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--GJB/Z299B-98(国军标);MIL-HDBK(美军标)。 2.逆变器的主要组成和寿命逆变器主要由印刷线路板、IGBT、直流母线电容器、液晶显示屏幕组成。为什么这样分类，主要是从部件寿命
的角度出发。大部分的电阻、电感、电容都焊接到了印刷线路板上，所以这些元器件的可以归为一类。IGBT是开关元器件，也是焊接在线路板上面，比较耐高温，原则上也可以归类于印刷线路板。母线电容的寿命与温度和

直流开关，不使用只留断路器。 2.2 直流滤波 IGBT在工作时，不仅仅向交流侧传递干扰信号，同时也向直流侧传导干扰信号，直流侧的干扰信号通过电池板的铝合金边框向周围环境释放被放大的干扰信号，这样
母线支撑电容母线支撑电容是逆变器的主要元器件，也就是我们常问起的，XX厂家逆变器是电解的还是薄膜的。母线电容也叫母线支撑电容，它安装在IGBT模块前端，起的主要作用稳定IGBT母线上的电压值

半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)是领先的功率器件半导体供应商，提供全面的功率器件，包括IGBT、MOSFET、二极管、宽带隙(WBG)等分立器件及智能功率
模块(IPM)等功率模块，尤其在收购Fairchild半导体后，是全球第二大功率分立器件半导体供应商，在IGBT领域有着不可比拟的优势，提供同类最佳的IGBT技术和最宽广的IGBT产品阵容

6月26日下午，为促进IGBT在光伏逆变器中的完美应用，古瑞瓦特与全球知名的IC及半导体制造商安森美半导体举行古瑞瓦特新能源及安森美半导体联合实验室揭牌仪式。古瑞瓦特副总裁兼研发总监吴良材、安森美
更精准推动IGBT实际应用,推进技术交流，实现IGBT等前沿技术的突破，更高效实现光伏产品开发。同时提前预演IGBT在逆变器中的应用，通过一系列严苛的测试保障产品稳定性;根据应用端的需求，定制化产品

是一个电流源，根据电路阻抗的大小，逆变器的BUS母线电压会稍高于电网电压，当负载侧有特别大的感性负载启动时，电网电压拉得很低，这时候逆变器输出电流会急剧上升，导致IGBT的工作电流也会对应急剧上升
，IGBT有过流损坏风险。当负载侧有特别大的感性负载停止时，电网电压又会突然升高，甚至会超过逆变器的BUS母线电压，电网电流倒灌逆变器，造成IGBT有过压损坏风险。 EMC电磁干扰会对逆变器IGBT

近日，古瑞瓦特与全球知名的IC及半导体制造商安森美半导体达成深度战略合作协议，双方携手成立联合实验室，共同推进IGBT在逆变器领域的技术创新与应用。作为全球领先的逆变器品牌，古瑞瓦特
为全球提供多元化的高品质产品和服务。逆变器内部，凡是经过大电流的功率型器件，如IGBT、电感等对品质要求极高，以确保逆变器能够长期稳定工作。古瑞瓦特始终坚守严控内核品质，逆变器的核心元器件如IGBT单管或

输出谐波降低到1.5 %，采用LCL滤波器滤除逆变器发出的高频电流，降低对电网的影响，大幅提升三相逆变器的电网友好性。六、采用最新进口元器件，性能更强 1) IGBT采用最新
第五代德国英飞凌IGBT，耐压值更高，载流量更强，功率损耗更小。 2) 控制板DSP芯片采用全新美国TI2806系列，支持更高的开关频率技术，采用更先进精密的算法，可以提高MPPT的追踪精度和效率

。设计阶段长期的测试验证过程散热性能是影响逆变器寿命及可靠性的关键因素之一，在逆变器内部凡是经过大电流的功率型器件，如IGBT、电感等都需特别关注其在各种严苛工作环境中的温升，以确保
。逆变器的两大散热源，一个是IGBT，一个是电感。古瑞瓦特已取得晶体单管压接工艺专利，这种压接工艺确保晶体管能够在长期的工作过程中紧密均匀贴合散热器，确保晶体管长期的散热可靠性，间接地保护逆变器的稳定性和

IGBT、MOSFET等功率开关管，以及变压器、电感等磁性器件。损耗和元器件的电流，电压以及选用的材料采取的工艺有关系。 IGBT的损耗主要有导通损耗和开关损耗，其中导通损耗和器件内阻、经过的电流
减小逆变器功率器件的开关损耗。采用碳化硅材料的元器件碳化硅器件的单位面积的阻抗仅为硅器件的百分之一。利用碳化硅材料制作的IGBT(绝缘栅双极晶体管)等功率器件，其通态阻抗减为通常硅器件的十分之一

流控制、散热设计、电磁兼容、谐波抑制，关键器件保护，效率控制等等，需要投入大量的人力和物力去研发和测试。本文主要介绍逆变器中的IGBT保护技术 IGBT是一种功率器件，在逆变器中承担着功率变换和
能量传输的作用，是逆变器的心脏。同时，IGBT又是逆变器中最不可靠的元器件之一，对器件温度、电流、电流非常敏感，稍有超标，一言不合便炸机，而且不可修复，IGBT损坏就意味着逆变器需要更换或者大修。因此