晶硅薄膜材料，研究硼烷浓度和加热温度对薄膜性能的影响。通过对
两者的优化，制备出了宽光学带隙、高电导率和致密性较好的P型非晶硅材料。作为窗口层应用到HIT太阳电池中，对其厚度进行优化，在n型单晶硅衬底上制备出了效率为14.28%的HIT太阳电池。文献中何悦等利用热

摘要:在太阳能多晶铸锭中，如何降低硬质点占比一直是一个重要课题，硬质点的多少直接影响后续切片加工的断线率。大家普遍认为，多晶铸锭中硬质点主要为硅团簇，SiO2，SiC，Si3N4等混合物，其形成与投
炉原材料有着重要的关系。本文介绍了多晶原料及低等级原料的使用。经研究分析，原生多晶和低等级料在每次投炉中的最佳使用量，以权衡生产成本与品质。目前，原生多晶是多晶铸锭选用的主要原料，经装料、铸锭、切

。 SiC作为下一代功率半导体的核心技术方向，与传统Si-IGBT模块相比， SiC功率模块最主要优势是开关损耗大幅减小。对于特定逆变器应用，这种优势可以减小逆变器尺寸，提高逆变器效率及增加开关频率
。目前，基于SiC功率器件逆变设备的应用领域正在不断扩大。但受制于成本因素，目前SiC功率器件市场渗透率很低，随着技术进步，碳化硅成本将快速下降，未来将是功率半导体市场主流产品。 (图五

用于光伏硅材料、蓝宝石等硬脆材料切割，而该等材料的主要传统切割方式为砂浆切割。因此，金刚线行业的市场空间主要取决于两个因素：一是金刚线对传统砂浆切割的替代程度，二是光伏行业、蓝宝石行业的发展状况
。 (1)金刚线切割对砂浆切割的替代情况硅的莫氏硬度为 6.5，蓝宝石莫氏硬度为 9，因此，对硅、蓝宝石等材料的物理加工工具的硬度有较高要求。硅材料、蓝宝石的传统切割工艺主要为砂浆切割，该工艺是以

IGBT、MOSFET等功率开关管，以及变压器、电感等磁性器件。损耗和元器件的电流，电压以及选用的材料采取的工艺有关系。 IGBT的损耗主要有导通损耗和开关损耗，其中导通损耗和器件内阻、经过的电流
技术路线：一是采用空间矢量脉宽调制等控制方式，降低损耗，二是采用碳化硅材料的元器件，降低功率器件的内阻，三是采用三电平，五电平等多电平电气拓扑以及软开关技术，降低功率器件两端的电压，降低功率器件的开关频率

备选项目，并根据国家科技计划预算落实情况安排立项。科技部随后公布了863计划和支撑计划在新材料、交通、先进能源、先进制造、信息、地球观测与导航、资源及环境、生物和医药、人口与健康、海洋、现代农业等11
带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用（前沿技术类，国拨经费控制额800万元，企业牵头）研制碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）电力电子芯片和器件，研究SiC和GaN器件在不同功率等级、电压范围

够清晰观察。体缺陷有很多种类，常见的有包裹体、气泡、空洞、微沉淀等。这些缺陷区域在宏观上与晶体其他位置的晶格结构、晶格常数、材料密度、化学成分以及物理性质有所不同，好像是在整个晶体中的独立王国
相称为夹杂物。应用电子探针和扫描电子显微镜观察到直拉或者区熔硅单晶中，存在α-SiC和β-SiC颗粒，其尺寸由几个微米到十几个微米。 3、孔洞硅单晶中存在的近于圆柱形或球形的空洞。在硅单晶机械

，钢线的密度为7.8kg/L，钢线的主要参数为钢线直径、钢线长度、拉伸强度、破断力、伸缩率等。在多线切割加工过程中，钢线作为实现对晶棒切割磨削的载体，通过高速运动，保证SIC磨料达到切削去除硅材料的
基本能量，SIC磨料在研磨去除中受到钢线压力，此压力来源于不断的进给运动，由于钢线的高速运动，带动磨料在钢丝和晶棒之间运动，实现对硅晶材料的切除，在此运动过程中，钢丝和被去除的硅材料相互都具有磨损，然而

控制的晶体管，它集中了GTR和MOSFET的优点，驱动电路简单和开关频率高，和MOSFET相似，输出电流大和GTR相似，第五代是加入SIC碳化硅材料的MOSFET和IGBT以及碳化硅肖特基二极管
的体积，就必须要减少功率器件的热损耗，目前有两种技术路线：一是采用碳化硅材料的元器件，降低功率器件的内阻，二是采用三电平，五电平等多电平电气拓扑以及软开关技术，降低功率器件两端的电压，降低功率器件的

硅片切割技术目前硅片切割技术多采用多线切割技术，相比以前的内圆切割，有切割效率高，成本低，材料损耗少。目前硅片能够切出的最薄度在200um左右。实际太阳能电池的最佳性能厚度是在60-100um.
平分各占成本33%左右，现在由于电池工艺和组件制造方面技术的改进，三者成本分布分别为50%，25%25%（成本）；在硅片切割过程中材料损失越位50%，浪费严重（材料节约）。因此对硅片技术进行研究，研讨