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从国内逆变器市场退出，逆变器的技术也向UPS靠拢。国产的元器件占领了市场。近年来逆变器行业几次大的降成本措施：1、功率器件IGBT降价：2012年前500KW的逆变器大部分是英飞凌公司的
FF1200R12IP4，近年来英飞凌公司推出了工业级的FF600R12ME4，成本一下降了50%，加上富士，三菱也推出了替代英飞凌的器件，价格也比它便宜。经过两年多时间的运行，工业级的IGBT表现还算可以

逐渐从国内逆变器市场退出，逆变器的技术也向UPS靠拢。国产的元器件占领了市场。近年来逆变器行业几次大的降成本措施： 1、功率器件IGBT降价：2012年前500KW的逆变器大部分是英飞凌
公司的FF1200R12IP4，近年来英飞凌公司推出了工业级的FF600R12ME4，成本一下降了50%，加上富士，三菱也推出了替代英飞凌的器件，价格也比它便宜。经过两年多时间的运行，工业级的IGBT

中环股份是国内历史最悠久、综合技术实力最雄厚、产品种类最丰富的单晶硅材料制造企业,实际控制人为天津市国资委。依托单晶硅材料领域的技术优势,公司形成了独特的单晶硅硅棒-电子级半导体单晶硅片-半导体芯片
第一全球第三,将冲击全球第二。目前公司8寸区熔晶硅技术全球领先,公司将继续开发下游客户。同时公司也积极开发下游产品,IGBT等产品已跻身行业前列。我们预计公司2014年-2016年EPS分别为

半导体芯片器件和单晶硅硅棒太阳能级单晶硅片双产业链商业模式。?明后年光伏制造端最看好高效单晶，同时国内电站仍是行业热点，度电成本更为重要，有别于传统铸锭多晶硅、直拉单晶硅，中环股份采用了新的CFZ
，将冲击全球第二。目前公司8寸区熔晶硅技术全球领先，公司将继续开发下游客户。同时公司也积极开发下游产品，IGBT等产品已跻身行业前列。我们预计公司2014年-2016年EPS分别为0.15、0.37和

SCALE系列IGBT驱动器，采用独创的SCALE专用集成电路芯片组，为全球驱动器市场树立了权威的行业标准。这种驱动板最大的特点是采用磁隔离技术和光纤传输方案，通常的隔离方式有光隔离和磁隔离，光耦隔离方式
仍要求产品拥有高性能表现的工业应用场合，不过价格特别昂贵，一个1000V1200A2级的接触器，价格是1.8万左右。它最关键的性能是能够IGBT，母线电容等器件出现短路等紧急情况下，在大电流时断开

索比光伏网讯:近日，装有首批8英寸IGBT芯片的模块在昆明地铁车辆段完成段内调试，并稳定运行一万公里，各项参数指标均达国际先进水平，标志着由中国南车株洲所下属公司南车时代电气自主研制生产的8英寸
IGBT芯片已彻底打破国外高端IGBT技术垄断，实现从研发、制造到应用的完全国产化。作为电力电子装置的心脏，IGBT在国家战略领域中不可或缺。但是，国内IGBT技术起步较晚，受制于人，发展艰难而缓慢。国内

索比光伏网讯:11月10日，赛米控国际集团首席运营官Harald Jaeger一行四人来公司考察调研，重点关注在IGBT芯片、封装领域的合作前景。南车时代电气副总经理兼半导体事业部总经理刘可安、电气
的客户关系，销售占整个欧洲市场的53%，计划在此基础上设立一个新的项目，希望与公司合作，采用IGBT芯片产品研发一种新型模块，电压等级覆盖1700V-6500V，作为重要变频器适用于欧洲的轨道交通

！记者：刚才您提到可以提高逆变器的测量效率，你们有具体的数据吗？徐成：谢谢你的提问。首先，我们都知道逆变器的效率是通过很多元器件来给它提供的，不仅仅是IGBT，还有传感器等，我们传感器的精度
公司合作，而我们也相信这些公司将来更有可能成为市场当中的成功者。谢谢！记者：第一个问题，刚才听到LFxx10系列这个芯片有一个编程的功能，请介绍一下编程的功能是对用户直接开放的吗，还是全部是我们

做到南车光伏，南车创造。IGBT，中文名绝缘栅双极型晶体管。指甲大小的芯片却是包括光伏逆变器、高速动车组、巨型船舶等变流装备的核心器件，技术门槛之高，被业内公认为现代变流工业皇冠上的明珠。它是电力电子
器件中技术最为先进、应用最为广泛的第三代器件。与微电子技术中芯片技术（CPU）一样，IGBT芯片技术是电力电子行业中的心脏和大脑，能控制并提供大功率的电力设备电能变换，有效提升设备的能源利用效率、自动化

，真正做到南车光伏，南车创造。 IGBT，中文名绝缘栅双极型晶体管。指甲大小的芯片却是包括光伏逆变器、高速动车组、巨型船舶等变流装备的核心器件，技术门槛之高，被业内公认为现代变流工业皇冠上的明珠
。它是电力电子器件中技术最为先进、应用最为广泛的第三代器件。与微电子技术中芯片技术（CPU）一样，IGBT芯片技术是电力电子行业中的心脏和大脑，能控制并提供大功率的电力设备电能变换，有效提升设备的能源

熔单晶和IGBT功率器件是半导体业务看点。公司区熔单晶的行业龙头地位稳固,市占率超70%,盈利能力稳定,公司已成为国内唯一一家(全球第二家)实现8英寸区熔单晶量产的企业,随着半导体芯片向大直径方向发展
,未来产品的推广有望成为公司新的利润增长点。公司半导体器件由于折旧成本较高,盈利能力较差,公司大功率IGBT 产品已小批量生产,国内大部分市场被欧美日企业占据,未来进口替代空间大。投资逻辑:从光伏制造

已成为国内唯一一家（全球第二家）实现8英寸区熔单晶量产的企业，随着半导体芯片向大直径方向发展，未来产品的推广有望成为公司新的利润增长点。公司半导体器件由于折旧成本较高，盈利能力较差，公司大功率IGBT
净利润大约为3.61亿、11.56亿元，贡献EPS为0.28、0.63。　　8寸区熔单晶和IGBT功率器件是半导体业务看点。公司区熔单晶的行业龙头地位稳固，市占率超70%,盈利能力稳定，公司

经过检企共同努力，我国首条8英寸IGBT生产线在湖南株洲按期建成，并于6月下旬生产出首块产品。专家认为，生产线集IGBT产品设计、芯片制造、模块封装测试、可靠性试验、系统应用等成套技术研究、开发及
IGBT产业化基地投产，首批8英寸IGBT芯片下线，此举标志着长期被国外垄断的大功率变流装置有了中国芯，这也是我国首条、世界第二条8英寸IGBT生产线。目前基地具备年产12万片8英寸IGBT芯片和

索比光伏网讯:经过检企共同努力，我国首条8英寸IGBT生产线在湖南株洲按期建成，并于6月下旬生产出首块产品。专家认为，生产线集IGBT产品设计、芯片制造、模块封装测试、可靠性试验、系统应用等成套
产业化基地投产，首批8英寸IGBT芯片下线，此举标志着长期被国外垄断的大功率变流装置有了中国芯，这也是我国首条、世界第二条8英寸IGBT生产线。目前基地具备年产12万片8英寸IGBT芯片和100万只

局面。作为我国最早开发大功率高压IGBT器件技术及产业化的企业，南车株洲所旗下南车时代电气于2008年通过资本运作与技术创新，研制成功IGBT芯片技术，实现了IGBT芯片技术的自主掌握，并于去年起开始进行试生产。截至目前，该公司高压IGBT产品已累计批量销售达10万只。

采用了新的紧凑式芯片设计，将PN结设计融合到肖特基二极管单元场中。这种设计降低了芯片区的微分电阻。因此，二极管损耗比之上一代产品降低了多达30%，譬如在20 kHz频率上以满负荷工作的三相太阳能逆变器
时实现可靠运行。这样便无需使用旁路二极管，从而降低了复杂度，减少了系统成本。英飞凌IGBT和碳化硅分立功率器件营销总监Roland Stele表示：英飞凌致力于提供有助于客户最大限度提高其设计

,2014年和2015年电站实现净利润大约为3.61亿、11.56亿元,贡献EPS为0.28、0.63。8寸区熔单晶和IGBT功率器件是半导体业务看点。公司区熔单晶的行业龙头地位稳固,市占率超70
%,盈利能力稳定,公司已成为国内唯一一家(全球第二家)实现8英寸区熔单晶量产的企业,随着半导体芯片向大直径方向发展,未来产品的推广有望成为公司新的利润增长点。公司半导体器件由于折旧成本较高,盈利能力较差

系列UPS，该系列产品是采用先进的DSP控制器、高速16位的数字芯片、DDC控制技术，配合使用先进的大功率器件IGBT及SCR，在稳定、先进、高效的数字/模拟混合技术基础上，设计出的集数字化、信息化
UPS供应产品。易事特相关技术人员介绍说，EA860系列UPS是中小功率三进单出系列UPS电源，其是高速16位数字芯片、ASIC的DDC控制技术、先进的大功率器件IGBT及SCR的完美组合，可提供双机