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(PCE) 提高到 17.13%，超过纯NiOx的15.64%。通过引入还原剂儿茶酚，效率进一步提高到 18.42%，优于基于PEDOT:PSS 的器件。此外，当用于三元共混体系(D18:N3:F-BTA3)时，PCE 达到19.18%高效率，在已报道的使用溶液加工无机纳米颗粒的OSC中表现最佳。

66.4%，功率转换效率(PCE)为16.9%。此外，外部量子效率测量得到的积分Jsc)(图1d)为23.4 mA/cm2，与J-V测量得到的平均Jsc (23.9 mA/cm2)吻合良好。图
太阳能电池的滞后指数(HI)随扫描速率的变化(图2f)，在扫描速率50 mV/S情况下观察到铅器件的HI (PCE)显著上升，而Pb-Sn基器件相对迟滞变化更小。虽然界面重组和电荷传输层的能带对准也

金属卤化物钙钛矿因其在光电和光伏应用中的前景而在过去十年中备受关注。单节钙钛矿太阳能电池 (PSCs) 已实现了高达 26% 的功率转换效率 (PCE)。尽管具有出色的性能，但由于担心其毒性，铅
基钙钛矿在实际应用中可能存在问题。最近，基于Sn的PSCs受到了很多关注，据报道PCE接近15%。然而，文献中提供的所有报告都涉及使用不可扩展技术(如旋涂)制成的小面积电池，因此，开发允许制造均匀

Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe) 太阳能电池由地球丰富的材料组成，由于非辐射复合，在实现高功率转换效率 (PCE) 方面面临挑战。这些限制主要源于吸收体主体和异质结界面区域普遍存在
综合表征表明，Ag合金化可大幅减少体内部的深层缺陷，而Al2O3 ALD工艺则有助于形成明确的p-n界面区域以及缺陷钝化。这种协同效应使得PCE增强并伴随着所有器件参数的改进。值得注意的是，经过额外的

以是半透明或彩色的，因此可以美观地融入建筑物、窗户和其他结构中。另一方面，与无机太阳能电池相比，开放式晶体管的功率转换效率(PCE)较低。TOSC 有助于改善这一问题。标准的二元有机太阳能电池由一种
成分对增加 PCE 尤为重要，它可以进一步拓宽可吸收光的光谱。通过选择能在供体或受体未覆盖的区域吸收光线的客体材料，可提高电池对阳光的整体吸收能力。同时，还可以对混合薄膜的形态进行微调，即对激子解离

光伏性能。图 4b比较了由新鲜溶液和老化溶液(在50 ℃环境下暴露并搅拌15小时)制造的对照器件和目标器件的电流密度-电压 (J-V) 曲线。基于新鲜溶液的对照电池的最高PCE为 23.34%(表
S3，反向23.34%，正向22.37%)，VOC为1.14 V，JSC为25.33 mA cm-2，FF为 80.86%。添加1 mg TFFH 后，实现了24.62%的最高PCE(表

克服光电转换效率限制的方法是将多种互补光活性材料结合在一个单一器件中。在迄今为止报告的不同类型的多结构设计中，因为c-Si与金属卤化物钙钛矿结合具有高PCE和低制造成本的潜力，在串联太阳能电池中已成为
，Me-4PACz和FBPAc的组合可实现高达19.5%的光电转化效率(PCE)。然后，作者调整了钙钛矿沉积条件，以在硅异质结底部电池上制备1 cm2的串联电池，该电池在晶片的两侧具有2至3 µm的金字塔结构

可印刷平面碳电极作为钙钛矿太阳能电池(PSC)的背面触点，有望取代热蒸发金属。然而，碳电极PSC(c-PSC)的功率转换效率(PCE)明显落后于其金属电极对应物。埃尔朗根-纽伦堡大学
HTL增强了对碳的空穴提取，而内部HTL减轻了钙钛矿表面复合。因此，带有HTbL的全印刷c-PSC的PCE(19.2%)优于带有单个HTL的c-PSC(17.3%)。此外，该c-PSC在1个太阳、65°c

超过360°和大约8毫米的弯曲半径(图3)。此外，本文实现了器件尺寸和PCE的显著增加，分别从4 cm2和23.27%增加到244.3 cm2和24.5%(图3e)。工业级柔性c-Si太阳能电池的
实现表明这里展示的技术路线与标准化商业生产兼容。图 3. 太阳能电池(模块)性能【运行稳定】最后，研究人员研究了电池(模块)在极端条件下的运行稳定性。柔性电池的Jsc、Voc、FF和PCE在1000

尽管1，8-二碘辛烷(DIO)和1-氯萘(CN)等非挥发性添加剂有利于提高有机太阳能电池(OSCs)的功率转换效率(PCE)，但这些添加剂对相演变的影响目前仍不明确。近日，西安交通大学鲁广昊、Zhu
0.5%CN的辅助下，PM6:Y6共混膜的表面吸收光谱在TA处理后是不变的，这有助于减少PCE的变化。具有不同TA条件的添加剂器件的性能与薄膜表面的光学吸收有关，证明表面相偏析显著决定了光伏性能。

TÜV认证面积61.58cm²，PCE 20.08%2022年12月27日，杭州众能光电科技有限公司的钙钛矿太阳能电池组件效率再创新高，解决了一系列科学和工程问题，组件性能数据达到国际先进水平。本次
在TÜV认证组件的详细参数如下：Ø Area: 61.58cm²Ø Voc: 11.820VØ Isc: 130.633mAØ FF: 80.10%Ø PCE: 20.08%相比杭州众能光电前次