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为您找到 “P型<b>组件”相关结果306 个
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综合
电池片为什么会发生光衰减现象 影响因素有哪些?
来源:索比光伏
发布时间:2015-01-27 14:06:02
现象发生的主要原因是
P
型
(掺硼)晶体硅片中的硼氧复合体降低了少子寿命。通过改变
P
型
掺杂剂,用稼代替硼能有效的减小光致衰减;或者对电池片进行预光照处理,是电池的初始光致衰减发生在
组件
制造之前,光伏
组件
的
光伏要闻
【刘工总结】光伏
组件
问题系列总结——电池片为什么会发生光衰减现象 影响电池片光衰减的因素有哪些?
来源:索比光伏
发布时间:2015-01-26 23:59:59
。导致这一现象发生的主要原因是
P
型
(掺硼)晶体硅片中的硼氧复合体降低了少子寿命。通过改变
P
型
掺杂剂,用稼代替硼能有效的减小光致衰减;或者对电池片进行预光照处理,是电池的初始光致衰减发生在
组件
制造之前
光伏要闻
全球光伏发展简史
来源:索比光伏
发布时间:2015-01-24 23:59:59
。1958年美国信号部队的T.Mandelkorn制成n/
p
型
单晶硅光伏电池,这种电池抗辐射能力强,这对太空电池很重要;Hoffman电子的单晶硅电池效率达到9%;第一个光伏电池供电的卫星先锋1号发射
。这种技术的关键元件是太阳能电池。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的太阳电池
组件
,再配合上功率控制器等部件就形成了光伏发电装置。回顾历史有利于了解光伏技术的发展历程,按时间的发展顺序,太阳电池
光伏要闻
聚光型光伏模块转换效率的表征
来源:索比光伏
发布时间:2015-01-18 23:59:59
通过对聚光型ink"光伏(CPV)模块进行户外测试来评估其转换效率。由Fraunhofer ISE进行的CV性能评估包括了对Flatcon CPV模块进行性能确认,这种构想已经被用于室内,这项技术
模块(我们的Flatcon技术由Concentrix,即现在的Soitec公司所授权使用,但是我们仍然只安装了小尺寸的CPV模块)。这种PV模块的特征是:它是一个具有Ga0.50In0.50P
光伏要闻
太阳能电池背板用氟材料的应用研究
来源:索比光伏
发布时间:2014-12-13 23:59:59
未来可能提升的关键, 综合对比显示中等表面能四氟型太阳电池双面涂氟型背板技术(FFC)及其产品具有明显优势,双面涂氟技术已发展成为太阳电池背板主流技术。 提出了针对太阳能光伏应用领域开发出符合光伏
组件
光伏要闻
太阳能电池光伏背板用氟材料的应用研究
来源:索比光伏
发布时间:2014-12-12 11:38:21
的关键, 综合对比显示中等表面能四氟型太阳电池双面涂氟型背板技术(FFC)及其产品具有明显优势,双面涂氟技术已发展成为太阳电池背板主流技术。 提出了针对太阳能光伏应用领域开发出符合光伏
组件
复杂应用环境
光伏
组件
光伏背板
氟材料
光伏技术
【刘工总结】光伏
组件
封装材料总结之—电池的特性与设计
来源:索比光伏
发布时间:2014-12-09 23:59:59
如何突破转换效率30%的限制.商业生产落后于实验室技术许多年,但是我们能够预见的是在未来的几年中
组件
的效率会突破20%.电池
组件
的价值随着电能的转换效率而不同,所以电池
组件
要必须给定一个输出功率.一个
光伏要闻
【刘工总结】光伏
组件
封装材料总结之太阳能电池的性质
来源:索比光伏
发布时间:2014-12-08 23:59:59
2.1、光照效果硅太阳能电池是一个二极管,由
p
型
硅(一般为硼掺杂)和n型硅(一般为磷掺杂)结合形成。当光照射电池时有很多种情形,如图2-1所表现的那样。图2-1:光在电池中的吸收特性注:1.光在顶部
光伏要闻
HJT技术:引领高效太阳能光伏电池生产(图表)
来源:索比光伏
发布时间:2014-09-19 14:33:59
光伏系统所计算出的相对于
P
型
多晶
组件
的发电成本(LCOE)比例; (d) 在新德里采用不同的光伏技术
组件
搭建5MW光伏系统所计算出的相对于
P
型
多晶
组件
的LCOE比例 (a) 6英寸硅片上5个点位置的
HJT技术
太阳能光伏电池
HJT技术:引领高效太阳能光伏电池生产
来源:索比光伏
发布时间:2014-09-19 11:50:35
光伏系统所计算出的相对于
P
型
多晶
组件
的LCOE比例 (a) 6英寸硅片上5个点位置的潜在开路电压(iVoc)值和iVoc均匀性;(b) 1,150mm1,450mm PECVD 托盘上5个点位置
高效电池
HJT
光伏电池
组件
光伏科技
技术应用:一种单级光伏并网系统的MPPT算法的分析(上)【精华】
来源:索比光伏
发布时间:2014-09-15 23:59:59
常重要的。这里介绍了一个针对并网型ink"光伏发电系统的MPPT算法。该系统采用单级式结构,省去了储能环节,拓扑结构简单,且效率高。众所周知,光伏电池板作为光伏系统里很重要的组成部分,是整个系统能量的来源
。从电子系统方面考虑,对光伏
组件
进行最大功率点跟踪是降低发电成本、提高发电效率的最直接、最有效的方法。1、光伏电池输出特性分析光伏电池受外界因素(如环境温度、日照强度等)影响,输出具有强烈的非线性,其
光伏要闻
光伏电站价值提升策略之
组件
选型-单晶VS多晶
来源:索比光伏
发布时间:2014-08-28 23:59:59
是由B-O复合体或Fe-B复合体产生的,它的现象是
组件
在初始一个月的时间内发电效率迅速下降至临界值时趋于稳定,经过长期监测初始光衰后的电池片经过长期光照会有缓慢回升的现象:初始光衰一般情况下单晶
组件
光伏要闻
浅谈光伏
组件
重要参数
来源:索比光伏
发布时间:2014-08-26 10:07:30
的原因主要有以下三个方面:1)系统设计原因:光伏电站的防雷接地是通过将方阵边缘的
组件
边框接地实现的,这就造成在单个
组件
和边框之间形成偏压,
组件
所处偏压越高则发生PID现象越严重。对于
P
型
晶硅
组件
,通过
光伏要闻
光伏
组件
一二三:参数、热斑效应和PID效应、运营后检测
来源:索比光伏
发布时间:2014-08-26 07:50:26
: 1)系统设计原因:光伏电站的防雷接地是通过将方阵边缘的
组件
边框接地实现的,这就造成在单个
组件
和边框之间形成偏压,
组件
所处偏压越高则发生PID现象越严重。对于
P
型
晶硅
组件
,通过有变压器的逆变器负极接地
光伏电站
光伏
组件
光伏科技
【独家】浅谈光伏
组件
关键参数、热斑效应、PID效应和运营后检测【头条】
来源:索比光伏
发布时间:2014-08-25 23:59:59
现象的原因主要有以下三个方面:1)系统设计原因:光伏电站的防雷接地是通过将方阵边缘的
组件
边框接地实现的,这就造成在单个
组件
和边框之间形成偏压,
组件
所处偏压越高则发生PID现象越严重。对于
P
型
晶硅
组件
热斑效应
光伏要闻
WTO裁定传利好 光伏中概股反弹望引爆A股
来源:索比光伏
发布时间:2014-07-17 08:30:05
亿元,YOY分别下降12.5%和增长10.9%(扣非后分别同比增长62.5%和33%),EPS分别为0.59元、0.65元,对应目前A股股价P/E分别为13.8倍和12.4倍,PB2.08倍,B股P/E分别为8.4倍和7.5倍,PB为1.26倍,估值较低,对A、B股均给予买入的投资建议。
WTO
双反
反补贴
关税
国家战略新高地:高效太阳能电池技术
来源:索比光伏
发布时间:2014-07-16 09:01:59
太阳能电池。截至2013年底,太阳能电池产品中,晶体硅太阳能电池(主要是
P
型
单晶硅电池和多晶硅电池)占据市场主导地位,市场占有率超过90%;薄膜电池的市场占有率不到10%;新型电池及新概念电池大多
,可能需要我们实现从常规
P
型
晶体硅技术,到
P
型
晶体硅的PREC/PERT技术以及N型电池技术(含N型双面、异质结、背接触、异质结背接触电池)的转变。同时,薄膜电池与晶硅电池相比,在光电转换效率、成本和
太阳能电池
薄膜电池
电池政策
光伏热点:多晶硅市场将死?
来源:索比光伏
发布时间:2014-07-03 08:57:46
片156mmX156mm单晶硅电池)创造了
P
型
单晶硅
组件
输出功率新的世界纪录。该项成果经第三方TUVRheiland(莱茵)权威认证机构测试,峰值输出功率(Pmax)高达326.3瓦,表明其量产
差(2013年数据)。 目前,量产型多晶硅电池效率水平为17%-17.5%;N型单晶电池的产业化效率水平是21%-24%;国内
P
型
单晶电池产业化水平为18.7%-19.2%,海外则为19.2
多晶硅
单晶硅
光伏
组件
保利协鑫
产业
光伏行业热点观察:多晶硅市场将死?
来源:索比光伏
发布时间:2014-07-02 23:59:59
日,天合光能宣布,其单晶硅太阳能光伏
组件
(60片156mmX156mm单晶硅电池)创造了
P
型
单晶硅
组件
输出功率新的世界纪录。该项成果经第三方TUVRheiland(莱茵)权威认证机构测试,峰值输
光伏要闻
杜邦:N型硅或将取代
P
型
硅地位
来源:索比光伏
发布时间:2014-07-02 15:42:59
(N型硅对铁等重金属杂质有较高的容忍度);N型硅电池和
组件
的初始光诱导衰减几乎为零(在N型硅基底中没有硼氧原子对(B-O)形成)等。据国际光伏技术路线图(ITRPV)预计,N型单晶硅太阳电池的市场份额
杜邦
N型硅
P
型
硅
导电浆料
组件
封装材料
光伏要闻
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