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索比光伏网讯:2011年5月25日，一个平常的日子。这一天，在工业重镇株洲田心，却孕育着一场影响深远的产业变革: 南车株洲所大功率半导体IGBT产业化基地在这里奠基。3年过去了，曾经荒芜的土地
上矗立起一个具有国际先进水平的研发、生产基地。2014年6月，中国首条8英寸IGBT专业生产线在此建成并即将投产。这意味着，在世界大功率半导体高等级的芯片领域，首次有了中国人自主研制的芯片，它的成功投产

应用的FUJI IGBT模块的情况进一步磋商，就下一步的合作进行了深入探讨和交流，结成战略合作伙伴。富士（FUJI）中国除了胶片享誉全球，还在医药、高性能材料和许多其他高科技领域进行了创新性的探索。和富士的合作无疑给兆伏爱索生产更高性能的产品提供了强大的支持和有力的保证。

索比光伏网讯:世纪新能源网消息：2015年6月16日，英飞凌宣布推出新款Advantage系列 IGBT产品。近年来，中国的逆变焊机技术已日趋成熟，逆变焊机本身的技术和性能在不断提高，且得到各行业
用户的认可，并逐渐进入国际市场。作为功率半导体市场领军者，英飞凌凭借丰富的经验和创新实力，重视中国本土客户的需求，全新推出针对于逆变焊机应用的34毫米IGBT功率模块Advantage系列，该系

展示了650V TRENCHSTOP 5。新一代的薄晶圆IGBT绝缘栅双极型晶体管TRENCHSTOP 5自从2012年秋季推出以来，已经获得了巨大的市场关注，它被认为是一种革新的技术。如今已有400
多家客户收到样品，英飞凌于2013年5月开始量产，很多客户也将开始试产。TRENCHSTOP 5实现了IGBT产品性能的一大飞跃，与当前市场上主流IGBT的技术相比，其系统效率具有极大的改进。与竞争对手

考验，因此为了保证逆变器能适应各种极端天气环境，采用品质可靠的元器件就变得至关重要。其中，严寒天气主要需要考量的器件包括：芯片(IGBT)、DSP、滤波/母线支撑电容、继电器、交直流断路器、漏电
检测保护装置、液晶屏、PV端子等。 (1)芯片(IGBT)：低温对半导体的导电能力、极限电压电流及开关特性都有很大的影响。而一个芯片中往往包含了成千上万的晶体管及其他元器件，每一点小小的偏差累计可能造成

应用领域上主要是用于IGBT器件、高压整流器、大功率晶闸管，可控硅、电力电子器件、光敏二极管、射线探测器、红外探测器以及国防建设、航天、航空和航海等尖端科技领域，对国民经济发展和国防建设有着十分重要的作用
，目前市场存在很大缺口，具有非常广阔的产业前景。高压大功率IGBT功率器件的发展要求高质量的单晶硅，对硅晶体中杂质和缺陷的控制要求极高，因而，在将来相当长一段时间内6英寸及以上大直径区熔单晶硅始终是

，所以不会产生附加有害辐射。而太阳能逆变器仅仅是一般的电力电子产品，里面虽然有IGBT或者三极管，并且有几十k的开关频率，但是，所有的逆变器都有金属屏蔽外壳，并且符合全球规定的电磁兼容性的认证。SMA
转换成可以被我们使用的交流电。其中没有任何化学变化以及核反应所以光伏发电是不会有短波辐射的。而太阳能逆变器仅仅是一般的电力电子产品，里面虽然有IGBT或者三极管，并且有几十k的开关频率，但是，所有

展的历史、各个产业板块发展的情况、科技创新体系、人才体系等，介绍了光伏产业以高铁变流、网络、控制技术为核心的初心和梦想。随后王秘书长一行还参观了公司高铁模拟仿真实验室、IGBT产线、检测
充分的肯定，会上尤其指出中车作为从光伏逆变器整机研发到IGBT、传感器、母排、电抗器、变压器等核心器件全自主配套的企业，是业内仅有的。同时，也期待中车株洲所在当前国家大力发展绿色新能源光伏的形势下

、推挽式逆变器、半桥式逆变器和全桥式逆变器。 5.按逆变器主开关器件的类型可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器等。又可将其归纳为半控型逆变器和全控制逆变器
绝缘栅双权晶体管(IGBT)等均属于这一类。 6.按直流电源可分为电压源型逆变器(VSI)和电流源型逆变器(CSI)。前者，直流电压近于恒定，输出电压为交变方波;后者，直流电流近于恒定，输也电流为交变