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采用高纯SiO2作为涂层材料。陶瓷坩埚本身的SiO2含量较石英玻璃坩埚偏低，并且Si3N4涂层中O含量较高纯SiO2涂层偏低，从而导致多晶硅较单晶硅O含量明显偏低;此外，B-O复合体是影响
着重研究直拉单晶硅电池及铸锭多晶硅电池衰减的差异，以及导致差异形成的原因。结果表明，该差异的形成主要受B-O 复合体、碳含量、分凝系数及金属离子的影响。引言太阳电池和发电技术的大面积推广

一代产品分别提高0.2%的光电转换效率。同时，保利协鑫也将持续关注并投资未来技术。N型单晶电池目前因制造成本偏高只占了市场不到5%的份额，但协鑫致力于单晶硅棒，硅片的降本，预期硅棒环节的降本效果将逐步显现

最具竞争力的指标，天合光能不断突破极限。前不久，天合光能宣布，经第三方权威机构JET独立测试，以23.5%的光电转换效率创造了大面积N型单晶硅电池的世界纪录，将天合光能两年前创造的同项世界纪录提高
索比光伏网讯:不久前在杭州举行的二十国集团工商峰会（B20）上，全球太阳能理事会致G20的公开信以中英文形式向全球发布。这封信的背后的重要推手，就是常州天合光能董事长高纪凡。今年5月，作为中国光伏

) 随着用户要求更加苛刻，杜邦的神浆已经持续开发到PV19x系列，此外，对于不同电池结构与技术，杜邦也不断引领行业创新，持续把效率提升，例如针对局部背钝化电池(PERC)的整体解决方案，以及针对N型电池
，而杜邦的市场占有率为25%(杜邦CFC产品的商标是氟利昂)，是一款拥有巨大市场的高利润产品。两年后，杜邦推出舒瓦首个环境友好型制冷剂，并带动了一系列CFC替代产品的问世。杜邦最终于1994年停产CFC

，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC电池、N型电池规模化生产进一步扩大。与此同时，我国近99%光伏产品采用晶硅技术，新型薄膜、异质结、高倍聚光等技术路线发展缓慢，技术路线单一化程度偏高，产业后续发展隐患
全球主要光伏市场，如日本补贴持续下调、美国税收抵免政策到期等带来的波动影响，企业扩产仍需理性。 B 发展趋势（二）产业投资持续增强技术水平不断提升技术水平不断提升，生产成本逐步降低

电池、N型电池规模化生产进一步扩大。与此同时，我国近99%光伏产品采用晶硅技术，新型薄膜、异质结、高倍聚光等技术路线发展缓慢，技术路线单一化程度偏高，产业后续发展隐患明显。国内光伏制造业关键工艺技术
补贴持续下调、美国税收抵免政策到期等带来的波动影响，企业扩产仍需理性。 B 发展趋势（二）产业投资持续增强技术水平不断提升技术水平不断提升，生产成本逐步降低。2015年，在内外部环境的共同推动下

厚度的N型CZ硅片衬底，最高效率已达25%。SunPower目前拥有年产能为100MW的第三代（Gen3）电池生产线，并且还有年产能350MW的生产线在建。2014年该线生产的电池平均效率已高达
电池技术的研究进展图1 天合光能最新产业化IBC电池效率分布图 2 IBC电池结构及工艺技术 IBC电池的常见结构如图2所示。在高寿命的N型硅片衬底的背面形成相间的P+

处于很低水平时，电池的效率才会超过21%。当电池的厚度超过110m时，效率的提升幅度明显降低。2.实验　　2.1、PERC电池的制备工艺流程实验采用标准156mm156mmP型单晶硅片，扩散后方阻均为
加一正向偏压后，p-n结势垒区和扩散区就会注入少数载流子，这些非平衡少数载流子不断与多数载流子复合而发光。EL结合红外热成像测试，可以了解电池结区有无损毁以及烧结工艺有无问题。实验中，部分110m电池