锡基卤化物钙钛矿因其高空穴迁移率和易加工性，成为p型薄膜晶体管的潜在沟道材料。高性能p型晶体管：制备的MACl取代FASnI晶体管实现空穴迁移率80cmVs、开关比3×10、阈值电压≈0V，是目前性能最优的锡基钙钛矿晶体管之一。

理论研究曾预测Cs4ZnBi2Cl12等层状双钙钛矿具备成为p型透明导体的潜力，但始终缺乏实验证据支持。该工作报道了层状双钙钛矿Cs4ZnBi2Cl12在p型透明导体方向的实验突破。创新点：1.水合诱导的形貌调控—提出利用水合处理实现层状双钙钛矿纳米晶由球形向纳米棒的可控转变。水合诱导的晶格调控策略有望推广至更广泛的无铅钙钛矿体系，拓展其在透明电子学、光伏及光电探测等领域的应用。

DCTP在甲苯、氯苯和氯仿等低极性溶剂中具有良好的溶解性，且不会损伤钙钛矿表面。经氯苯加工的DCTP中间层能充分钝化钙钛矿表面缺陷，并优化钙钛矿/空穴传输层界面的能级排列。结果表明，DCTP处理的器件实现了26.07%的冠军光电转换效率，且重现性优异，而参比器件效率为24.28%。

上能电气凭借其卓越的综合实力，成功入选“光伏逆变器厂商Tier1榜单”。此次入选，不仅是对上能电气技术实力与市场领先地位的认可，更是对其全球化战略布局与全面光储融合发展的充分肯定。面向未来，上能电气将继续以市场为导向、以创新为引擎，持续推动产品升级与迭代，深度赋能多元应用场景，为全球零碳转型贡献更多智慧能源力量。

钙钛矿太阳能电池因严重的非辐射复合导致光电压损失，限制了器件整体性能。为解决这一关键问题，华东师范大学保秦烨等人开发了一种通过双位点锚定桥的策略，用于调控钙钛矿与PCBM电子传输层之间的异质界面。通过形成强双位点P—O—Pb共价键，实现强化且均匀的钝化，有效降低了钙钛矿表面缺陷密度。同时，重构了钙钛矿表面能带结构，使费米能级上移并增强电场，促进钙钛矿/PCBM界面的电子提取。

开发多样化的光伏器件架构对提升光电转换效率（PCE）及实现与其他光伏材料的高性能叠层集成至关重要。尽管n-i-p结构在PbS胶体量子点（CQD）太阳能电池发展中占主导地位，但p-i-p结构的效率长期滞后，限制了其进一步发展。

论文概览针对有机太阳能电池中活性层形貌调控与电荷传输性能难以协同优化的问题，该研究创新性地引入p型棒状液晶有机半导体Ph-BTBT-10作为多功能添加剂，应用于D18:L8-BO基二元体系。优化后的器件实现了20.3%的转换效率，短路电流密度提升至27.28mAcm-2，填充因子高达80.5%。结论展望该团队通过引入p型液晶半导体Ph-BTBT-10作为多功能添加剂，成功实现了活性层形貌与电荷动力学的协同优化，在D18:L8-BO二元体系中获得了20.3%的高效率。

本研究重庆大学凌旭峰、苏州大学马万里和袁建宇等人采用功能化偶极分子在钙钛矿/电子传输层界面实现强化接触钝化。此外，-CF的疏水性和强化接触钝化还提升了器件的存储与运行稳定性。该研究揭示了界面偶极分子结构对增强接触钝化和调控载流子动力学的重要性。文章亮点偶极工程突破效率瓶颈：通过-CF功能化偶极分子构建垂直排列的强偶极层，将p-i-n型PSCs效率提升至25.83%，Voc达1.176V，FF达0.847。

科学家们发现，在钙钛矿层顶部加工的特定材料组合能够通过使用碳顶部电极有效地制造和运行p-i-n钙钛矿太阳能电池。长期以来，p-i-n器件中碳电极和金属电极的电子接触行为差异一直被忽视，并可能阻碍了该领域向碳基电极材料p-i-n器件方向的进展。为了克服这些问题，科学家们引入了一种双层原子层沉积氧化锡和聚-聚，可与p-i-n堆栈中的碳电极进行欧姆接触。这产生了高达16.1%的PCE，并在户外老化500小时后保持了94%的性能。